|
|
1990, том 24, выпуск 1
|
 |
|
 |
|
Кинетические явления в компенсированном $n$-InSb при низких
температурах (Обзор)
Ю. М. Гальперин, Е. М. Гершензон, И. Л. Дричко, Л. Б. Литвак-Горская
|
3–24 |
|
|
Нелинейность краевого поглощения CdSe
Н. Р. Кулиш, М. П. Лисица, Н. И. Малыш, Б. М. Булах
|
25–28 |
|
|
Распределение заряда и формирование глубоких уровней
в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты
в кремнии и германии
З. М. Хакимов, Д. С. Пулатова, М. К. Адилов, А. Ш. Махмудов, А. А. Левин, М. С. Юнусов
|
29–36 |
|
|
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
Т. Р. Глобус, А. О. Олеск, С. А. Олеск
|
37–44 |
|
|
\glqqПроявление» скоплений атомов электрически не активных примесей
в $n$-кремнии при $\gamma$-облучении
|
45–50 |
|
|
Гальваномагнитные эффекты в сплаве $p$-Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te
($x=0.2$), облученном электронами
Н. Б. Брандт, Е. П. Скипетров, Е. И. Слынько, А. Г. Хорош, В. И. Штанов
|
51–58 |
|
|
Поляризованная люминесценция размерно-квантованных гетероструктур
Ф. Т. Васько, Г. И. Стебловский
|
59–65 |
|
|
О понижении порога неустойчивости однородного лавинного пробоя
кремниевых $p^{+}{-}n$-переходов
Ю. С. Мельникова
|
66–71 |
|
|
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния
при облучении электронами
В. Д. Ахметов, В. В. Болотов, Г. Н. Камаев, Л. С. Смирнов
|
72–76 |
|
|
Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании
арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических
соединений
В. А. Быковский, Л. А. Иванютин, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, И. Н. Цыпленков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев
|
77–81 |
|
|
Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации
в эпитаксиальном $n$-GaAs
А. В. Акимов, Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, В. Г. Шофман
|
82–92 |
|
|
Фотолюминесценция твердых растворов Cd$_{0.4}$Hg$_{0.6}$Te
Н. Л. Баженов, Б. Л. Гельмонт, В. И. Иванов-Омский, А. И. Ижнин, В. А. Смирнов
|
93–97 |
|
|
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов
$p$-GaInSbAs
А. Н. Баранов, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев
|
98–103 |
|
|
Влияние давления на электрофизические
свойства Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se ($x=0.25$), облученного электронами,
в диэлектрической фазе
В. П. Дубков, Е. П. Скипетров
|
104–108 |
|
|
Тензоэлектрические явления в контактах металл$-$арсенид галлия
при анизотропном давлении
А. П. Вяткин, И. В. Крылова, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов, В. И. Филатов
|
109–114 |
|
|
К теории полевого полупроводникового инжектора
с туннельно-резонансной структурой
В. И. Рыжий, Е. А. Семыкина
|
115–120 |
|
|
Влияние пластической деформации на гальваномагнитные
и фотоэлектрические свойства $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
П. И. Баранский, А. Е. Беляев, О. П. Городничий, С. М. Комиренко
|
121–125 |
|
|
Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, М. П. Руленко
|
126–130 |
|
|
Инверсные распределения электронов в полупроводниковых
гетероструктурах с одной квантовой ямой
В. Я. Алешкин, Ю. А. Романов
|
131–135 |
|
|
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость
в нелегированных аморфных полупроводниках
А. Г. Абдукадыров, С. Д. Барановский, Е. Л. Ивченко
|
136–143 |
|
|
Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия
в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии
В. И. Кайданов, С. А. Рыков, М. А. Рыкова, О. В. Сюрис
|
144–151 |
|
|
Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей
в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО
лазерах с широким полоском
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников
|
152–158 |
|
|
Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных
состояний в системах полупроводник$-$диэлектрик
Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, А. М. Клочкова, Ю. В. Маркин
|
159–165 |
|
|
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном
полупроводнике
Б. Н. Либенсон, М. Т. Нормурадов, А. С. Рысбаев
|
166–170 |
|
|
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов
в кристаллах $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, подвергнутых ультразвуковой обработке
А. В. Любченко, К. А. Мысливец, Я. М. Олих
|
171–174 |
|
|
Температурные и частотные зависимости электропроводности
алмазных пленок
Г. А. Соколина, А. А. Ботев, Л. Л. Буйлов, С. В. Банцеков, О. И. Лазарева, А. Ф. Белянин
|
175–180 |
|
|
Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых
диодных структурах
В. В. Михнович, Т. В. Фирсова
|
181–184 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако
|
185–187 |
|
|
Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические
свойства ядерно легированного арсенида галлия
Н. Г. Колин, И. А. Королева, А. В. Марков, В. Б. Освенский
|
187–189 |
|
|
Кинетика нарастания и спада концентрации носителей при импульсном
фотовозбуждении неоднородных полупроводников
Н. Н. Григорьев, Т. А. Кудыкина, А. В. Любченко
|
190–192 |
|
|
Поляриметрический фотоприемник
Т. С. Гертович, С. И. Гринева, Г. П. Комиссаров, В. А. Манассон, А. Д. Огородник, К. Д. Товстюк, Е. С. Шарлай
|
192–193 |
|
|
Определение концентрации марганца в твердых
растворах Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te методом электроотражения
Л. П. Авакянц, С. В. Александрович, Э. И. Велиюлин, А. Д. Ефимов, Е. Н. Холина, В. А. Чапнин
|
193–196 |
|
|
Зеемановское расщепление $3\Gamma_{8}^{-}$-состояния мелких
акцепторов в германии
В. П. Васильев, Б. Л. Гельмонт, В. Г. Голубев, В. И. Иванов-Омский, Г. И. Кропотов
|
196–198 |
|
|
Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных
полупроводниках
Б. Л. Гельмонт, А. В. Родина, Ал. Л. Эфрос
|
198–201 |
|
|
(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$)
и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Э. Луценко
|
201–203 |
|
|
Влияние полевой диссоциации экситонов на фототок в полупроводниках
В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян
|
203–206 |
|
|
Обратная связь: