|
Квантовые ямы, обусловленные неоднородным магнитным полем P. P. Vilms, M. V. Èntin
|
1905–1909 |
|
Структура распределения горячих дырок германия в условиях стриминга V. Ya. Aleshkin, E. P. Dodin, V. A. Kozlov, I. M. Nefedov, Yu. A. Romanov
|
1910–1914 |
|
Спектральные характеристики светодиодов
Au$-$ZnS N. V. Gorbenko, M. A. Tanatar, M. K. Sheĭnkman, I. A. Yurchenko
|
1915–1918 |
|
Оптические свойства MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и MnGa$_{2}$Te$_{4}$ S. Martsinkyavichus, G. Ambrazyavichyus, R. N. Bekimbetov, G. A. Medvedkin
|
1919–1923 |
|
Циклотронная акустоэлектронная генерация в $n$-InSb
в «бесстолкновительном» режиме взаимодействия V. S. Veretin, G. D. Mansfel'd
|
1924–1928 |
|
Исследование электронных свойств соединения
Bi$_{2}$Se$_{3}$ в твердом и жидком состояниях V. M. Glazov, A. I. Faradzhov
|
1929–1935 |
|
Фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур
InGaAsP/InP M. V. Karachevtseva, V. A. Strakhov, N. G. Yaremenko
|
1936–1942 |
|
Исследование поглощения звука в жидком германии V. M. Glazov, S. G. Kim, T. Suleimenov
|
1943–1947 |
|
Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом
стандартной жидкофазной эпитаксии L. V. Golubev, A. M. Kreschuk, S. V. Novikov, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, I. I. Saidashev
|
1948–1954 |
|
Вольтамперные характеристики слоев обогащения с горячими носителями
тока Yu. G. Gurevich, O. L. Mashkevich, V. B. Yurchenko
|
1955–1960 |
|
Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной
имплантации Ar$^{+}$ V. V. Artamonov, M. Ya. Valakh, M. P. Lisitsa, V. G. Litovchenko, B. N. Romanyuk, I. V. Rudskoi, V. V. Strelchuk
|
1961–1966 |
|
Энергетический спектр локализованных $D$-состояний в легированных
образцах $a$-Si : Н L. A. Balagurov, È. M. Omel'yanovskii, K. K. Primbetov, M. N. Starikov
|
1967–1971 |
|
$N$-образность ВАХ кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ полях A. I. Veinger
|
1972–1978 |
|
Влияние локализованных состояний в барьере на флуктуационный
туннельный ток через контакт металл–полупроводник M. È. Raikh, I. M. Ruzin, B. I. Shklovskii
|
1979–1985 |
|
Растекание тока в фоточувствительной среде с примесной
фотопроводимостью L. A. Vinokurov, B. I. Fuks
|
1986–1993 |
|
Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки
Ge$-$Ge$_{1-x}\text{Si}_{x}$ L. K. Orlov, O. A. Kuznetsov
|
1994–2000 |
|
Электрические свойства кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ
полях N. A. Ablyazimova, A. I. Veinger, V. S. Pitanov
|
2001–2007 |
|
Рассеяние двумерных носителей тока на отдаленной кулоновской примеси I. A. Larkin
|
2008–2013 |
|
Подавление динамического эффекта Бурштейна–Мосса оже-разогревом и
безрезонаторная оптическая бистабильность в InGaAsP V. D. Pischalko, V. I. Tolstikhin
|
2014–2018 |
|
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе S. M. Badalyan, I. B. Levinson
|
2019–2024 |
|
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном
гетеротранзисторе с тонкой базой O. V. Konstantinov, O. A. Mezrin
|
2025–2034 |
|
Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs
при термообработках A. V. Kartavykh, E. S. Yurova, M. G. Mil'vidskii, S. P. Grishina, I. A. Kovalchuk
|
2035–2038 |
|
Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по
емкостным измерениям V. M. Andreev, V. K. Eremin, N. V. Strokan, E. V. Shokina
|
2039–2042 |
|
Особенности явления самокомпенсации
в $\text{PbTe}\langle\text{Tl,Pb}_{\text{изб}}\rangle$ M. K. Zhitinskaya, V. I. Kaidanov, S. A. Nemov, L. A. Afanaseva
|
2043–2045 |
|
Многофотонное электропоглощение в полупроводниках с вырожденной
валентной зоной B. S. Monozon, A. N. Selezneva
|
2046–2050 |
|
Свойства автосолитонов в «плотной» электронно-дырочной
плазме V. V. Gafjjchuk, B. S. Kerner, V. V. Osipov, A. G. Yuzhanin
|
2051–2058 |
|
Расчет зонной структуры германия с использованием фиктивных сфер E. S. Alexeev, L. B. Litinskii, A. I. Likhter
|
2059–2062 |
|
|
Short Notes
|
|
Атермическая роль скорости набора дозы в кинетике дефектообразования
при имплантации ионов фосфора в кремний A. P. Arzamastsev, A. B. Danilin
|
2063–2065 |
|
Влияние резонансных нейтронов на характеристики трансмутационно
легированного германия A. G. Beda, F. M. Vorobkalo, V. V. Vainberg, L. I. Zarubin, J. M. Lazebnik, V. V. Ovcharov
|
2065–2068 |
|
Особенности рассеяния дырок в синтетических алмазах в греющих
электрических полях P. I. Baransky, D. V. Sokolyuk, V. I. Torishnii, G. V. Chipenko
|
2069–2071 |
|
Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов
при электронном и $\gamma$-облучении кремния P. F. Lugakov, T. A. Lukashevich
|
2071–2073 |
|
О проводимости макроскопически неоднородных полупроводниковых пленок
вблизи порога протекания в наклонном магнитном поле A. A. Snarskii
|
2073–2077 |
|
Эффект увлечения при трехфотонном поглощении света в кристаллах типа
германия R. Ya. Rasulov
|
2077–2080 |
|
Слабое поглощение миллиметровых волн и прыжковая проводимость в слабо
легированном кремнии M. L. Gorodetsky, V. S. Ilchenko, S. E. Saava
|
2080–2083 |
|
Об «очистке» арсенида галлия висмутом N. A. Yakusheva, K. S. Zhuravlev, O. A. Shegai
|
2083–2086 |
|
О возможности обнаружения остаточных дефектов в ионно-легированных
слоях кремния с помощью наблюдения диффузии имплантированных атомов натрия V. M. Korol
|
2086–2088 |
|
Диффузия фосфора в профилированном кремнии, полученном способом
А. В. Степанова K. P. Abdurakhmanov, M. B. Zaks, V. V. Kasatkin, G. S. Kulikov, S. K. Persheev, K. Kh. Khodzhaev
|
2088–2090 |
|
Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной
потенциальной яме A. A. Kal'fa, A. B. Pashkovskii
|
2090–2092 |
|
Двойное модифицирование стеклообразного селенида мышьяка V. L. Averyanov, T. K. Zvonareva, V. M. Lyubin, N. V. Nortseva, B. V. Pavlov, S. S. Sarsembinov, K. D. Tsendin
|
2093–2094 |
|
Прыжковый перенос фотовозбужденных носителей в тонких пленках
неупорядоченных полупроводников N. V. Zykov
|
2095–2097 |