|
Широкозонные полупроводники
A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$: оптические
и фотоэлектрические свойства и перспективы применения (Обзор)
А. Н. Георгобиани, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну
|
193–212 |
|
|
Глубокие уровни в кремнии, связанные с марганцем
К. П. Абдурахманов, А. А. Лебедев, Й. Крейсль, Ш. Б. Утамурадова
|
213–216 |
|
|
Особенности донорно-акцепторной рекомбинации в слабо легированных
компенсированных полупроводниках
Л. Е. Стыс, М. Г. Фойгель
|
217–223 |
|
|
Кинетика донорно-акцепторной рекомбинации в слабо легированных
компенсированных полупроводниках
Л. Е. Стыс, М. Г. Фойгель
|
224–229 |
|
|
Особенности фотоэлектрических свойств барьерных структур
на основе кристаллов TlSbSe$_{2}$
И. Н. Гринчешен, Н. С. Попович
|
230–233 |
|
|
О локализации и термической устойчивости дефектов, обусловленных
лазерным облучением германия
П. К. Кашкаров, А. В. Петров
|
234–236 |
|
|
Флуктуационная модель перехода бесщелевой
полупроводник–полупроводник при всестороннем сжатии
Н. Н. Аблязов, М. Э. Райх
|
237–243 |
|
|
Спектры фотоионизации глубоких уровней в арсениде галлия, получаемом
жидкофазной эпитаксией
Б. А. Бобылев, В. А. Калухов, Х. -М. З. Торчинов, С. И. Чикичев
|
244–247 |
|
|
$g$-фактор носителей тока в твердых растворах типа
A$^{\text{IV}}_{1-x}$B$^{\text{IV}}_{x}$C$^{\text{VI}}$
А. И. Дмитриев, Г. В. Лашкарев, С. Д. Летюченко, В. Б. Орлецкий
|
248–251 |
|
|
Комбинационное рассеяние света в кристаллах арсенида галлия,
подвергнутых воздействию субнаносекундных лазерных импульсов
И. И. Решина, О. В. Смольский, А. Н. Васильев
|
252–256 |
|
|
ЭПР в кремнии, аморфизированном ионной имплантацией
А. А. Бугай, И. М. Зарицкий, А. А. Кончиц, В. С. Лысенко
|
257–262 |
|
|
Фототермомагнитный эффект и фотопроводимость в варизонных кристаллах
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в СВЧ диапазоне
Д. А. Кичигин, И. М. Раренко, Э. Б. Тальянский, Д. Д. Халамейда
|
263–267 |
|
|
Влияние состава твердых растворов Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te
на резонансные состояния таллия
В. И. Кайданов, С. А. Немов, А. М. Зайцев
|
268–271 |
|
|
Влияние катионных и анионных вакансий, состава, свободных носителей
заряда и температуры на диэлектрические свойства Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se
Ю. А. Браташевский, В. Д. Прозоровский, Б. П. Пырегов, И. Б. Решидова
|
272–275 |
|
|
Гетерофотоэлементы с низким значением обратного тока насыщения
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, С. И. Трошков
|
276–281 |
|
|
Зависимость края поглощения SnSe от гидростатического давления
Г. Р. Валюконис, Д. А. Гусейнова, Г. З. Кривайте, А. Ю. Шилейка
|
282–285 |
|
|
Фотолюминесценция варизонного полупроводника
при синусоидальной
модуляции интенсивности возбуждающего света
А. С. Волков
|
286–291 |
|
|
Структурно-чувствительные глубокие центры в слабо легированном GaAs
Ю. Н. Большева, В. В. Воронков, Р. И. Глориозова, Л. И. Колесник
|
292–295 |
|
|
Различие процессов образования дефектов под действием гамма-лучей
в $p$-кремнии при 6.5 и 78 K
В. В. Емцев, М. А. Маргарян, Т. В. Машовец
|
296–299 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Ионизационно-стимулированный механизм миграции примесей
в ионно-имплантированных полупроводниках
П. К. Хабибуллаев, М. С. Юнусов, Ш. Махкамов, Б. Л. Оксенгендлер, Ю. В. Пахаруков
|
300–302 |
|
|
Равновесные фононы в теории горячих электронов
В. С. Бочков, Т. С. Гредескул, Ю. Г. Гуревич
|
302–305 |
|
|
Вариационные оценки в термоэлектрических средах
А. А. Снарский, А. Е. Морозовский
|
305–307 |
|
|
Влияние последовательного сопротивления на вольт-емкостную
характеристику барьерных структур металл–органический полупроводник–металл
А. В. Ковальчук
|
307–310 |
|
|
Примесная фоточувствительность
$p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур, изготовленных из германия, компенсированного
никелем
С. Б. Бумялене, Л. А. Климка, А. Ю. Лейдерман
|
310–312 |
|
|
Фотоиндуцированный ЭПР в системе P$-$Se
Л. А. Байдаков, Л. Н. Блинов, И. Л. Лихолит, В. Ф. Мастеров
|
312–314 |
|
|
Логарифмические поправки к проводимости двумерной системы с сильным
спин-орбитальным взаимодействием
Г. М. Гусев, З. Д. Квон, И. Г. Неизвестный, В. Н. Овсюк
|
315–317 |
|
|
Особенности собственной экситонной рекомбинации в широкозонных
твердых растворах в системе In$-$Ga$-$P$-$As
О. Н. Ермаков
|
317–320 |
|
|
Амфотерное поведение Li в кристаллах CdTe
Н. В. Агринская
|
320–323 |
|
|
Низкотемпературная катодолюминесценция
GaP : Sb
О. Н. Ермаков, М. В. Чукичев
|
323–325 |
|
|
Люминесцентные свойства нитрида галлия, легированного цинком,
в модели неоднородного полупроводника
Я. Д. Лебедев, М. Д. Шагалов
|
326–328 |
|
|
Использование электрооптического эффекта для изучения области
пространственного заряда высоковольтных арсенид-галлиевых $p{-}n$-структур
В. И. Корольков, В. Н. Красавин, С. И. Пономарев, Г. И. Цвилев
|
328–331 |
|
|
Переход металл–диэлектрик в структурно разупорядоченном германии
М. Л. Кожух, Н. С. Липкина, И. С. Шлимак
|
331–333 |
|
|
Двумерный электронный газ с высокой подвижностью в специально
нелегированных гетероструктурах GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, выращенных
методом жидкофазной эпитаксии
В. А. Волков, Д. В. Галченков, И. М. Гродненский, М. И. Елинсон, О. Р. Матов, К. В. Старостин, О. В. Чернышева
|
333–336 |
|
|
Отрицательное смещение границы примесной фотопроводимости германия
с теллуром
Н. И. Астафьев, Б. И. Беглов, В. Н. Самойлова
|
336–338 |
|
|
Параметры глубоких уровней в Si$\langle$V$\rangle$
Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке
|
338–340 |
|
|
О влиянии термообработки на время жизни неосновных носителей тока
в кислородосодержащем кремнии
К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, З. А. Сальник, С. И. Скрыль
|
341–343 |
|
|
Осциллисторный эффект в кремнии
Г. Ф. Карлова, В. И. Гаман, Г. Ф. Караваев, Е. Г. Шумская
|
343–345 |
|
|
Малосигнальная дифференциальная проводимость двухдолинных
полупроводников
В. Б. Горфинкель, С. Г. Шофман
|
346–347 |
|
|
Исследование сколотой поверхности кремния методами СВЧ и оптического
отражения
А. Н. Белоконов, А. А. Галаев, В. А. Миляев, В. А. Никитин, Ю. Н. Пархоменко, А. В. Ширков
|
348 |
|
|
Исследование Fe в $n$-Si с помощью ЭПР и емкостных методов
К. П. Абдурахманов, Б. А. Котов, Й. Крейсль, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова
|
349–350 |
|
|
Люминесценция связанных экситонов в полупроводнике
TlGaS$_{2}$
Г. И. Абуталыбов, В. Ф. Агекян, А. А. Алиев, Э. Ю. Салаев, Ю. А. Степанов
|
351–353 |
|
|
Кинетика электролюминесценции иона иттербия в фосфиде индия
В. А. Касаткин, А. А. Лаврентьев, П. А. Родный
|
353–355 |
|
|
Оптические постоянные Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при ${\lambda=632.8}$ нм
Т. Е. Корсак, Н. П. Сысоева, Б. М. Аюпов, В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, Е. Ф. Титова
|
355–356 |
|
|
Поверхностно-барьерная неустойчивость тока в структурах с барьером
Шоттки на основе арсенида галлия
Б. С. Муравский, Г. П. Рубцов, В. Н. Черный
|
356–358 |
|
|
Низкотемпературная диффузия платины в пленках
$a$-Si : Н
В. О. Абрамов, Г. С. Куликов, Е. И. Теруков, К. Х. Ходжаев
|
358–360 |
|
|
Искажение электронной структуры вакансионных комплексов атомами
благородных газов в кремнии
А. В. Мудрый, А. Л. Пушкарчук, А. Г. Ульяшин
|
360–363 |
Обратная связь: