Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


1989, том 23, выпуск 7  


Магнитная восприимчивость полупроводников в жидком состоянии
А. Р. Регель, В. М. Глазов, В. Б. Кольцов
1129–1141
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al${-}p$-Si
В. В. Болотов, В. А. Стучинский
1142–1147
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
В. В. Осипов, А. А. Панкратов, В. А. Холоднов
1148–1155
Край оптического поглощения «чистых» эпитаксиальных слоев InP
М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, Ю. М. Макушенко, Р. П. Сейсян
1156–1159
«Тонкая» структура края поглощения кристаллов теллурида кадмия
М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, О. С. Кощуг, Р. П. Сейсян
1160–1163
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя $p{-}n$-переходов с глубокими уровнями
А. С. Кюрегян, П. Н. Шлыгин
1164–1172
О влиянии ядерного легирования на радиационное дефектообразование в $\text{Si}\langle\text{Ge}\rangle$
А. В. Воеводова, Ф. П. Коршунов, Н. А. Соболев, А. А. Стук
1173–1176
Об аномалиях электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As и их природе
Г. И. Виноградова, Д. Т. Гогаладзе, А. М. Долгинов, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Е. В. Соловьева
1177–1181
Токовая неустойчивость, обусловленная фазовым переходом полупроводник$-$металл в квазиодномерных структурах
Б. С. Вакаров, И. С. Вакарова, А. Б. Корляков, С. Н. Кравченко, А. Г. Петухов
1182–1186
Модель объемного шума $1/f$ в лавинно-пролетных диодах
Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн
1187–1192
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
Н. С. Аверкиев, Е. Д. Белорусец, Э. З. Имамов, Ю. Т. Ребане
1193–1198
Эффективная температура и релаксация энергии $2D$-электронов $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
В. И. Кадушкин, А. А. Денисов, А. П. Сеничкин
1199–1202
Электрофизические свойства сверхрешеток PbTe$-$Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te
M. В. Апатская, Ф. Ф. Сизов, В. В. Тетеркин, Н. Н. Ушанкина
1203–1206
Поляризационные характеристики излучения РОС лазеров с деформированным активным слоем
Е. А. Аврутин, М. А. Алексеев, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка
1207–1213
Влияние перезарядки мелких примесей на дефокусировку лазерного луча в кристаллах кремния
Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, Э. Скайстис
1214–1219
О гальваномагнитных явлениях в макроскопически неоднородных пленках вблизи порога протекания в наклонном магнитном поле
А. Е. Морозовский, А. А. Снарский
1220–1225
К вопросу о пограничных состояниях в резких гетеропереходах
О. Э. Райчев
1226–1229
Примесь индия в селениде свинца — центр с отрицательной корреляционной энергией
А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева
1230–1234
Нестационарный фотоэффект в варизонной $m{-}p{-}n$-структуре
Б. И. Резников, Г. В. Царенков
1235–1242
Возбуждение продольных колебаний решетки доменами Ганна в периодически легированном образце
Р. К. Баканас, Ф. Г. Басс
1243–1248
Электрические свойства имплантированных Xe$^{+}$, Cu$^{+}$, Ag$^{+}$ и термически отожженных кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
М. И. Ибрагимова, Н. С. Барышев, И. Б. Хайбуллин, Ф. И. Ахмедова, А. П. Фадеева
1249–1253
Зонная структура напряженных (0001) сверхрешеток (InAs)$_{n}$(GaAs)$_{n}$
Ю. И. Полыгалов, А. С. Поплавной
1254–1258
Влияние легирования индием на люминесценцию монокристаллов арсенида галлия
Н. А. Анастасьева, Ю. Н. Большева, В. Б. Освенский, И. В. Степанцова, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев
1259–1262
Фотоэлектрические и шумовые свойства пластически деформированных монокристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
М. Г. Андрухив, И. С. Вирт, Д. И. Цюцюра, Д. Д. Шуптар, П. С. Шкумбатюк
1263–1266
Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, Г. В. Шепекина
1267–1269
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
А. И. Гирка, В. А. Кулешин, А. Д. Мокрушин, Е. Н. Мохов, С. В. Свирида, А. В. Шишкин
1270–1274
Диссипативные термо- и гальваномагнитные явления в полупроводниках в произвольных квантующих магнитных полях
Б. М. Аскеров, М. И. Джафаров
1275–1279
Наблюдение примесных состояний в высокоомном арсениде галлия методом фотоотражения
А. Н. Пихтин, В.-М. Айраксинен, X. Липсанен, Т. Туоми
1280–1282
«Моттовское» плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
О. В. Константинов, Т. В. Львова, М. М. Паханов
1283–1290

Краткие сообщения
Инжекционное очувствление симметричных МПМ структур на основе CdSe$\langle\text{Ag}\rangle$ в среднем диапазоне ИК света
Е. М. Зобов, М. А. Ризаханов
1291–1293
О рекомбинационных волнах в условиях эксклюзии
И. В. Карпова, В. А. Сабликов
1293–1296
Увеличение эффективности электростатического механизма дефектообразования под действием каналированного пучка частиц
Л. А. Корнеева, Е. А. Мазур, А. И. Руденко
1296–1298
Анизотропия длинноволнового оптического поглощения монокристаллов CuInTe$_{2}$
Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров
1299–1301
Влияние никеля на кинетику образования и отжига термических центров в кремнии
К. П. Абдурахманов, М. Д. Ходжаев, А. Т. Тешабаев, Т. А. Умаров
1301–1303
Измерение концентрации плазмы при поперечном пробое в $n$-InSb
В. А. Ботте, В. В. Владимиров, В. Н. Горшков, А. И. Липтуга, В. К. Малютенко
1303–1305
ЭПР и магнитная восприимчивость дефектных кристаллов A$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$, легированных марганцем
И. М. Аскеров, В. Ф. Мастеров, В. В. Романов, К. Ф. Штельмах
1305–1307
О состоянии примеси европия в дефектных соединениях А$_{2}^{\text{III}}\text{B}_{3}^{\text{VI}}$ по данным ЭПР и эффекта Мессбауэра
И. М. Аскеров, В. Ф. Кобелев, В. Ф. Мастеров, О. Б. Тагиев, К. Ф. Штельмах, Л. Ф. Лихолит
1307–1309
Фотопроводимость эпитаксиальных слоев $n$-Hg$_{1-x}\text{Mn}_{x}$Te
Т. И. Назаренкова, Е. А. Сальков, Н. В. Сочинский
1309–1311
Влияние межзонного перехода на затухание плазменных колебаний в сплавах висмут–сурьма
Н. П. Степанов, В. М. Грабов, Б. Е. Вольф
1312–1314
Об ионизации примесей солитонами в сверхрешетках
С. В. Крючков
1314–1316
Спектр поглощения структур с квантовыми ямами
П. С. Копьев, И. И. Решина
1316–1318

Аннотации депонированных статей
Аннотации депонированных статей
1319–1321
Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025