Теоретическая и математическая физика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Лицензионный договор
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТМФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Теоретическая и математическая физика, 2022, том 212, номер 3, страницы 414–428
DOI: https://doi.org/10.4213/tmf10297
(Mi tmf10297)
 

Андреевские состояния в квазиодномерном сверхпроводнике на поверхности топологического изолятора

Ю. П. Чубуринa, Т. С. Тинюковаb

a Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
b Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
Список литературы:
Аннотация: Исследуются локализованные состояния в $s$-волновой сверхпроводящей полосе на поверхности топологического изолятора с перпендикулярным полем Зеемана. Аналитически доказано, что сколь угодно малое локальное возмущение поля Зеемана порождает андреевские локализованные состояния с энергиями вблизи границ сверхпроводящей щели, в то время как (немагнитный) примесный потенциал такого эффекта не вызывает. Достаточно большие возмущения поля Зеемана могут привести к появлению андреевских локализованных состояний с энергией вблизи нуля. Аналитически найдены волновые функции рассматриваемых андреевских локализованных состояний. В отличие от одномерного случая, волновые функции не удовлетворяют условиям сопряжения, характерным для майорановских состояний, вследствие влияния ближайших подзон.
Ключевые слова: топологический изолятор, сверхпроводящая щель, андреевское локализованное состояние, подзона, поле Зеемана.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации AAAA-A16-116021010082-8
075-01265-22-00
Работа Ю. П. Чубурина поддержана программой финансирования AAAA-A16-116021010082-8. Работа Т. С. Тинюковой выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках государственного задания № 075-01265-22-00, проект FEWS-2020-0010.
Поступило в редакцию: 11.04.2022
После доработки: 25.05.2022
Англоязычная версия:
Theoretical and Mathematical Physics, 2022, Volume 212, Issue 3, Pages 1246–1258
DOI: https://doi.org/10.1134/S0040577922090070
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. П. Чубурин, Т. С. Тинюкова, “Андреевские состояния в квазиодномерном сверхпроводнике на поверхности топологического изолятора”, ТМФ, 212:3 (2022), 414–428; Theoret. and Math. Phys., 212:3 (2022), 1246–1258
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ChuTin22}
\by Ю.~П.~Чубурин, Т.~С.~Тинюкова
\paper Андреевские состояния в квазиодномерном сверхпроводнике на поверхности топологического изолятора
\jour ТМФ
\yr 2022
\vol 212
\issue 3
\pages 414--428
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tmf10297}
\crossref{https://doi.org/10.4213/tmf10297}
\mathscinet{http://mathscinet.ams.org/mathscinet-getitem?mr=4538849}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2022TMP...212.1246C}
\transl
\jour Theoret. and Math. Phys.
\yr 2022
\vol 212
\issue 3
\pages 1246--1258
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0040577922090070}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85139234844}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/tmf10297
  • https://doi.org/10.4213/tmf10297
  • https://www.mathnet.ru/rus/tmf/v212/i3/p414
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Теоретическая и математическая физика Theoretical and Mathematical Physics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:159
    PDF полного текста:32
    Список литературы:33
    Первая страница:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024