|
|
1987, том 21, выпуск 6
|
 |
|
 |
|
Распределение электропроводности в окрестности границы твердофазного
сращивания $p{-}n$-бикристаллов
В. Р. Регель, Е. А. Степанцов, А. Я. Цаленчук, М. Е. Кишнева, А. Б. Барбой, А. Б. Товмасян, А. Л. Васильев
|
977–980 |
|
|
Электрические и фотоэлектрические свойства
$n^{+}{-}n^{0}{-}n^{+}$-структур на основе GaAs с металлической сеткой
в $n^{0}$-области
Ж. И. Алфров, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич
|
981–983 |
|
|
Дальнодействующее ускорение комплексообразования железа
или хрома
с бором в кремнии при ионной имплантации аргона
П. В. Павлов, Е. С. Демидов, Г. В. Зорина
|
984–988 |
|
|
Исследование внутренней структуры фоточувствительных
поликристаллических пленок сульфида свинца с помощью вакуумного прогрева
Л. Н. Неустроен, К. Э. Онаркулов, В. В. Осипов
|
989–995 |
|
|
Уровни термодоноров в кремнии в условиях одноосной упругой
деформации
В. М. Бабич, Ю. П. Доценко, К. И. Зотов, В. Б. Ковальчук
|
996–1000 |
|
|
Двумерная проводимость в InSe при низких температурах
Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, З. Д. Ковалюк, Г. В. Лашкарев
|
1001–1004 |
|
|
Нелинейное поглощение субмиллиметрового излучения в германии,
обусловленное разогревом носителей заряда светом
Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, К. Ю. Глух, И. Д. Ярошецкий
|
1005–1010 |
|
|
Внутризонная фотопроводимость, обусловленная легкими дырками
и разогревом носителей в $p$-Ge при субмиллиметровом лазерном возбуждении
С. Д. Ганичев, С. А. Емельянов, И. Д. Ярошецкий
|
1011–1015 |
|
|
Излучательная рекомбинация одноосно деформированных монокристаллов
ZnP$_{2}$ и CdP$_{2}$
В. С. Вавилов, В. С. Коваль, П. А. Романык, Н. В. Стучинская, К. Хакимов, Г. П. Чуйко, М. В. Чукичев
|
1016–1020 |
|
|
Влияние поверхностной проводимости на гальваномагнитные эффекты
в $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
О. Г. Балев, П. И. Баранский, Г. В. Бекетов, Р. М. Винецкий, О. П. Городничий
|
1021–1025 |
|
|
Энергии миграций междоузельных $d$-примесей в кремнии
В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров
|
1026–1029 |
|
|
Вероятность междолинных ${\Gamma\to L}$-переходов в кристаллах
арсенида галлия
И. Я. Карлик, Д. Н. Мирлин, В. Ф. Сапега
|
1030–1032 |
|
|
Разогрев дырок в электрическом поле в кремнии, легированном бором,
при одноосном сжатии
В. П. Синис
|
1033–1038 |
|
|
Емкостная спектроскопия глубоких центров
Сu, Аu, Ag и Ni в германии
И. М. Котина, В. В. Курятков, С. Р. Новиков, Т. И. Пирожкова
|
1039–1043 |
|
|
Влияние междолинного перезаселения электронов
на фотомагнитный эффект
в кремнии
Б. К. Сердега, Л. В. Шеховцов
|
1044–1046 |
|
|
Фотоэлектрические характеристики гетероструктуры
In$_{2}$O$_{3}{-}$SiO$_{2}{-}n$-Si с внутренним усилением фототока
В. А. Манассон, В. Б. Баранюк, К. Д. Товстюк
|
1047–1050 |
|
|
Диоды Шоттки на магнитных полупроводниках
MnIn$_{2}$Te и MnGa$_{2}$Te$_{4}$
Р. Н. Бекимбетов, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров
|
1051–1053 |
|
|
Спектральная зависимость вероятности рождения долгоживущего электрона
в Pb$_{0.78}$Sn$_{0.22}$Te$\langle$In$\rangle$
Б. М. Вул, С. П. Гришечкина, Т. Ш. Рагимова
|
1054–1059 |
|
|
Переход проводимости металл–диэлектрик–металл в бесщелевом
полупроводнике Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, индуцированный одноосной деформацией
С. Г. Гасан-заде, В. А. Ромака, Г. А. Шепельский
|
1060–1063 |
|
|
Особенности вольтфарадных характеристик варизонных МДП структур
И. В. Варламов, Л. А. Вьюков
|
1064–1067 |
|
|
Диэлектрическая проницаемость одноосно деформированного
полупроводника с вырожденными зонами
Е. В. Баханова, Ф. Т. Васько
|
1068–1074 |
|
|
Образование электронных ловушек в $n$-InP при облучении
$\gamma$-квантами
Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз
|
1075–1078 |
|
|
Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев
и $p{-}n$-структур на
основе In$_{1-x}$Ga$_{x}$As
(${0 < x < 0.23}$)
Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, Ю. Ю. Билинец
|
1079–1084 |
|
|
Влияние насыщения усиления и квантово-размерных эффектов
на пороговые характеристики лазеров с супертонкими активными областями
Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин
|
1085–1094 |
|
|
Дефектообразование в синтетическом алмазе при высокоэнергетичной
ионной имплантации
В. С. Вариченко, Е. Д. Воробьев, А. М. Зайцев, В. А. Лаптев, М. И. Самойлович, В. А. Скуратов, В. Ф. Стельмах
|
1095–1100 |
|
|
Катодолюминесценция радиационных дефектов в кубическом нитриде бора
А. М. Зайцев, А. А. Мельников, В. Ф. Стельмах
|
1101–1105 |
|
|
Влияние ближнего расслоения на магнитные свойства твердых растворов
Pb$_{1-x}$Mn$_{x}$Te
Д. Г. Андрианов, В. Д. Кузнецов, С. О. Климонский, А. А. Бурдакин
|
1106–1111 |
|
|
Электронная теплоемкость в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te вблизи перехода
металл–диэлектрик в магнитном поле
Б. А. Аронзон, А. В. Копылов, Е. З. Мейлихов
|
1112–1117 |
|
|
Влияние изовалентного легирования индием на
« природные» акцепторы в антимониде галлия
Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова
|
1118–1124 |
|
|
Температурная зависимость кинетики парной рекомбинации в аморфных
полупроводниках
В. И. Архипов, В. Р. Никитенко, А. И. Руденко
|
1125–1132 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Спектры токовых релаксаций в эпитаксиальных $p{-}i{-}n$-структурах
GaAs$\langle$Cr$\rangle$
Б. А. Бобылев, Е. Х. Хайри, С. И. Чинкичев
|
1133–1135 |
|
|
Скорость образования $A$-центров и дивакансий в $n$-кремнии при
электронном облучении
Н. В. Колесников, В. Н. Ломасов, С. Е. Мальханов
|
1136–1138 |
|
|
Столкновительное уширение оптических спектров и его связь
с подвижностью
А. М. Евстигнеев, П. А. Генцар, С. А. Груша, Р. В. Конакова, А. Н. Красико, О. В. Снитко, Ю. А. Тхорик
|
1138–1141 |
|
|
Стимулированное излучение при электронном возбуждении кристаллов
дифосфида цинка моноклинной модификации
К. Хакимов, В. С. Вавилов, Л. А. Битюцкая, Е. Н. Бормонтов, М. В. Чукичев
|
1141–1143 |
|
|
Эффект поля на бесщелевом полупроводнике
А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов, А. Д. Перепелкин
|
1144–1147 |
|
|
О влиянии флуктуаций плотности на низкотемпературную кинетику
бимолекулярной рекомбинации
М. Г. Фойгель
|
1147–1148 |
|
|
Обратная связь: