|
Эта публикация цитируется в 81 научных статьях (всего в 81 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов
И. В. Греховa, Г. А. Месяцb a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
Аннотация:
Разработка полупроводниковых нано- и субнаносекундных размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до $10^{10}$ Вт) и частоты следования (до $10^4$ Гц) импульсных устройств. Главное внимание в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Первые позволяют получать плотность тока до $10^2$ А см$^{-2}$ и обрываемую мощность до $10^8$ Вт. Вторые, соответственно, до $10^5$ А см$^{-2}$ и $10^{10}$ Вт. Рассмотрена также возможность использования в качестве базового материала не только монокристаллического кремния, как в ДДРВ и SOS-диодах, но и монокристаллического карбида кремния SiC.
Поступила: 28 января 2005 г.
Образец цитирования:
И. В. Грехов, Г. А. Месяц, “Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов”, УФН, 175:7 (2005), 735–744; Phys. Usp., 48:7 (2005), 703–712
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn199 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v175/i7/p735
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 1881 | PDF полного текста: | 653 | Список литературы: | 110 | Первая страница: | 1 |
|