|
Квантовые ямы, обусловленные неоднородным магнитным полем
П. П. Вильмс, М. В. Энтин
|
1905–1909 |
|
|
Структура распределения горячих дырок германия в условиях стриминга
В. Я. Алешкин, Е. П. Додин, В. А. Козлов, И. М. Нефедов, Ю. А. Романов
|
1910–1914 |
|
|
Спектральные характеристики светодиодов
Au$-$ZnS
Н. В. Горбенко, М. А. Танатар, М. К. Шейнкман, И. А. Юрченко
|
1915–1918 |
|
|
Оптические свойства MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и MnGa$_{2}$Te$_{4}$
С. Марцинкявичюс, Г. Амбразявичюс, Р. Н. Бекимбетов, Г. А. Медведкин
|
1919–1923 |
|
|
Циклотронная акустоэлектронная генерация в $n$-InSb
в «бесстолкновительном» режиме взаимодействия
В. С. Веретин, Г. Д. Мансфельд
|
1924–1928 |
|
|
Исследование электронных свойств соединения
Bi$_{2}$Se$_{3}$ в твердом и жидком состояниях
В. М. Глазов, А. И. Фараджов
|
1929–1935 |
|
|
Фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур
InGaAsP/InP
М. В. Карачевцева, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко
|
1936–1942 |
|
|
Исследование поглощения звука в жидком германии
В. М. Глазов, С. Г. Ким, Т. Сулейменов
|
1943–1947 |
|
|
Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом
стандартной жидкофазной эпитаксии
Л. В. Голубев, А. М. Крещук, С. В. Новиков, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев
|
1948–1954 |
|
|
Вольтамперные характеристики слоев обогащения с горячими носителями
тока
Ю. Г. Гуревич, О. Л. Машкевич, В. Б. Юрченко
|
1955–1960 |
|
|
Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной
имплантации Ar$^{+}$
В. В. Артамонов, М. Я. Валах, М. П. Лисица, В. Г. Литовченко, Б. Н. Романюк, И. В. Рудской, В. В. Стрельчук
|
1961–1966 |
|
|
Энергетический спектр локализованных $D$-состояний в легированных
образцах $a$-Si : Н
Л. А. Балагуров, Э. М. Омельяновский, К. К. Примбетов, М. Н. Стариков
|
1967–1971 |
|
|
$N$-образность ВАХ кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ полях
А. И. Вейнгер
|
1972–1978 |
|
|
Влияние локализованных состояний в барьере на флуктуационный
туннельный ток через контакт металл–полупроводник
М. Э. Райх, И. М. Рузин, Б. И. Шкловский
|
1979–1985 |
|
|
Растекание тока в фоточувствительной среде с примесной
фотопроводимостью
Л. А. Винокуров, Б. И. Фукс
|
1986–1993 |
|
|
Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки
Ge$-$Ge$_{1-x}\text{Si}_{x}$
Л. К. Орлов, О. А. Кузнецов
|
1994–2000 |
|
|
Электрические свойства кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ
полях
Н. А. Аблязимова, А. И. Вейнгер, В. С. Питанов
|
2001–2007 |
|
|
Рассеяние двумерных носителей тока на отдаленной кулоновской примеси
И. А. Ларкин
|
2008–2013 |
|
|
Подавление динамического эффекта Бурштейна–Мосса оже-разогревом и
безрезонаторная оптическая бистабильность в InGaAsP
В. Д. Пищалко, В. И. Толстихин
|
2014–2018 |
|
|
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
С. М. Бадалян, И. Б. Левинсон
|
2019–2024 |
|
|
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном
гетеротранзисторе с тонкой базой
О. В. Константинов, О. А. Мезрин
|
2025–2034 |
|
|
Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs
при термообработках
А. В. Картавых, Е. С. Юрова, М. Г. Мильвидский, С. П. Гришина, И. А. Ковальчук
|
2035–2038 |
|
|
Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по
емкостным измерениям
В. М. Андреев, В. К. Еремин, Н. В. Строкан, Е. В. Шокина
|
2039–2042 |
|
|
Особенности явления самокомпенсации
в $\text{PbTe}\langle\text{Tl,Pb}_{\text{изб}}\rangle$
М. К. Житинская, В. И. Кайданов, С. А. Немов, Л. А. Афанасьева
|
2043–2045 |
|
|
Многофотонное электропоглощение в полупроводниках с вырожденной
валентной зоной
Б. С. Монозон, А. Н. Селезнева
|
2046–2050 |
|
|
Свойства автосолитонов в «плотной» электронно-дырочной
плазме
В. В. Гафийчук, Б. С. Кернер, В. В. Осипов, А. Г. Южанин
|
2051–2058 |
|
|
Расчет зонной структуры германия с использованием фиктивных сфер
Е. С. Алексеев, Л. Б. Литинский, А. И. Лихтер
|
2059–2062 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Атермическая роль скорости набора дозы в кинетике дефектообразования
при имплантации ионов фосфора в кремний
А. П. Арзамасцев, А. Б. Данилин
|
2063–2065 |
|
|
Влияние резонансных нейтронов на характеристики трансмутационно
легированного германия
А. Г. Беда, Ф. М. Воробкало, В. В. Вайнберг, Л. И. Зарубин, И. М. Лазебник, В. В. Овчаров
|
2065–2068 |
|
|
Особенности рассеяния дырок в синтетических алмазах в греющих
электрических полях
П. И. Баранский, Д. В. Соколюк, В. И. Торишний, Г. В. Чипенко
|
2069–2071 |
|
|
Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов
при электронном и $\gamma$-облучении кремния
П. Ф. Лугаков, Т. А. Лукашевич
|
2071–2073 |
|
|
О проводимости макроскопически неоднородных полупроводниковых пленок
вблизи порога протекания в наклонном магнитном поле
А. А. Снарский
|
2073–2077 |
|
|
Эффект увлечения при трехфотонном поглощении света в кристаллах типа
германия
Р. Я. Расулов
|
2077–2080 |
|
|
Слабое поглощение миллиметровых волн и прыжковая проводимость в слабо
легированном кремнии
М. Л. Городецкий, В. С. Ильченко, С. Э. Саава
|
2080–2083 |
|
|
Об «очистке» арсенида галлия висмутом
Н. А. Якушева, К. С. Журавлев, О. А. Шегай
|
2083–2086 |
|
|
О возможности обнаружения остаточных дефектов в ионно-легированных
слоях кремния с помощью наблюдения диффузии имплантированных атомов натрия
В. М. Король
|
2086–2088 |
|
|
Диффузия фосфора в профилированном кремнии, полученном способом
А. В. Степанова
К. П. Абдурахманов, М. Б. Закс, В. В. Касаткин, Г. С. Куликов, С. К. Першеев, К. Х. Ходжаев
|
2088–2090 |
|
|
Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной
потенциальной яме
А. А. Кальфа, А. Б. Пашковский
|
2090–2092 |
|
|
Двойное модифицирование стеклообразного селенида мышьяка
В. Л. Аверьянов, Т. К. Звонарева, В. М. Любин, Н. В. Норцева, Б. В. Павлов, Ш. Ш. Сарсембинов, К. Д. Цэндин
|
2093–2094 |
|
|
Прыжковый перенос фотовозбужденных носителей в тонких пленках
неупорядоченных полупроводников
Н. В. Зыков
|
2095–2097 |
Обратная связь: