|
К 40-летию великой Победы
|
785–787 |
|
|
Температурная зависимость (${4.2\div300}$ K) резонансных энергий
экситонных переходов в монокристаллах A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$
К. А. Дмитренко, Л. В. Тараненко, С. Г. Шевель, А. В. Маринченко
|
788–794 |
|
|
Катодолюминесценция кубического нитрида бора
В. Д. Ткачев, В. Б. Шипило, А. М. Зайцев
|
795–798 |
|
|
Влияние рассеяния туннелирующего электрона на прыжковую проводимость
с переменной длиной прыжка
Б. З. Спивак, В. А. Харченко, Б. И. Шкловский
|
799–806 |
|
|
Влияние разогрева носителей заряда на вид вольтамперной
характеристики $p{-}n$-перехода германия
С. П. Ашмонтас, А. П. Олекас, Э. И. Ширмулис
|
807–809 |
|
|
Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида
индия
А. Н. Георгобиани, В. П. Калинушкин, А. В. Микуленок, Д. И. Мурин, А. М. Прохоров, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки
|
810–813 |
|
|
Ударная ионизация в политипах карбида кремния
Ю. А. Водаков, Д. П. Литвин, В. И. Санкин, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков
|
814–818 |
|
|
Кинетика приведения кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в равновесие
с парами ртути
В. В. Богобоящий, А. И. Елизаров, В. И. Иванов-Омский, В. Р. Петренко, В. А. Петряков
|
819–824 |
|
|
Исследование варизонных структур на основе Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te
О. А. Александрова, М. И. Камчатка, М. С. Миропольский
|
825–830 |
|
|
Емкостная спектроскопия радиационных дефектов, образующихся
в переходном слое Si$-$SiO$_{2}$ при катодном напылении
А. А. Лебедев, В. Экке
|
831–835 |
|
|
Эффект надбарьерной фотоэмиссии электронов в спектрах фотоотклика
гетероперехода $n$-CdS${-}n$-CdSe
В. И. Поляков, М. Г. Ермаков, П. И. Перов
|
836–841 |
|
|
Зонная структура и спектр отражения
ZnSiP$_{2}$
Н. А. Захаров, В. А. Чалдышев
|
842–847 |
|
|
Прыжковая электропроводность на переменном токе ковалентных
полупроводников с глубокими дефектами
Б. В. Климкович, Н. А. Поклонский, В. Ф. Стельмах
|
848–852 |
|
|
Температурная зависимость прыжковой электропроводности
на переменном токе слабо компенсированных полупроводников
Б. В. Климкович, Н. А. Поклонский, В. Ф. Стельмах
|
853–857 |
|
|
О прохождении тока через дислокационный барьер
З. А. Велиев, В. Б. Шикин
|
858–863 |
|
|
Поперечная фотоэдс, возникающая в германии при экстремальных уровнях
лазерного возбуждения
С. И. Козловский, М. Д. Моин
|
864–868 |
|
|
Исследование спин-зависимой рекомбинации в пленках
КНС
Ф. И. Борисов, Ю. В. Воробьев, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов
|
869–873 |
|
|
Некоторые особенности статической вольтамперной характеристики
$p^{+}{-}\pi{-}p^{+}$-структуры
А. И. Лукьянченко, Г. И. Орешкин, Е. А. Фетисов, ХафизовРаш.~З., ХафизовРен.~З.
|
874–877 |
|
|
Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе
гетероструктуры
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, А. В. Рожков, В. С. Юферев
|
878–884 |
|
|
Влияние давления на электрические свойства монокристаллов
$p$-TlInSe$_{2}$
Г. Д. Гусейнов, А. У. Мальсагов, А. Х. Матиев, С. Х. Умаров, Э. Г. Абдуллаев, М. Л. Шубников
|
885–887 |
|
|
Фотоактивность сплавных контактов олово–германий в инфракрасной
области спектра
И. Я. Мармур, Я. А. Оксман
|
888–892 |
|
|
Исследование полосы фотолюминесценции с максимумом около
1.3 эВ в GaAs : Те : Сu пьезоспектроскопическим методом
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, А. А. Исаков, Э. М. Магеррамов, В. Е. Седов
|
893–898 |
|
|
Фотоэффект в варизонной $p{-}n$-структуре при излучательной
рекомбинации зона–примесь
А. С. Волков, Г. В. Царенков
|
899–904 |
|
|
Многозначная анизотропия многодолинных полупроводников с учетом
металлических контактов
З. С. Грибников
|
905–912 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
О тензочувствительности локально деформированных неоднородных
полупроводниковых структур
Э. Г. Меликян
|
913–915 |
|
|
Влияние водорода на концентрацию центров с глубокими уровнями
в кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
А. И. Евстигнеев, В. Ф. Кулешов, Г. А. Лубочкова, М. В. Пашковский, Е. Б. Якимов
|
915–916 |
|
|
Емкостная спектроскопия глубоких уровней
(ГУ) в $n$-Si(Cr)
Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке
|
917–919 |
|
|
Фотопроводимость кремния, легированного селеном
Е. В. Астрова, И. Б. Большаков, А. А. Лебедев, О. А. Михно
|
919–922 |
|
|
Особенности изменения низкотемпературной проводимости инверсионных
слоев у поверхности кремния в греющих полях
Е. М. Лапидус, Е. А. Выговская, А. А. Галаев
|
922–925 |
|
|
Теория глубоких заряженных примесных центров
А. А. Клочихин, С. Г. Оглоблин
|
926–929 |
|
|
О достижении «безджоулевого» режима работы неоднородного
термоэлемента
М. А. Коржуев, В. Ф. Бавкина, Н. Х. Абрикосов
|
929–930 |
|
|
Исследование локализованных состояний в запрещенной зоне триселенида
мышьяка методом инжекционных токов
Б. С. Вакаров, Л. Е. Стыс, М. Г. Фойгель, Л. В. Цыбесков
|
931–933 |
|
|
Эффективность люминесценции в компенсированном арсениде галлия
В. Л. Королев, В. В. Россин, В. Г. Сидоров, Ю. К. Шалабутов
|
934–936 |
|
|
Объемно-концентрационный эффект
М. И. Даунов, А. Б. Магомедов, А. Э. Рамазанова
|
936–938 |
|
|
Определение объемного времени жизни и диффузионной длины
в полупроводнике МДП структур
В. Д. Усиков
|
939–941 |
|
|
О природе разновалентных состояний примесей IV группы
в халькогенидах свинца
Л. В. Прокофьева, А. Н. Вейс
|
941–944 |
|
|
Низкотемпературное тепловое расширение аморфных полупроводников
В. Г. Карпов
|
944–946 |
|
|
Отрицательное пьезосопротивление в трансмутационно-легированных
кристаллах $n$-Si при одноосной упругой деформации
П. И. Баранский, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко
|
947–949 |
|
|
Химическая активность атомов инертных газов в алмазе и эффект
«давления матрицы»
В. Д. Ткачев, А. М. Зайцев, В. В. Ткачев
|
949–952 |
|
|
Накопление точечных дефектов в кремнии, содержащем трансформированные
отжигом разупорядоченные области
А. В. Васильев, С. А. Смагулова, С. С. Шаймеев
|
952–955 |
|
|
О форме линий осцилляций Шубникова–де-Гааза в Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Se
И. И. Ляпилин, А. И. Пономарев, В. В. Карягин, А. Б. Золотовицкий
|
955–959 |
|
|
Инверсия знака постоянной Холла в $p$-Ge вследствие влияния эффекта
эксклюзии
К. М. Алиев
|
960–961 |
|
|
Нелинейная эволюция лазерного излучения и полупроводниковой плазмы
А. Б. Романов, М. А. Савченко, И. В. Щербаков
|
962–964 |
|
|
О возможности $S$-образной ВАХ селективно-легированных
полупроводников, обусловленной пространственным перераспределением
носителей
В. И. Толстихин
|
965–968 |
|
|
О термоэлектрических свойствах поликристаллов
Б. Я. Балагуров
|
968–970 |
|
|
Юбилеи и даты
|
|
|
Анатолий Робертович Регель (к 70-летию со дня рождения)
|
971–973 |
Обратная связь: