|
Фотоэлектрические явления в $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при
одноосной деформации
С. Г. Гасан-заде, Е. А. Сальков, Г. А. Шепельский
|
1913–1917 |
|
|
Теория циклотронного резонанса в слоистых кристаллах
Б. А. Лукиянец, В. В. Бойчук
|
1918–1922 |
|
|
« Горячее» ионное легирование $p$-InSb серой
(свойства $n{-}p$-переходов)
С. В. Белотелов, А. Б. Коршунов, В. Б. Смирницкий, А. Н. Соляков, С. А. Шестериков
|
1923–1925 |
|
|
Эффект анизотропии широкого компонента углового распределения
аннигиляционного излучения в германии и кремнии
П. У. Арифов, Н. Ю. Арутюнов, В. Ю. Тращаков, З. Р. Абдурасулев
|
1926–1930 |
|
|
Светящиеся точки и пробой в структуре транзисторов на GaAs
Б. С. Кернер, Н. А. Козлов, А. М. Нечаев, В. Ф. Синкевич
|
1931–1934 |
|
|
Влияние одноосной деформации на свойства карбид-кремниевых диодов
Шоттки
Л. А. Косяченко, Е. Ф. Кухто, В. М. Склярчук
|
1935–1937 |
|
|
Резонансное поглощение интенсивного света в полупроводниках
с непрямой зонной структурой
Л. И. Глазман, Д. Я. Бунцер
|
1938–1943 |
|
|
Замечание о собственной проводимости бесщелевых полупроводников
Г. И. Харус, И. М. Цидильковский, Н. Г. Шелушинина
|
1944–1947 |
|
|
Энергетический спектр твердых растворов PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$,
легированных примесью таллия
А. Н. Вейс, В. И. Кайданов, С. А. Немов
|
1948–1952 |
|
|
Время жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных
эпитаксиальных слоях GaAs
Б. И. Григорьев, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков
|
1953–1956 |
|
|
Вольтамперные характеристики
$p{-}i{-}n$-диода при сверхвысоких уровнях инжекции
А. А. Абрамов
|
1957–1962 |
|
|
Положение акцепторных уровней дивакансии в запрещенной зоне
$n$-кремния, облученного протонами с энергией
6.3 МэВ
Б. В. Шемаев
|
1963–1965 |
|
|
Примесный фототок в условиях термической перезарядки глубокого
центра
Б. А. Бобылев, А. Ф. Кравченко
|
1966–1969 |
|
|
Подвижность электронов в сильно компенсированном
$n$-InSb
Л. Б. Литвак-Горская, Е. З. Шапиро
|
1970–1974 |
|
|
Диамагнетизм и парамагнетизм Ван-Флека в полупроводниках и ионных
кристаллах
Л. Н. Блинов
|
1975–1978 |
|
|
Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии,
выращенном по методу Чохральского
Н. Т. Баграев, Н. А. Витовский, Л. С. Власенко, Т. В. Машовец, О. Рахимов
|
1979–1984 |
|
|
О распределении пар Френкеля, возникающих в германии
при облучении, по расстояниям между их компонентами
Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец
|
1985–1990 |
|
|
Усиление фототока в диодных структурах Au/$n$-InP$\langle\text{Fe}\rangle$
Г. Г. Ковалевская, С. В. Слободчиков, Г. М. Филаретова
|
1991–1994 |
|
|
Диффузионные приповерхностные примесные профили
в полупроводниках
I. Постановка задачи. Последовательная диффузия
В. И. Фистуль, М. И. Синдер
|
1995–2002 |
|
|
Диффузионные приповерхностные примесные профили
в полупроводниках
II. Одновременная и взаимная диффузия
В. И. Фистуль, М. И. Синдер
|
2003–2008 |
|
|
Модуляция проводимости полупроводника при инжекции носителей заряда
из неидеального $p{-}n$-перехода
А. X. Авагян, И. Н. Горбатый
|
2009–2012 |
|
|
Исследование катодолюминесценции твердых растворов
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As переменного состава
Н. К. Дряпико, Г. П. Пека, С. М. Чумак
|
2013–2017 |
|
|
Высокочастотные голографические дифракционные решетки
на поверхности монокристаллов CdS
В. А. Стерлигов, О. В. Снитко
|
2018–2021 |
|
|
Особенности дефектообразования в полупроводниках
при изовалентном легировании
Е. В. Соловьева, М. Г. Мильвидский
|
2022–2024 |
|
|
Кластерный расчет электронного строения примеси бора в кремнии
М. А. Бунин, Ю. А. Матвеев, Н. А. Петров, Ю. В. Сухецкий
|
2025–2030 |
|
|
Разогрев электронно-дырочной плазмы в двойных гетероструктурах
И. А. Лубашевский, В. И. Рыжий
|
2031–2034 |
|
|
Исследование фотоэффектов в кремнии, легированном селеном
Д. А. Вахабов, А. С. Закиров, А. Т. Мамадалимов, П. К. Хабибуллаев
|
2035–2039 |
|
|
Поляризация и ширина линии комбинационного рассеяния с переворотом
спина на мелком доноре в магнитосмешанном полупроводнике
Ю. Г. Семенов, С. М. Рябченко
|
2040–2045 |
|
|
Параметры центра, ответственного за долговременную релаксацию емкости
в светодиодах GaP$\langle\text{Zn,\,O}\rangle$
А. А. Гуткин, Д. А. Дмитриева, В. Г. Сидоров, Э. А. Твирова, Ю. К. Шалабутов, С. Н. Шлихтов
|
2046–2049 |
|
|
Расщепление компонент тонкой структуры линий в фотоэлектрических
спектрах эпитаксиальных слоев GaAs в магнитном поле
В. Ю. Иванов, Т. М. Лифшиц
|
2050–2054 |
|
|
Положительное магнитосопротивление в области прыжковой проводимости
с переменной длиной прыжка
Б. И. Шкловский
|
2055–2062 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Исследование края поглощения классических периодических структур на
основе кремния
В. Н. Гусятников, В. А. Иванченко, В. С. Карахтанов, Б. Н. Климов, В. Ф. Патрикеев
|
2063–2065 |
|
|
Размерное квантование в обогащенных слоях МОП структур
на основе бесщелевого Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te:
осцилляции емкости в квантующих магнитных полях
Т. И. Дерябина, Л. П. Зверев, В. Ф. Раданцев
|
2065–2067 |
|
|
Температурный сдвиг экситонной полосы и деформационные эффекты
в слоистых кристаллах TlGaS$_{2}$
С. Г. Абдуллаева, Н. А. Абдуллаев, Г. Л. Беленький, Н. Т. Мамедов, Р. А. Сулейманов
|
2068–2070 |
|
|
Электродвижущая сила, обусловленная динамическим деформированием
сложных полупроводниковых структур
З. Н. Барташевич, Ю. К. Пожела, В. С. Филипавичюс
|
2070–2072 |
|
|
Новый тип переноса электронов в аморфном кремнии
А. А. Андреев, О. И. Коньков, Б. К. Ткаченко, В. Ю. Флоринский
|
2072–2075 |
|
|
Длина когерентности носителей заряда с различными законами дисперсии
в полупроводниковой области слабо связанных сверхпроводящих структур
сверхпроводник–полупроводник–сверхпроводник
В. Н. Алфеев, Н. И. Гриценко
|
2075–2077 |
|
|
Измерение степени компенсации в $p{-}n$-структурах
GaAs$\langle\text{Si}\rangle$ фотолюминесцентным методом
В. Ф. Коваленко, В. А. Краснов
|
2077–2079 |
|
|
Домен сильного поля в инжектированной электронно-дырочной плазме
германия
В. Н. Добровольский, С. П. Павлюк, Л. В. Ищук
|
2079–2081 |
|
|
Положительное кристаллическое расщепление в CuInSe$_{2}$
Г. К. Аверкиева, Г. А. Медведкин, А. А. Яковенко
|
2081–2084 |
|
|
Продольный фотоэффект в диодах Шоттки
Au/$n$-InP с промежуточным слоем
М. М. Мередов, С. В. Слободчиков, В. Г. Смирнов, Г. М. Филаретова
|
2084–2086 |
|
|
Новая серия краевого излучения CdS в электрическом поле
В. Ф. Гринь, М. А. Ризаханов, М. К. Шейнкман, Г. А. Шепельский
|
2086–2088 |
|
|
Энергетические уровни пар фосфора и бора в аморфном кремнии
А. М. Грехов, В. М. Гунько, Г. М. Клапченко, Ю. П. Цященко
|
2088–2090 |
|
|
Электрические и оптические свойства пористого кремния
Д. И. Биленко, Н. П. Абаньшин, Ю. Н. Галишникова, Г. Е. Маркелова, И. Б. Мысенко, Е. И. Хасина
|
2090–2093 |
|
|
Влияние магнитного поля на ход ионизационных процессов,
обусловленных электронами верхних долин $c$-зоны в GaAs
Ю. В. Воробьев, Е. В. Локтев, Л. И. Филина, А. М. Цюпа, М. К. Шейнкман
|
2093–2095 |
|
|
Отрицательное магнитосопротивление кристаллов
Hg$_{1-x}$Fe$_{x}$Te
Н. Г. Глузман, Н. К. Леринман, Н. П. Гавалешко, В. М. Фрасуняк
|
2095–2097 |
|
|
Об анизотропии подвижности дырок в теллуре
П. Н. Горлей, Н. Я. Кушнир
|
2097–2098 |
|
|
Особенности фотоэффекта в варизонной структуре с потенциальным
барьером при фотонном переносе ННЗ
А. С. Волков, Б. Г. Пляскин, Б. В. Царенков, Г. В. Царенков
|
2098–2100 |
|
|
Аннотации депонированных статей
|
|
|
Аннотации депонированных статей
|
2101–2105 |
|
|
Из новых книг, поступивших в Редакцию
|
|
|
Из новых книг, поступивших в Редакцию
|
2106 |
|
|
|
Памяти Анатолия Григорьевича Самойловича
|
2107–2108 |
Обратная связь: