Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
General information
Latest issue
Archive

Search papers
Search references

RSS
Latest issue
Current issues
Archive issues
What is RSS



Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov:
Year:
Volume:
Issue:
Page:
Find






Personal entry:
Login:
Password:
Save password
Enter
Forgotten password?
Register


1988, Volume 22, Issue 11  


Квантовые ямы, обусловленные неоднородным магнитным полем
P. P. Vilms, M. V. Èntin
1905–1909
Структура распределения горячих дырок германия в условиях стриминга
V. Ya. Aleshkin, E. P. Dodin, V. A. Kozlov, I. M. Nefedov, Yu. A. Romanov
1910–1914
Спектральные характеристики светодиодов Au$-$ZnS
N. V. Gorbenko, M. A. Tanatar, M. K. Sheĭnkman, I. A. Yurchenko
1915–1918
Оптические свойства MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и MnGa$_{2}$Te$_{4}$
S. Martsinkyavichus, G. Ambrazyavichyus, R. N. Bekimbetov, G. A. Medvedkin
1919–1923
Циклотронная акустоэлектронная генерация в $n$-InSb в «бесстолкновительном» режиме взаимодействия
V. S. Veretin, G. D. Mansfel'd
1924–1928
Исследование электронных свойств соединения Bi$_{2}$Se$_{3}$ в твердом и жидком состояниях
V. M. Glazov, A. I. Faradzhov
1929–1935
Фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP
M. V. Karachevtseva, V. A. Strakhov, N. G. Yaremenko
1936–1942
Исследование поглощения звука в жидком германии
V. M. Glazov, S. G. Kim, T. Suleimenov
1943–1947
Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии
L. V. Golubev, A. M. Kreschuk, S. V. Novikov, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, I. I. Saidashev
1948–1954
Вольтамперные характеристики слоев обогащения с горячими носителями тока
Yu. G. Gurevich, O. L. Mashkevich, V. B. Yurchenko
1955–1960
Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar$^{+}$
V. V. Artamonov, M. Ya. Valakh, M. P. Lisitsa, V. G. Litovchenko, B. N. Romanyuk, I. V. Rudskoi, V. V. Strelchuk
1961–1966
Энергетический спектр локализованных $D$-состояний в легированных образцах $a$-Si : Н
L. A. Balagurov, È. M. Omel'yanovskii, K. K. Primbetov, M. N. Starikov
1967–1971
$N$-образность ВАХ кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ полях
A. I. Veinger
1972–1978
Влияние локализованных состояний в барьере на флуктуационный туннельный ток через контакт металл–полупроводник
M. È. Raikh, I. M. Ruzin, B. I. Shklovskii
1979–1985
Растекание тока в фоточувствительной среде с примесной фотопроводимостью
L. A. Vinokurov, B. I. Fuks
1986–1993
Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки Ge$-$Ge$_{1-x}\text{Si}_{x}$
L. K. Orlov, O. A. Kuznetsov
1994–2000
Электрические свойства кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ полях
N. A. Ablyazimova, A. I. Veinger, V. S. Pitanov
2001–2007
Рассеяние двумерных носителей тока на отдаленной кулоновской примеси
I. A. Larkin
2008–2013
Подавление динамического эффекта Бурштейна–Мосса оже-разогревом и безрезонаторная оптическая бистабильность в InGaAsP
V. D. Pischalko, V. I. Tolstikhin
2014–2018
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
S. M. Badalyan, I. B. Levinson
2019–2024
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
O. V. Konstantinov, O. A. Mezrin
2025–2034
Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs при термообработках
A. V. Kartavykh, E. S. Yurova, M. G. Mil'vidskii, S. P. Grishina, I. A. Kovalchuk
2035–2038
Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по емкостным измерениям
V. M. Andreev, V. K. Eremin, N. V. Strokan, E. V. Shokina
2039–2042
Особенности явления самокомпенсации в $\text{PbTe}\langle\text{Tl,Pb}_{\text{изб}}\rangle$
M. K. Zhitinskaya, V. I. Kaidanov, S. A. Nemov, L. A. Afanaseva
2043–2045
Многофотонное электропоглощение в полупроводниках с вырожденной валентной зоной
B. S. Monozon, A. N. Selezneva
2046–2050
Свойства автосолитонов в «плотной» электронно-дырочной плазме
V. V. Gafjjchuk, B. S. Kerner, V. V. Osipov, A. G. Yuzhanin
2051–2058
Расчет зонной структуры германия с использованием фиктивных сфер
E. S. Alexeev, L. B. Litinskii, A. I. Likhter
2059–2062

Short Notes
Атермическая роль скорости набора дозы в кинетике дефектообразования при имплантации ионов фосфора в кремний
A. P. Arzamastsev, A. B. Danilin
2063–2065
Влияние резонансных нейтронов на характеристики трансмутационно легированного германия
A. G. Beda, F. M. Vorobkalo, V. V. Vainberg, L. I. Zarubin, J. M. Lazebnik, V. V. Ovcharov
2065–2068
Особенности рассеяния дырок в синтетических алмазах в греющих электрических полях
P. I. Baransky, D. V. Sokolyuk, V. I. Torishnii, G. V. Chipenko
2069–2071
Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов при электронном и $\gamma$-облучении кремния
P. F. Lugakov, T. A. Lukashevich
2071–2073
О проводимости макроскопически неоднородных полупроводниковых пленок вблизи порога протекания в наклонном магнитном поле
A. A. Snarskii
2073–2077
Эффект увлечения при трехфотонном поглощении света в кристаллах типа германия
R. Ya. Rasulov
2077–2080
Слабое поглощение миллиметровых волн и прыжковая проводимость в слабо легированном кремнии
M. L. Gorodetsky, V. S. Ilchenko, S. E. Saava
2080–2083
Об «очистке» арсенида галлия висмутом
N. A. Yakusheva, K. S. Zhuravlev, O. A. Shegai
2083–2086
О возможности обнаружения остаточных дефектов в ионно-легированных слоях кремния с помощью наблюдения диффузии имплантированных атомов натрия
V. M. Korol
2086–2088
Диффузия фосфора в профилированном кремнии, полученном способом А. В.  Степанова
K. P. Abdurakhmanov, M. B. Zaks, V. V. Kasatkin, G. S. Kulikov, S. K. Persheev, K. Kh. Khodzhaev
2088–2090
Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной потенциальной яме
A. A. Kal'fa, A. B. Pashkovskii
2090–2092
Двойное модифицирование стеклообразного селенида мышьяка
V. L. Averyanov, T. K. Zvonareva, V. M. Lyubin, N. V. Nortseva, B. V. Pavlov, S. S. Sarsembinov, K. D. Tsendin
2093–2094
Прыжковый перенос фотовозбужденных носителей в тонких пленках неупорядоченных полупроводников
N. V. Zykov
2095–2097
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
 
  Contact us:
 Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2026