|
Спектры комбинационного рассеяния при гелиевой температуре сегнетоэлектриков KDP и DKDP, монодоменизированных электрическим полем
В. Ю. Давыдов, È. В. Числер
|
3249–3261 |
|
|
Роль дефектов и спиновой диффузии в электрическом насыщении линии ЯМР в кристаллах GaAs
А. А. Кулешов, В. М. Микушев, А. Л. Столыпко, Е. В. Чарная, В. А. Шутилов
|
3262–3266 |
|
|
К теории стационарных состояний приповерхностного слоя ионных кристаллов
В. И. Солунский
|
3267–3274 |
|
|
Эффекты пространственной дисперсии в комбинационном рассеянии света в гиротропных кристаллах дифосфида цинка
А. В. Слободянюк
|
3275–3286 |
|
|
Наблюдение температурного гистерезиса намагниченности монокристалла гематита вблизи перехода Морина
К. Б. Власов, Е. А. Розенберг, В. И. Тимощук, Я. Г. Смородинский
|
3287–3291 |
|
|
Сверхструктура и катионное распределение в системе Fe$_{1-x}$Cu$_{x}$Cr$_{2}$S$_{4}$
В. Н. Зарицкий, Р. А. Садыков, Я. И. Костюк, Р. А. Сизов, Т. Г. Аминов, Р. К. Губайдуллин, Ш. Р. Сафин
|
3292–3298 |
|
|
Резонансное туннелирование электронов при двумерном неупорядоченном расположении центров рассеяния
Ф. И. Далидчик
|
3299–3305 |
|
|
Об электронных состояниях со спином ${S\geqslant 1}$ на дислокациях в кремнии
М. Н. Золотухин
|
3306–3312 |
|
|
Насыщение катодолюминесценции, связанной с изоэлектронной примесью Te в CdS$_{1-x}$Te$_{x}$ и ZnS$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant 0.05}$) при высоких уровнях возбуждения
А. М. Ахекян, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин
|
3313–3318 |
|
|
Особенности процесса переполяризации тонких пластин кристалла ТГС
Н. А. Тихомирова, Л. И. Донцова, А. В. Гинзберг, А. А. Чеботарев, Л. А. Шувалов
|
3319–3328 |
|
|
Магнитно-дипольное неоднородное уширение спектральных линий в смешанных кристаллах
И. Ф. Гильфанов, Б. Н. Казаков, А. Ф. Климачев, А. Л. Столов
|
3329–3332 |
|
|
Влияние магнитоупругого взаимодействия на промежуточное состояние магнитоупорядоченных кристаллов
В. Г. Барьяхтар, А. Н. Богданов, Д. А. Яблонский
|
3333–3337 |
|
|
Отрицательный истинный термооптический эффект в титанате стронция SrTiO$_{3}$
Р. В. Писарев, Б. Н. Шерматов, А. Насыров
|
3338–3341 |
|
|
Исследование пленок карбида ниобия, полученных методом реактивного лазерного распыления
А. И. Головашкин, Б. Г. Журкин, А. Л. Карузский, С. И. Красносвободцев, В. П. Мартовицкий, Е. В. Печень, В. В. Родин, Ю. И. Степанов, А. В. Ширков
|
3342–3348 |
|
|
Электрические, магнитные и тороидные колебания в сегнетоэлектриках и сегнетомагнетиках
В. В. Тугушев, Т. Н. Фурса
|
3349–3357 |
|
|
Энергетическая структура и динамика экситонов в кристаллах Cd$_{1-x}$Mn$_{x}$Te
П. И. Бабий, П. Н. Букивский, Ю. П. Гнатенко
|
3358–3363 |
|
|
Эффекты «обеднения» и «дальнодействия» в рекомбинационной кинетике
В. В. Антонов-Романовский
|
3364–3367 |
|
|
Идентификация новой кристаллической фазы NH$_{4}$HSeO$_{4}$
А. А. Суховский, Ю. Н. Москвич, О. В. Розанов, И. П. Александрова
|
3368–3373 |
|
|
Влияние примесного пробоя на поглощение ультразвука в компенсированном $n$-InSb
Ю. М. Гальперин, И. Л. Дричко, Л. Б. Литвак-Горская
|
3374–3379 |
|
|
Нелинейные колебания тока и температуры в проводниках с $N$-образной ВАХ
А. М. Кадигробов, Ю. Н. Цзян, И. И. Логвинов
|
3380–3388 |
|
|
Теория рекомбинационно-стимулированных атомных скачков в неметаллических кристаллах
В. Л. Винецкий, Г. Е. Чайка
|
3389–3395 |
|
|
О двух типах дилатонов
А. И. Мелькер, А. В. Иванов
|
3396–3402 |
|
|
Диэлектрическая проницаемость двухкомпонентной бозон-фермионной плазмы в твердом теле
А. С. Александров, А. Б. Хмелинин
|
3403–3408 |
|
|
Проблема электронного транспорта при анализе фотоэмиссионных данных, получаемых в экспериментах с использованием стоячих рентгеновских волн
М. В. Ковальчук, Д. Лильеквист, В. Г. Кон
|
3409–3416 |
|
|
Определение энергии активации и времени ожидания образования дилатонов в полимерах
В. И. Веттегрень
|
3417–3422 |
|
|
Аномалии проводимости, термоэдс и коэффициента термического расширения в интерметаллидах Ce(Cu$_{1-x}$Ni$_{x}$)$_{5}$
А. С. Илюшин, В. В. Мощалков, А. А. Николаев, А. П. Перов, Н. Е. Случанко, Г. С. Бурханов, Т. М. Шкатова
|
3423–3428 |
|
|
Спектры возбуждения электронно-дырочной плазмы в кристаллах сульфида кадмия
В. Г. Лысенко
|
3429–3437 |
|
|
Роль глубоких центров в динамике зарядов и полей в фоторефрактивных кристаллах силленитов
В. Н. Астратов, А. В. Ильинский, В. А. Киселев
|
3438–3445 |
|
|
Магнитоиндуцированный спонтанный неоднородный ток в вибронном сегнетоэлектрике
Н. Н. Кристофель, А. Г. Пищев
|
3446–3451 |
|
|
Обменно-релятивистские модулированные магнитные структуры в многоподрешеточных ромбических антиферромагнетиках
Е. П. Стефановский
|
3452–3456 |
|
|
Дисперсионный перенос в неупорядоченных полупроводниках с автолокализованными электронными парами
С. Н. Тараскин
|
3457–3461 |
|
|
Оптически индуцируемый ЯМР в полупроводниках
В. К. Калевич
|
3462–3465 |
|
|
Роль коллективных эффектов при флуктуационном разрыве ангармонической цепочки атомов
В. А. Лагунов
|
3466–3472 |
|
|
Образование F-центров и автолокализованных экситонов в кристалле CsBr под действием импульсных электронных пучков
В. А. Кравченко, В. М. Лисицын, В. Ю. Яковлев
|
3473–3477 |
|
|
К теории электронной Ферми-жидкости с парамагнитными примесями
В. В. Красильников, С. В. Пелетминский, А. А. Яценко
|
3478–3484 |
|
|
Возникновение делокализованных состояний в примесной зоне с недиагональным беспорядком
М. Н. Ботвинко, М. А. Иванов
|
3485–3491 |
|
|
Быстропротекающие электрические процессы и динамика дислокаций в пластически деформируемых щелочно-галоидных кристаллах
Ю. И. Головин, А. А. Шибков
|
3492–3499 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Электрон-фотонная эмиссия натрия
Ю. М. Кобзарь, Ю. А. Кулюпин, Б. В. Стеценко, В. М. Шаталов, А. И. Щуренко
|
3500–3502 |
|
|
Электрон-фотонная эмиссия алюминия
Ю. М. Кобзарь, Ю. А. Кулюпин, В. М. Шаталов
|
3502–3504 |
|
|
Перестройка доменной структуры и скачки деформации в кристалле Pb$_{3}$(PO$_{4}$)$_{2}$, вызванные изменением температуры
Н. Н. Большакова, Е. Ф. Дудник, Г. М. Некрасова, В. М. Рудяк, И. И. Сорокина
|
3505–3507 |
|
|
К теории флуктуонных состояний носителей тока и электронов примесных центров в парамагнитных полупроводниках и в бинарных растворах
А. А. Трущенко
|
3507–3511 |
|
|
Влияние ультразвукового воздействия и отжига на температуру сверхпроводящего перехода деформированного ниобия
Л. А. Чиркина, О. И. Волчок, С. Д. Лавриненко, В. С. Оковит, Б. А. Хинкис
|
3512–3514 |
|
|
Ваимодействие ионов Ce$^{3+}$ с ядрами $^{19}$F в кристалле SrF$_{2}$ : Ce$^{3+}$
М. В. Еремин, О. Г. Хуцишвили
|
3514–3516 |
|
|
Динамический форм-фактор плазмонов в сверхрешетке и рассеяние на них электронов и фотонов
В. А. Кособукин
|
3516–3519 |
|
|
Оптические свойства соединения TmS
Г. П. Нижникова, И. Б. Нехлюдов, К. К. Сидорин, О. В. Фарберович
|
3520–3522 |
|
|
Новая фаза промежуточной валентности в Ce$_{1-x}$Th$_{x}$
В. А. Шабуров, Ю. П. Смирнов, А. Е. Совестнов, А. В. Тюнис, М. Н. Грошев, Л. И. Молканов, В. А. Тюкавин
|
3522–3524 |
|
|
Влияние постоянного электрического поля на коэффициенты внутреннего трения и упругой нелинейности в центросимметричных кристаллах
А. П. Здебский
|
3525–3528 |
|
|
Na$_{3}$In$_{2}$P$_{3}$O$_{12}$ — новый суперионный проводник семейства nasicon
А. К. Иванов-Шиц, С. Е. Сигарев
|
3528–3531 |
|
|
Отрицательное дифференциальное сопротивление висмута в сильном магнитном поле
С. И. Захарченко, С. В. Кравченко
|
3531–3533 |
|
|
Энергетическое распределение электронов полевой эмиссии Ge $p$-типа
Н. В. Данильцев, Н. В. Милешкина
|
3533–3536 |
|
|
Разрыв и плавление одномерной цепочки в квазигармоническом приближении
А. О. Меликян, С. М. Саакян
|
3536–3538 |
|
|
Акустоэлектрические взаимодействия в пьезополупроводниках в поперечном электрическом поле
А. А. Чабан
|
3538–3540 |
|
|
Некоторые особенности фотолюминесценции ортогерманата висмута
С. А. Петров, Н. А. Четвергов, È. И. Нуриев
|
3540–3541 |
|
|
Особенности ионного транспорта в твердых растворах Li$_{4}$SiO$_{4}$ : М (M = Ga, Fe)
А. К. Иванов-Шиц, С. Е. Сигарев
|
3541–3544 |
|
|
Механизм комбинационного рассеяния света на спиновых волнах
Д. В. Малазония
|
3544–3546 |
|
|
О применимости приближения упругоизотропного кристалла для описания свойств дислокаций вблизи точек фазовых переходов первого рода
А. Л. Корженевский
|
3546–3548 |
|
|
ЭПР структурного фазового перехода и мотивы строения фаз монокристаллов MgTiF$_{6}\cdot6$H$_{2}$O : Mn$^{2+}$
А. М. Зиатдинов, В. Г. Курявый, Р. Л. Давидович
|
3549–3551 |
|
|
Термодинамика квазидвумерного гейзенберговского ферромагнетика с одноионной анизотропией
Е. В. Кузьмин, Г. А. Петраковский
|
3551–3553 |
|
|
Фаза типа спинового стекла в твердых растворах NH$_{4}$Cl$_{1-x}$Br$_{x}$
Е. Б. Амитин, К. С. Суховей
|
3554–3556 |
|
|
Импульсное распределение делокализованного позитрония в ионных кристаллах
О. В. Боев, К. П. Арефьев
|
3557–3559 |
|
|
Исследование релаксационных характеристик излучения кристаллов GaSe при интенсивном пикосекундном возбуждении
В. С. Днепровский, В. И. Климов, З. Д. Ковалюк, А. Р. Лесив, М. Г. Новиков
|
3559–3561 |
|
|
Изменение стехиометрического состава твердого раствора Mg$_{0.2}$Cd$_{0.8}$Te под действием лазерного излучения
А. Байдуллаева, П. Е. Мозоль, Е. А. Сальков, Н. И. Витряховский
|
3561–3564 |
|
|
Магнитострикция монокристалла Ca$_{3}$Fe$_{2}$Ge$_{3}$O$_{12}$
М. В. Леванидов, В. И. Соколов
|
3564–3567 |
|
|
Фотостимулированное изменение скорости конденсации паров металлов второй группы на поверхности стеклообразных полупроводников
А. В. Колобов, В. М. Любин
|
3567–3569 |
|
|
Влияние ионов Pb$^{2+}$ на дефектообразование в кристаллах KCl$-$Pb
Л. Е. Нагли, С. В. Дяченко
|
3570–3572 |
Обратная связь: