|
Варизонные структуры для спектрометрических измерений
Б. И. Гильман, С. Л. Либерман
|
1721–1724 |
|
|
Примесная фотопроводимость в твердом растворе
Pb$_{1-x-y}$Ge$_{x}$Sn$_{y}$Te, легированном индием
Х. А. Абдуллин, А. И. Лебедев
|
1725–1730 |
|
|
Исследование вертикальных полевых фототранзисторов
на основе GaAs. Механизм усиления и кинетика фототока
М. С. Богданович, Л. А. Волков, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, Н. Р. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич
|
1731–1735 |
|
|
Кинетика фотопроводимости германия, легированного цинком,
при малых временах фотоответа
Г. А. Асланов, Т. М. Бурбаев, В. А. Курбатов, Н. А. Пенин
|
1736–1740 |
|
|
Электрон-дырочное рассеяние и аномальная температурная зависимость
проводимости бесщелевых полупроводников
при низких температурах
Р. В. Поморцев, И. Г. Кулеев
|
1741–1745 |
|
|
Особенности рассеяния дырок изовалентной примесью олова в PbSe,
приводящие к сильному снижению подвижности
Е. А. Гуриева, Л. В. Прокофьева, Ю. И. Равич, С. В. Зарубо, К. Г. Гарцман
|
1746–1749 |
|
|
Статистика носителей и проводимость полупроводника $p$-типа
с дислокациями
Л. И. Глазман
|
1750–1755 |
|
|
Зонная структура полупроводниковых твердых растворов
TlB$^{\text{V}}$C$^{\text{VI}}_{2}{-}$A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$
в кубической фазе
В. Г. Канцер, Н. М. Малкова, А. С. Сидоренко
|
1756–1762 |
|
|
Поглощение квантов с энергией, меньшей оптической энергии ионизации
примеси в фосфиде индия, легированном марганцем
В. А. Курбатов, Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, В. И. Райхштейн, В. В. Каратаев, А. Я. Нашельский, С. В. Якобсон
|
1763–1767 |
|
|
Пьезосопротивление и эффект Холла сильно легированных кристаллов
$n$-Si
П. И. Баранский, В. В. Коломоец, Ю. А. Охрименко
|
1768–1770 |
|
|
Фонон-дефектное взаимодействие в легированном арсениде индия
М. В. Курик, Н. А. Семиколенова
|
1771–1773 |
|
|
Тензор Нернста–Эттингсгаузена в одноосно деформированных
$n$-кремнии и $n$-германии. II
И. С. Буда, П. И. Баранский, В. С. Боренко
|
1774–1779 |
|
|
Осцилляции Ваннье–Штарка по узким магнитным зонам в высокоиндексных
инверсионных слоях
Г. Р. Айзин, В. А. Волков
|
1780–1785 |
|
|
Линейное магнитосопротивление многодолинных полупроводников в слабо
греющем электрическом поле
Ж. В. Канцлерис, А. Ю. Матулис, Г. А. Твардаускас
|
1786–1790 |
|
|
Влияние генерации неосновных носителей тока на емкостную
спектроскопию поверхностных состояний в МДП структурах
А. А. Лебедев, В. Экке, В. С. Юферев
|
1791–1795 |
|
|
Температурные поля электронов и фононов в полупроводниках конечных
размеров
В. С. Бочков, Ю. Г. Гуревич, Л. А. Шехтман
|
1796–1800 |
|
|
Электронный фототермомагнитный эффект в варизонных полупроводниках
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
А. И. Ваксер, В. А. Погребняк, Д. Д. Халамейда
|
1801–1805 |
|
|
Эффект дальнодействия при механической обработке арсенида галлия
Б. И. Бедный, С. Н. Ершов, В. А. Пантелеев
|
1806–1809 |
|
|
О возможности субмиллиметровой ОДП при междолинном переносе горячих
электронов в сильных электрических полях
А. А. Андронов, Г. Э. Дзамукашвили
|
1810–1821 |
|
|
Фотолюминесценция локальных уровней в PbSe
С. И. Золотов
|
1822–1825 |
|
|
Низкая скорость поверхностной рекомбинации
(${S =10^{4}}$ см/с) в эпитаксиальном $n$-GaAs
В. М. Андреев, А. М. Аллахвердиев, В. Д. Румянцев, О. М. Федорова, Ш. Ш. Шамухамедов
|
1826–1829 |
|
|
Влияние примеси серы на плотность поверхностных состояний в МДП
структурах
С. З. Зайнабидннов, С. И. Власов, И. Н. Каримов, М. Каримов, М. С. Юнусов
|
1830–1832 |
|
|
Электронная структура на идеальных и неидеальных гранях (111),
(001) и (110) арсенида галлия
Г. В. Гадияк, А. А. Карпушин, И. В. Короленко, Ю. Н. Мороков, С. Г. Сазонов
|
1833–1838 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Квазирелятивистский зонный спектр селенида висмута
Е. В. Олешко, В. Н. Королышин
|
1839–1841 |
|
|
ЭПР фосфида индия, легированного европием
Л. Ф. Захаренков, С. И. Марков, В. Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах
|
1841–1843 |
|
|
Магнитосопротивление InSb в условиях всестороннего сжатия
В. П. Кислый, В. К. Малютенко, В. Б. Сухоребрый, А. Шове
|
1843–1845 |
|
|
Статистика носителей тока в $p$-Si с вакансиями
Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец
|
1845–1848 |
|
|
Диффузионная модель имплантации отдачей
Ю. Ф. Блинов, П. В. Серба
|
1848–1851 |
|
|
Измерение характеристик радиационных центров в кремнии, облученном
быстрыми электронами, методом импульсных токов, ограниченных объемным
зарядом
С. В. Безлюдный, Н. В. Колесников, А. Н. Якименко
|
1851–1853 |
|
|
Поляронный сдвиг в теории мелких акцепторов в полупроводниках
с вырожденной зоной
Ш. Н. Гифейсман, В. П. Коропчану
|
1853–1855 |
|
|
Влияние электрон-электронного взаимодействия на ширину запрещенной
зоны сильно легированных многодолинных полупроводников
Ю. А. Пусеп, М. П. Синюков
|
1855–1857 |
|
|
Особенности самокомпенсации донорного действия галогенов в теллуриде
свинца
В. И. Кайданов, С. А. Немов, Ю. И. Равич, А. Ю. Дереза
|
1857–1860 |
|
|
О возникновении пятивакансионного комплекса в кремнии
В. Ф. Стельмах, В. П. Толстых, Л. В. Цвирко
|
1860–1863 |
|
|
Краевая электролюминесценция в $6H$-SiC
С. Ф. Авраменко, С. И. Бойко, О. А. Гусева, В. С. Киселев
|
1863–1864 |
|
|
Зависимость энергетического положения полосы резонансных состояний от
температуры и количества примесей в РbТе$\langle$Тl, Na$\rangle$
Т. Р. Машкова, С. А. Немов
|
1864–1867 |
|
|
Состояния типа « спинового стекла» в арсениде галлия
В. Ф. Мастеров, С. Б. Михрин, К. Ф. Штельмах
|
1867–1869 |
|
|
Времена релаксации двумерных связанных электронов в квантующем
магнитном поле
Ю. Б. Гребенщиков
|
1869–1871 |
|
|
Образование сгустков электронно-дырочной плазмы, разогретой
электрическим полем
В. В. Гафийчук, Б. С. Кернер, В. В. Осипов
|
1871–1874 |
|
|
О прохождении электромагнитного импульса в системе магнитополяронов
А. С. Киндяк, В. П. Грибковский
|
1874–1877 |
|
|
Нелинейные резонансные особенности электрических характеристик
сверхрешеток в условиях сильного межподзонного туннелирования электронов
Л. К. Орлов, Ю. А. Романов
|
1877–1881 |
|
|
Влияние давления на электрические свойства моносилицида железа
А. С. Панфилов
|
1881–1883 |
|
|
Влияние мощности дозы гамма-облучения на сдвиг порогового напряжения
МОП транзисторов
Ю. В. Баринов, Ф. Г. Гайсин, Р. Г. Усеинов, Н. Г. Чайковский
|
1883–1885 |
|
|
Проводимость вырожденного электронного газа в селективно легированных
гетероструктурах
В. И. Толстихин
|
1886–1889 |
|
|
Расчет изменений оптических параметров и электронной структуры при
гидрогенизации аморфного кремния
А. М. Грехов, В. М. Гунько
|
1889–1891 |
|
|
Расчет влияния разупорядочения на оптические константы аморфного
кремния
А. М. Грехов, В. М. Гунько
|
1892–1893 |
|
|
Основное состояние экранированного гелиеподобного примесного
комплекса
М. В. Иванов
|
1893–1895 |
|
|
$S$-ОДП в InSb при комнатной температуре
В. К. Малютенко, Ю. М. Малозовский, В. С. Радченко, В. Б. Сухоребрый
|
1895–1897 |
|
|
Механизмы пьезосопротивления в сильно легированных кристаллах
$n$-Ge при 4.2 K
П. И. Баранский, В. В. Коломоец, Ю. А. Охрименко
|
1898–1899 |
|
|
О полевом гашении остаточной проводимости
Н. А. Урманов, О. Хусаинов
|
1900–1901 |
|
|
Взаимодействие золота с примесными облаками в кремнии
А. В. Воронкова, В. П. Калинушкин, Т. М. Мурина, Н. С. Сысоева
|
1902–1904 |
|
|
Неустойчивость низкосимметричных центров люминесценции Yb$^{3+}$
и Pr$^{3+}$ в фосфиде галлия
В. А. Касаткин
|
1904–1905 |
|
|
Исследование концентрационной зависимости числа носителей заряда при
простом и сложном легировании антимонида индия кадмием и селеном
В. М. Глазов, Е. Б. Смирнова
|
1905–1908 |
|
|
Влияние зарядового состояния иттербия на проводимость
InP$\langle$Yb$\rangle$
В. А. Касаткин, В. Н. Романов
|
1908–1909 |
Обратная связь: