|
Магнитная восприимчивость полупроводников
в жидком состоянии А. Р. Регель, В. М. Глазов, В. Б. Кольцов
|
1129–1141 |
|
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного
заряда диодов Шоттки Al${-}p$-Si В. В. Болотов, В. А. Стучинский
|
1142–1147 |
|
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким
широкозонным слоем В. В. Осипов, А. А. Панкратов, В. А. Холоднов
|
1148–1155 |
|
Край оптического поглощения «чистых»
эпитаксиальных слоев InP М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян
|
1156–1159 |
|
«Тонкая» структура края поглощения кристаллов теллурида
кадмия М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, О. С. Кощуг, Р. П. Сейсян
|
1160–1163 |
|
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя
$p{-}n$-переходов с глубокими уровнями А. С. Кюрегян, П. Н. Шлыгин
|
1164–1172 |
|
О влиянии ядерного легирования на радиационное дефектообразование
в $\text{Si}\langle\text{Ge}\rangle$ А. В. Воеводова, Ф. П. Коршунов, Н. А. Соболев, А. А. Стук
|
1173–1176 |
|
Об аномалиях электрофизических свойств эпитаксиальных слоев
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As и их природе Г. И. Виноградова, Д. Т. Гогаладзе, А. М. Долгинов, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Е. В. Соловьева
|
1177–1181 |
|
Токовая неустойчивость, обусловленная фазовым переходом
полупроводник$-$металл в квазиодномерных структурах Б. С. Вакаров, И. С. Вакарова, А. Б. Корляков, С. Н. Кравченко, А. Г. Петухов
|
1182–1186 |
|
Модель объемного шума $1/f$ в лавинно-пролетных диодах Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн
|
1187–1192 |
|
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических
полупроводниках Н. С. Аверкиев, Е. Д. Белорусец, Э. З. Имамов, Ю. Т. Ребане
|
1193–1198 |
|
Эффективная температура и релаксация энергии $2D$-электронов
$n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs В. И. Кадушкин, А. А. Денисов, А. П. Сеничкин
|
1199–1202 |
|
Электрофизические свойства сверхрешеток
PbTe$-$Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te M. В. Апатская, Ф. Ф. Сизов, В. В. Тетеркин, Н. Н. Ушанкина
|
1203–1206 |
|
Поляризационные характеристики излучения РОС лазеров
с деформированным активным слоем Е. А. Аврутин, М. А. Алексеев, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка
|
1207–1213 |
|
Влияние перезарядки мелких примесей на дефокусировку лазерного луча
в кристаллах кремния Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, Э. Скайстис
|
1214–1219 |
|
О гальваномагнитных явлениях в макроскопически неоднородных пленках
вблизи порога протекания в наклонном магнитном поле А. Е. Морозовский, А. А. Снарский
|
1220–1225 |
|
К вопросу о пограничных состояниях в резких гетеропереходах О. Э. Райчев
|
1226–1229 |
|
Примесь индия в селениде свинца — центр с отрицательной
корреляционной энергией А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева
|
1230–1234 |
|
Нестационарный фотоэффект в варизонной
$m{-}p{-}n$-структуре Б. И. Резников, Г. В. Царенков
|
1235–1242 |
|
Возбуждение продольных колебаний решетки доменами Ганна
в периодически легированном образце Р. К. Баканас, Ф. Г. Басс
|
1243–1248 |
|
Электрические свойства имплантированных
Xe$^{+}$, Cu$^{+}$, Ag$^{+}$ и термически отожженных кристаллов
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te М. И. Ибрагимова, Н. С. Барышев, И. Б. Хайбуллин, Ф. И. Ахмедова, А. П. Фадеева
|
1249–1253 |
|
Зонная структура напряженных (0001) сверхрешеток
(InAs)$_{n}$(GaAs)$_{n}$ Ю. И. Полыгалов, А. С. Поплавной
|
1254–1258 |
|
Влияние легирования индием на люминесценцию монокристаллов арсенида
галлия Н. А. Анастасьева, Ю. Н. Большева, В. Б. Освенский, И. В. Степанцова, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев
|
1259–1262 |
|
Фотоэлектрические и шумовые свойства пластически деформированных
монокристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te М. Г. Андрухив, И. С. Вирт, Д. И. Цюцюра, Д. Д. Шуптар, П. С. Шкумбатюк
|
1263–1266 |
|
Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, Г. В. Шепекина
|
1267–1269 |
|
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном
нейтронами А. И. Гирка, В. А. Кулешин, А. Д. Мокрушин, Е. Н. Мохов, С. В. Свирида, А. В. Шишкин
|
1270–1274 |
|
Диссипативные термо- и гальваномагнитные явления в полупроводниках
в произвольных квантующих магнитных полях Б. М. Аскеров, М. И. Джафаров
|
1275–1279 |
|
Наблюдение примесных состояний в высокоомном арсениде галлия методом
фотоотражения А. Н. Пихтин, В.-М. Айраксинен, X. Липсанен, Т. Туоми
|
1280–1282 |
|
«Моттовское» плато на вольтъемкостной характеристике диода
Шоттки с гетеропереходом О. В. Константинов, Т. В. Львова, М. М. Паханов
|
1283–1290 |
|
Краткие сообщения
|
|
Инжекционное очувствление симметричных МПМ структур на основе
CdSe$\langle\text{Ag}\rangle$ в среднем диапазоне ИК света Е. М. Зобов, М. А. Ризаханов
|
1291–1293 |
|
О рекомбинационных волнах в условиях эксклюзии И. В. Карпова, В. А. Сабликов
|
1293–1296 |
|
Увеличение эффективности электростатического механизма
дефектообразования под действием каналированного пучка частиц Л. А. Корнеева, Е. А. Мазур, А. И. Руденко
|
1296–1298 |
|
Анизотропия длинноволнового оптического поглощения монокристаллов
CuInTe$_{2}$ Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров
|
1299–1301 |
|
Влияние никеля на кинетику образования и отжига термических центров
в кремнии К. П. Абдурахманов, М. Д. Ходжаев, А. Т. Тешабаев, Т. А. Умаров
|
1301–1303 |
|
Измерение концентрации плазмы при поперечном пробое в $n$-InSb В. А. Ботте, В. В. Владимиров, В. Н. Горшков, А. И. Липтуга, В. К. Малютенко
|
1303–1305 |
|
ЭПР и магнитная восприимчивость дефектных кристаллов
A$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$, легированных марганцем И. М. Аскеров, В. Ф. Мастеров, В. В. Романов, К. Ф. Штельмах
|
1305–1307 |
|
О состоянии примеси европия в дефектных соединениях
А$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$
по данным ЭПР и эффекта
Мессбауэра И. М. Аскеров, В. Ф. Кобелев, В. Ф. Мастеров, О. Б. Тагиев, К. Ф. Штельмах, Л. Ф. Лихолит
|
1307–1309 |
|
Фотопроводимость эпитаксиальных слоев
$n$-Hg$_{1-x}\text{Mn}_{x}$Te Т. И. Назаренкова, Е. А. Сальков, Н. В. Сочинский
|
1309–1311 |
|
Влияние межзонного перехода на затухание плазменных колебаний
в сплавах висмут–сурьма Н. П. Степанов, В. М. Грабов, Б. Е. Вольф
|
1312–1314 |
|
Об ионизации примесей солитонами в сверхрешетках С. В. Крючков
|
1314–1316 |
|
Спектр поглощения структур с квантовыми ямами П. С. Копьев, И. И. Решина
|
1316–1318 |
|
Аннотации депонированных статей
|
|
Аннотации депонированных статей
|
1319–1321 |