|
Теоретическая и математическая физика
|
|
Моделирование некоторых свойств изображений с атомарным разрешением в сканирующем зондовом микроскопе
А. А. Потапов, С.Ш. Рехвиашвили
|
803–807 |
|
|
Газы и жидкости
|
|
|
К гидротермодинамике обледенения профиля в воздушно-кристаллическом потоке
А. В. Кашеваров, В. С. Левченко, А. Б. Миллер, Ю. Ф. Потапов, А. Л. Стасенко
|
808–814 |
|
|
Плазма
|
|
|
Короткий разряд с термоэмиссионным катодом в парах щелочноземельных металлов
А. А. Богданов, В. Б. Каплан, А. М. Марциновский
|
815–818 |
|
|
Стримеры при субнаносекундном пробое аргона и азота в неоднородном электрическом поле при обеих полярностях
Д. В. Белоплотов, М. И. Ломаев, Д. А. Сорокин, В. Ф. Тарасенко
|
819–826 |
|
|
Микроструктура искрового разряда в воздухе в промежутке острие-плоскость
К. И. Алмазова, А. Н. Белоногов, В. В. Боровков, Е. В. Горелов, И. В. Морозов, А. А. Тренькин, С. Ю. Харитонов
|
827–831 |
|
|
Заполнение плоского щелевого объема тлеющим разрядом в поперечном магнитном поле и влияние магнитного поля на контракцию разряда
М. С. Мокров, Ю. П. Райзер
|
832–842 |
|
|
Твердое тело
|
|
|
Эффект памяти формы в монокристаллах Cu–Al–Ni, линейные и вращательные двигатели на их основе
С. А. Пульнев, А. И. Прядко, С. Г. Ястребов, В. И. Николаев
|
843–849 |
|
|
О возможности разращивания алмазов в среде углеводородов
С. К. Брантов, В. Б. Ефимов
|
850–854 |
|
|
Природа упругопластического инварианта деформации
Л. Б. Зуев, В. И. Данилов, С. А. Баранникова, Н. А. Плосков
|
855–859 |
|
|
Физическое материаловедение
|
|
|
Исследование вакансионной системы реструктурированного цинка методом аннигиляции позитронов
Е. М. Соловьев, Б. В. Спицын, Р. С. Лаптев, А. М. Лидер, Ю. С. Бордулев, А. А. Михайлов
|
860–863 |
|
|
Радиационная электропроводность нанокомпозиционных материалов
Н. С. Дюрягина, А. П. Яловец
|
864–873 |
|
|
Твердотельная электроника
|
|
|
Создание совмещенной технологии спин-вентильных магниторезистивных элементов и микромагнитов
В. В. Амеличев, П. А. Беляков, Д. В. Костюк, Д. В. Васильев, Е. П. Орлов, Ю. В. Казаков, С. И. Касаткин, А. И. Крикунов
|
874–876 |
|
|
Физика низкоразмерных структур
|
|
|
Диэлектрическая спектроскопия сильно коррелированных электронных состояний диоксида ванадия
А. В. Ильинский, Р. А. Кастро, Е. И. Никулин, Е. Б. Шадрин
|
877–882 |
|
|
Механизм образования клатратов аргона с углеродными дендритами
М. П. Данилаев, Е. М. Зуева, Е. А. Богослов, М. С. Пудовкин, Ю. Е. Польский
|
883–887 |
|
|
Оптика
|
|
|
Формирование микротурбин методом прямой лазерной записи по фоторезисту
Р. В. Скиданов, О. Ю. Моисеев, С. В. Ганчевская
|
888–891 |
|
|
Анализ вкладов различных факторов в магнитооптический сигнал трехмерных структур типа магнитофотонных кристаллов
Н. Ю. Звездин, В. А. Папорков, А. В. Проказников, И. С. Царев
|
892–901 |
|
|
Акустика, акустоэлектроника
|
|
|
Акустооптическая дифракция в парателлурите на медленной акустической моде. Повышение эффективности дифракции расходящегося света
С. Н. Антонов, А. Л. Филатов
|
902–906 |
|
|
Радиофизика
|
|
|
Влияние ионосферы на возбуждение электромагнитного поля диапазона КНЧ и более низких частот в ближней зоне
Е. Д. Терещенко, П. Е. Терещенко, А. Е. Сидоренко, В. Ф. Григорьев, А. А. Жамалетдинов
|
907–913 |
|
|
Электрофизика, электронные и ионные пучки, физика ускорителей
|
|
|
Высокоэффективный источник электронов с полым катодом для технологий осаждения тонких пленок и обработки поверхностей при форвакуумных давлениях
В. Г. Щукин, В. О. Константинов, В. С. Морозов
|
914–919 |
|
|
Физическая электроника
|
|
|
Стабильность полевой эмиссии одиночной углеродной нанотрубки
С. В. Булярский, А. А. Дудин, А. В. Лакалин, А. П. Орлов, А. А. Павлов, Р. М. Рязанов, А. А. Шаманаев
|
920–925 |
|
|
Влияние толщины пленки Pt на процессы роста зерен при ее отжиге
Р. В. Селюков, В. В. Наумов, С. В. Васильев
|
926–933 |
|
|
Биомедицинская физика
|
|
|
Комплексная природа термических фазовых превращений в растворах альбумина
А. О. Вонти, А. В. Ильинский, В. М. Капралова, Е. Б. Шадрин
|
934–942 |
|
|
Физические приборы и методы эксперимента
|
|
|
Метод видеогониографии для изучения морфологии боковой поверхности профилированных монокристаллов и прибор для его реализации
С. И. Бахолдин, В. Н. Маслов
|
943–950 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
К вопросу об источнике апокампа
Э. А. Соснин, В. А. Панарин, В. С. Скакун, В. Ф. Тарасенко
|
951–954 |
|
|
Влияние частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC на емкость обратносмещенного $p^{+}$–$i$–$n^{+}$-диода
П. А. Иванов, А. С. Потапов, И. В. Грехов
|
955–958 |
Обратная связь: