|
Кинетика инжекционно-стимулированного преобразования дефектов
в светоизлучающих GaAs : Si-структурах
Б. И. Лев, Т. В. Торчинская, П. М. Томчук, М. К. Шейнкман
|
1529–1538 |
|
|
Структура компенсирующих центров в облученном нейтронами
$n$-германии
Д. П. Ерчак, В. С. Кособуцкий, В. Ф. Стельмах
|
1539–1544 |
|
|
Электрофизические свойства суперионного
Cu$_{2-x}$Se
M. А. Коржуев, В. Ф. Банкина, Б. Ф. Грузинов, Г. С. Бушмарина
|
1545–1551 |
|
|
Примесные центры диспрозия в аморфном гидрогенизированном кремнии
А. Р. Регель, У. Ж. Абдуманапов, В. А. Васильев, М. М. Мездрогина, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин
|
1552–1555 |
|
|
Влияние высокого гидростатического давления на экситонный спектр
микрокристаллов CdS в стекле
А. И. Екимов, Ф. И. Крейнгольд, Б. С. Кулинкин
|
1556–1559 |
|
|
Тонкая структура излучения при рекомбинации на комплексных дефектах
в теллуриде кадмия
В. Н. Бабенцов, В. М. Булах, С. И. Горбань, Л. В. Рашковецкий, Е. А. Сальков
|
1560–1563 |
|
|
Энергетическая релаксация и транспорт электронов и дырок
в короткопериодичных полупроводниковых сверхрешетках
С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. Ю. Некрасов, А. Г. Пахомов, В. Н. Трухин, И. Д. Ярошецкий
|
1564–1567 |
|
|
Об одном механизме образования квазинепрерывно распределенных по
энергии ловушек в кристаллах полупроводников и диэлектриков
И. М. Тигиняну
|
1568–1571 |
|
|
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
Ю. А. Черкасов, П. А. Буров, И. А. Давыдов, В. Г. Лучина, А. П. Одринский, А. И. Румянцев
|
1572–1575 |
|
|
Переменная валентность в твердом растворе
Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se (${x=0.15}$), легированном натрием
Ю. А. Дегтярев, П. П. Константинов, X. Р. Майлина, Л. В. Прокофьева
|
1576–1580 |
|
|
Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами
с энергией ${3.5\div4}$ МэВ
Ф. П. Коршунов, С. И. Радауцан, Н. А. Соболев, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, Е. А. Кудрявцева
|
1581–1583 |
|
|
Нелинейности вольтамперной характеристики монокристалла теллура
в условиях электротемпературного эффекта
А. А. Степуренко, К. М. Алиев, Н. С. Абакарова
|
1584–1588 |
|
|
Исследование градиентных гетероструктур электронно-зондовыми
методами
А. В. Буянов, Г. П. Пека, В. Н. Ткаченко, О. А. Токалин
|
1589–1595 |
|
|
Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках,
стимулированные магнитным полем
В. Н. Давыдов, Е. А. Лоскутова, Е. П. Найден
|
1596–1600 |
|
|
Эффективная модуляция излучения и $N$-образная ВАХ для фототока при
электропоглощении света в двойной $P{-}i{-}N$-гетероструктуре
Д. М. Бутусов, Г. Г,Гоцадзе, Б. С. Рыбкин
|
1601–1605 |
|
|
Численное моделирование микроплазменной неустойчивости
А. М. Намаюнас, Ю. К. Пожела, А. В. Тамашявичюс
|
1606–1612 |
|
|
Об использовании кремниевых структур типа
М$-$П$-$М в методе емкостной спектроскопии глубоких уровней
В. К. Еремин, А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, Е. В. Шокина
|
1613–1617 |
|
|
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных
$n$-каналах Si$-$МОП структур
М. А. Байрамов, А. С. Веденеев, А. Г. Ждан, Б. С. Щамхалова
|
1618–1624 |
|
|
Инжекционная, электрополевая и термическая перестройка радиационных
дефектов в $p$-кремнии
П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин
|
1625–1628 |
|
|
Локализованные состояния в условиях структурного беспорядка
Л. П. Гинзбург
|
1629–1634 |
|
|
Структура пика E3 в арсениде галлия
В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако
|
1635–1639 |
|
|
СВЧ шум горячих электронов в GaAs при температурах кристалла
$10{-}100$ K
Р. Д. Аитов, А. И. Маслов, К. С. Ржевкин
|
1640–1642 |
|
|
Реакции центров железа, индуцированные пиннингом уровня Ферми
в кремнии $p$-типа
Н. Т. Баграев, И. С. Половцев
|
1643–1645 |
|
|
Неустойчивость тока в кремнии, компенсированном марганцем, связанная
с рекомбинационными волнами
М. К. Бахадырханов, И. П. Парманкулов
|
1646–1650 |
|
|
Влияние легирования расплава-раствора гадолинием и алюминием на
электрические и люминесцентные свойства эпитаксиальных
слоев GaSb
Г. И. Виноградова, Д. Т. Гогаладзе, А. М. Лошинский, Е. В. Соловьева, Л. М. Долгинов
|
1651–1653 |
|
|
Магнитная восприимчивость теллурида свинца, легированного гадолинием
Д. М. Заячук, Д. Д. Иванчук, Р. Д. Иванчук, В. И. Микитюк, П. М. Старик
|
1654–1657 |
|
|
О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках
$n$- и $p$-типа
Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов
|
1658–1663 |
|
|
Вертикальный транспорт и фотолюминесценция в сверхрешетках
И. А. Ларкин
|
1664–1673 |
|
|
Влияние заряженных центров на захват медленных электронов
нейтральными примесями в полупроводниках
Е. Б. Гольдгур, Р. И. Рабинович
|
1674–1679 |
|
|
Индуцированные магнитным полем электронные переходы в полупроводниках
со сверхрешеткой
В. М. Поляновский
|
1680–1685 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Влияние процесса радиационного дефектообразования на дифузионный
профиль распределения алюминия в кремнии при электронном облучении
Ш. Махкамов, Ю. В. Пахаруков, М. С. Юнусов
|
1686–1689 |
|
|
Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной
эпитаксии
П. Н. Брунков, С. Г. Конников, М. И. Папенцев, М. М. Соболев, М. Н. Степанова
|
1689–1691 |
|
|
Усиление электромагнитного излучения в экситонной области спектра
полупроводника
X. В. Неркарарян
|
1691–1694 |
|
|
Влияние анодного окисления на глубокие уровни в арсениде галлия
С. В. Тихов, А. П. Касаткин, С. И. Карпович, Н. В. Кудрявцева
|
1694–1696 |
|
|
Энергетические уровни в CuInS$_{2}$, связанные с собственными
дефектами
И. А. Аксенов, Б. В. Корзун, Л. А. Маковецкая, Н. А. Соболев, С. П. Жуков
|
1696–1699 |
|
|
Легирование слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As самарием
В. В. Воробьева, М. В. Егорова, А. М. Крещук, С. В. Новиков, И. Г. Савельев
|
1699–1701 |
|
|
Аномалии низкотемпературной проводимости канала с $2D$-электронами
гетероструктуры $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
В. И. Кадушкин, А. А. Денисов, А. П. Сеничкин
|
1702–1704 |
|
|
Эффект локализации в инверсионном слое на поверхности кремния
В. В. Абрамов, А. Д. Божко, В. А. Кульбачинский, С. М. Чудинов
|
1704–1706 |
|
|
О возможности появления хаотических решений в модели узкозонного
полупроводника в режиме ударной ионизации
Б. П. Безручко, Е. Н. Ерастова
|
1707–1709 |
|
|
К теории плазменных волн в слоистых структурах
А. В. Ермолин, А. Е. Кучма, В. А. Свердлов
|
1709–1711 |
|
|
Пассивация доноров и акцепторов в тройных и четверных растворах
системы InGaAsP с помощью атомарного водорода
Э. М. Омельяновский, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, Г. В. Шепекина
|
1711–1713 |
|
|
Возможные квантовые особенности одномерного баллистического
транспорта в полупроводниковых структурах
В. В. Вьюрков, В. А. Федирко
|
1713–1715 |
|
|
Критика и библиография
|
|
|
Новые книги по полупроводникам
В. И. Козуб
|
1716–1718 |
Обратная связь: