|
Кинетика инжекционно-стимулированного преобразования дефектов
в светоизлучающих GaAs : Si-структурах
B. I. Lev, T. V. Torchinskaya, P. M. Tomchuk, M. K. Sheĭnkman
|
1529–1538 |
|
|
Структура компенсирующих центров в облученном нейтронами
$n$-германии
D. P. Erchak, V. S. Kosobutskii, V. F. Stel'makh
|
1539–1544 |
|
|
Электрофизические свойства суперионного
Cu$_{2-x}$Se
M. A. Korzhuev, V. F. Bankina, B. F. Gruzinov, G. S. Bushmarina
|
1545–1551 |
|
|
Примесные центры диспрозия в аморфном гидрогенизированном кремнии
A. R. Regel, U. Zh. Abdumanapov, V. A. Vasilyev, M. M. Mezdrogina, F. S. Nasredinov, P. P. Seregin
|
1552–1555 |
|
|
Влияние высокого гидростатического давления на экситонный спектр
микрокристаллов CdS в стекле
A. I. Ekimov, F. I. Kreingold, B. S. Kulinkin
|
1556–1559 |
|
|
Тонкая структура излучения при рекомбинации на комплексных дефектах
в теллуриде кадмия
V. N. Babentsov, V. M. Bulakh, S. I. Gorban, L. V. Rashkovetskii, E. A. Sal'kov
|
1560–1563 |
|
|
Энергетическая релаксация и транспорт электронов и дырок
в короткопериодичных полупроводниковых сверхрешетках
S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, V. Y. Nekrasov, A. G. Pakhomov, V. N. Trukhin, I. D. Yaroshetskiĭ
|
1564–1567 |
|
|
Об одном механизме образования квазинепрерывно распределенных по
энергии ловушек в кристаллах полупроводников и диэлектриков
I. M. Tiginyanu
|
1568–1571 |
|
|
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
Yu. A. Cherkasov, P. A. Burov, I. A. Davydov, V. G. Luchina, A. P. Odrinskii, A. I. Rumyantsev
|
1572–1575 |
|
|
Переменная валентность в твердом растворе
Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se (${x=0.15}$), легированном натрием
Yu. A. Degtyarev, P. P. Konstantinov, K. R. Mailina, L. V. Prokof'eva
|
1576–1580 |
|
|
Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами
с энергией ${3.5\div4}$ МэВ
F. P. Korshunov, S. I. Radautsan, N. A. Sobolev, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, E. A. Kudryavtseva
|
1581–1583 |
|
|
Нелинейности вольтамперной характеристики монокристалла теллура
в условиях электротемпературного эффекта
A. A. Stepurenko, K. M. Aliev, N. S. Abakarova
|
1584–1588 |
|
|
Исследование градиентных гетероструктур электронно-зондовыми
методами
A. V. Buyanov, G. P. Peka, V. N. Tkachenko, O. A. Tokalin
|
1589–1595 |
|
|
Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках,
стимулированные магнитным полем
V. N. Davydov, E. A. Loskutova, E. P. Vaiden
|
1596–1600 |
|
|
Эффективная модуляция излучения и $N$-образная ВАХ для фототока при
электропоглощении света в двойной $P{-}i{-}N$-гетероструктуре
D. M. Butusov, G. G,Gotsadze, B. S. Rybkin
|
1601–1605 |
|
|
Численное моделирование микроплазменной неустойчивости
A. M. Namayunas, Yu. K. Pozhela, A. V. Tamashyavichyus
|
1606–1612 |
|
|
Об использовании кремниевых структур типа
М$-$П$-$М в методе емкостной спектроскопии глубоких уровней
V. K. Eremin, A. M. Ivanov, N. B. Strokan, E. V. Shokina
|
1613–1617 |
|
|
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных
$n$-каналах Si$-$МОП структур
M. A. Bairamov, A. S. Vedeneev, A. G. Zhdan, B. S. Schamkhalova
|
1618–1624 |
|
|
Инжекционная, электрополевая и термическая перестройка радиационных
дефектов в $p$-кремнии
P. V. Kuchinsky, V. M. Lomako, A. P. Petrunin
|
1625–1628 |
|
|
Локализованные состояния в условиях структурного беспорядка
L. P. Ginzburg
|
1629–1634 |
|
|
Структура пика E3 в арсениде галлия
V. A. Ivanyukovich, V. I. Karas, V. M. Lomako
|
1635–1639 |
|
|
СВЧ шум горячих электронов в GaAs при температурах кристалла
$10{-}100$ K
R. D. Aitov, A. I. Maslov, K. S. Rzhevkin
|
1640–1642 |
|
|
Реакции центров железа, индуцированные пиннингом уровня Ферми
в кремнии $p$-типа
N. T. Bagraev, I. S. Polovtsev
|
1643–1645 |
|
|
Неустойчивость тока в кремнии, компенсированном марганцем, связанная
с рекомбинационными волнами
M. K. Bakhadyrkhanov, I. P. Parmankulov
|
1646–1650 |
|
|
Влияние легирования расплава-раствора гадолинием и алюминием на
электрические и люминесцентные свойства эпитаксиальных
слоев GaSb
V. I. Vinogradova, D. T. Gogaladze, A. M. Loshinskii, E. V. Soloveva, L. M. Dolginov
|
1651–1653 |
|
|
Магнитная восприимчивость теллурида свинца, легированного гадолинием
D. M. Zayachuk, D. D. Ivanchuk, R. D. Ivanchuk, V. I. Mikityuk, P. M. Starik
|
1654–1657 |
|
|
О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках
$n$- и $p$-типа
B. N. Gresserov, T. T. Мnatsakanov
|
1658–1663 |
|
|
Вертикальный транспорт и фотолюминесценция в сверхрешетках
I. A. Larkin
|
1664–1673 |
|
|
Влияние заряженных центров на захват медленных электронов
нейтральными примесями в полупроводниках
E. B. Goldgur, R. I. Rabinovich
|
1674–1679 |
|
|
Индуцированные магнитным полем электронные переходы в полупроводниках
со сверхрешеткой
V. M. Polyanovskii
|
1680–1685 |
|
|
Short Notes
|
|
|
Влияние процесса радиационного дефектообразования на дифузионный
профиль распределения алюминия в кремнии при электронном облучении
Sh. Makhkamov, Yu. V. Pakharukov, M. S. Yunusov
|
1686–1689 |
|
|
Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной
эпитаксии
P. N. Brunkov, S. G. Konnikov, M. I. Papentsev, M. M. Sobolev, M. N. Stepanova
|
1689–1691 |
|
|
Усиление электромагнитного излучения в экситонной области спектра
полупроводника
Kh. V. Nerkararyan
|
1691–1694 |
|
|
Влияние анодного окисления на глубокие уровни в арсениде галлия
S. V. Tikhov, A. P. Kasatkin, S. I. Karpovich, N. V. Kudryavtseva
|
1694–1696 |
|
|
Энергетические уровни в CuInS$_{2}$, связанные с собственными
дефектами
I. A. Aksenov, B. V. Korzun, L. A. Makovetskaya, N. A. Sobolev, S. P. Zhukov
|
1696–1699 |
|
|
Легирование слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As самарием
V. V. Vorob'eva, M. V. Egorova, A. M. Kreschuk, S. V. Novikov, I. G. Savelev
|
1699–1701 |
|
|
Аномалии низкотемпературной проводимости канала с $2D$-электронами
гетероструктуры $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
V. I. Kadushkin, A. A. Denisov, A. P. Senichkin
|
1702–1704 |
|
|
Эффект локализации в инверсионном слое на поверхности кремния
V. V. Abramov, A. D. Bozhko, V. A. Kul'bachinskii, S. M. Chudinov
|
1704–1706 |
|
|
О возможности появления хаотических решений в модели узкозонного
полупроводника в режиме ударной ионизации
B. P. Bezruchko, E. N. Erastova
|
1707–1709 |
|
|
К теории плазменных волн в слоистых структурах
A. V. Ermolin, A. E. Kuchma, V. A. Sverdlov
|
1709–1711 |
|
|
Пассивация доноров и акцепторов в тройных и четверных растворах
системы InGaAsP с помощью атомарного водорода
È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, G. V. Shepekina
|
1711–1713 |
|
|
Возможные квантовые особенности одномерного баллистического
транспорта в полупроводниковых структурах
V. V. V'yurkov, V. A. Fedirko
|
1713–1715 |
|
|
Critique and Bibliography
|
|
|
Новые книги по полупроводникам
V. I. Kozub
|
1716–1718 |
Contact us: