|
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических
кристаллах $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$
Г. Е. Пикус, В. А. Марущак, А. Н. Титков
|
185–200 |
|
|
Влияние легирования кислородом на дефектную структуру и спектры
люминесценции кристаллов CdS
Г. В. Бушуева, В. И. Решетов, А. А. Хромов, С. А. Пендюр, А. С. Насибов, А. Н. Печенов
|
201–205 |
|
|
Рекомбинация в $n$-Si при термообработке и облучении
В. Б. Неймаш, М. Г. Соснин, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, И. И. Ясковец
|
206–209 |
|
|
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора
с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
В. В. Болотов, Г. Н. Камаев, Л. С. Смирнов
|
210–214 |
|
|
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в $n$-Si
при облучении одиночными импульсами электронов
большой интенсивности
А. Н. Крайчинский, Л. В. Мизрухин, Н. И. Осташко, В. И. Шаховцов
|
215–218 |
|
|
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток
туннельных диодов GaAs
Ю. М. Калинин, Н. П. Криворотов
|
219–222 |
|
|
Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний
и энергетической зависимости сечений захвата в Si — МОП структурах
В. И. Антоненко, А. Г. Ждан, П. С. Сульженко
|
223–228 |
|
|
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности
полупроводника с отрицательным электронным сродством
Т. А. Горшкова, В. Д. Шадрин
|
229–236 |
|
|
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник–диэлектрик
при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, Ю. В. Маркин
|
237–242 |
|
|
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей
разупорядочения в полупроводниках
В. А. Артемьев, В. В. Михнович
|
243–247 |
|
|
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах
Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te(In) (${x\sim0.22}$) с различным содержанием индия
Б. А. Акимов, А. В. Албул, А. В. Никорич, Н. А. Широкова, Л. И. Рябова
|
248–254 |
|
|
Оптические свойства двойных дефектов в GaAs : Cr
Р. А. Ванем, К. А. Кикоин, П. А. Лыук, Л. Я. Первова
|
255–261 |
|
|
Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы
термоионизации и захвата электронов
В. Н. Абакумов, В. Карпус, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич
|
262–268 |
|
|
Исследование зонных параметров твердых растворов
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
Р. В. Емлин, Л. П. Зверев, О. Э. Рут
|
269–272 |
|
|
Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную
структуру $a$-Si : H
А. М. Грехов, Н. И. Дерюгина, Г. М. Клапченко, Ю. П. Цященко
|
273–275 |
|
|
Формирование активационного барьера на контакте металл–аморфный
полупроводник
В. И. Архипов, В. М. Логин, А. И. Руденко, А. А. Симашкевич, С. Д. Шутов
|
276–281 |
|
|
Электрические и магнитные свойства системы
Fe$_{1-x}$Zn$_{x}$Cr$_{2}$S$_{4}$
Г. И. Гашимов, А. Г. Рустамов, А. А. Мустафаев
|
282–284 |
|
|
Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных
примесей в кремнии.
Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge
в Si
А. М. Грехов, В. И. Шаховцов
|
285–288 |
|
|
Инжекция и перенос дырок в гетероструктуре Se/As$_{2}$Se$_{3}$
А. М. Андриеш, Е. А. Акимова, С. И. Берил, В. И. Верлан
|
289–292 |
|
|
Распределение электронов в бинарных полупроводниках и явление
убегания
Г. И. Гарасько, С. А. Урюпин
|
293–297 |
|
|
Электрические характеристики эпитаксиальных
$p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков
|
298–300 |
|
|
Квантовый гармонический резонанс в кремнии
Ю. А. Бобровников, В. М. Казакова, В. И. Фистуль
|
301–306 |
|
|
Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии
с изовалентными примесями
Ю. М. Бабицкий, Н. И. Горбачева, П. М. Гринштейн, М. А. Ильин, В. П. Кузнецов, М. Г. Мильвидский, Б. М. Туровский
|
307–312 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Влияние германия на внутренние упругие напряжения
в кислородосодержащем кремнии
В. Е. Кустов, Т. В. Критская, Н. А. Трипачко, В. И. Шаховцов
|
313–315 |
|
|
Неравновесное испарение, вызванное безызлучательной рекомбинацией
электрон-дырочных пар: распределение по энергиям
В. Н. Стрекалов
|
315–317 |
|
|
Магнитотранспорт горячих электронов в многослойных гетероструктурах
GaAs/AlGaAs
В. И. Толстихин
|
317–320 |
|
|
Распространение электромагнитных волн вдоль слоев периодической
структуры полупроводник–диэлектрик с учетом гиротропии
Р. С. Бразис, Л. С. Сафонова
|
320–323 |
|
|
Модель формирования $p{-}n$-перехода у облученной лазером поверхности
полупроводника
Е. А. Горин
|
323–325 |
|
|
Линейно-циркулярный дихроизм двухфотонного поглощения
и самодефокусировка излучения неодимового лазера в кристаллах $n$-InР
И. П. Арешев, В. К. Субашиев, Б. Г. Фараджев
|
325–327 |
|
|
Усиление малого сигнала в возбужденном
$n$-Ge(Ni) в условиях возникновения умножения периода
С. Бумялене
|
328–329 |
|
|
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи
температуры плавления в твердой и жидкой фазах
В. М. Глазов, В. Б. Кольцов, В. А. Курбатов
|
330–333 |
|
|
Туннельно-рекомбинационные токи в $p{-}n$-переходах на основе
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при ${T>80}$ K
Н. Л. Баженов, С. И. Гасанов, В. И. Иванов-Омский, К. Д. Мынбаев, В. К. Огородников, В. И. Процык
|
333–335 |
|
|
Особенности осцилляций Шубникова-де–Гааза
в Mn$_{0.11}$Hg$_{0.89}$Te
А. Е. Беляев, О. П. Городничий, Ю. Г. Семенов, Н. В. Шевченко, О. А. Боднарук, И. М. Раренко
|
335–338 |
|
|
Циклотронные массы и $g^{*}$-факторы электронов в твердых растворах
арсенид кадмия–арсенид цинка
Э. К. Арушанов, А. А. Губанова, А. Ф. Князев, А. В. Лашкул, К. Г. Лисунов, В. В. Сологуб
|
338–340 |
|
|
Теория мезоскопических флуктуаций сопротивления проводников
со сложной геометрией
А. Ю. Зюзин, Б. З. Спивак, В. Н. Соколов, А. В. Фишков
|
341–342 |
|
|
Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе
InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)
В. М. Амусья, Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев
|
342–344 |
|
|
Междузонное тепловое излучение полупроводников
В. К. Малютенко, Ю. М. Малозовский
|
345–347 |
|
|
О возможности полупроводникового аналога эффекта Марангони
И. В. Иоффе
|
347–349 |
|
|
Резонансные уровни в сильно компенсированном $p$-PbTe по данным ИК
поглощения
А. Н. Вейс, В. И. Кайданов, Р. Ю. Крупицкая
|
349–352 |
|
|
Время жизни неравновесных носителей заряда в $p$-GaAs,
облученном ионами кислорода
А. Б. Журавлев, В. А. Марущак, Е. Л. Портной, Н. М. Стельмах, А. Н. Титков
|
352–354 |
|
|
Тензор Нернста–Эттингсгаузена в одноосно деформированных
полупроводниках в условиях электрон-фононного увлечения
И. С. Буда, П. И. Баранский
|
355–356 |
|
|
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах
на основе кремния
И. Н. Смирнов, М. В. Бахтиарова, Е. О. Филатова
|
357–359 |
|
|
Влияние реакторного облучения на электрические и магнитные свойства
примесного германия
Л. Е. Довбыш, В. И. Попко, О. Г. Романов, В. М. Цмоць, М. И. Шубак
|
359–361 |
|
|
Критика и библиография
|
|
|
Новые книги по полупроводникам
В. И. Козуб
|
362–364 |
Обратная связь: