|
Инжекционно-стимулированная трансформация спектров люминесценции
зеленых GaP : N-светодиодов
Т. В. Торчинская, А. Г. Карабаев, М. К. Шейнкман
|
1337–1348 |
|
|
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr)
при изменении температуры и под давлением
Л. М. Каширская, Л. И. Рябова, О. И. Тананаева, Н. А. Широкова
|
1349–1353 |
|
|
Электронный парамагнитный резонанс комплексов FeFeB в кремнии
А. А. Ежевский, С. А. Дж. Аммерлаан
|
1354–1358 |
|
|
Эффект запирания электронов в фотопреобразователях при высокой
интенсивности освещения
М. С. Епифанов, А. В. Шипилин, В. Н. Шленский
|
1359–1362 |
|
|
Понижение термической стабильности
комплексов $V_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ в GaAs при нейтронном облучении
Е. В. Винник, К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович
|
1363–1366 |
|
|
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
Т. А. Лагвилава, М. Г. Мильвидский, Е. В. Соловьева
|
1367–1370 |
|
|
Перенос неравновесных носителей заряда в варизонных структурах
с учетом зависимости подвижности от состава твердого раствора
В. В. Беднарский, М. П. Верховодов, Г. П. Пека
|
1371–1374 |
|
|
Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых
растворов на основе (GaSb)$_{x}$(HgTe)$_{1-x}$, (AlSb)$_{x}$(HgTe)$_{1-x}$
В. П. Амброс, И. И. Бурдиян, Е. И. Георгицэ, И. Т. Постолаки, В. М. Погорлецкий
|
1375–1378 |
|
|
Резонансная зона в сплаве Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se ($x=0.07$), облученном
электронами
Б. Б. Ковалев, Е. П. Скипетров
|
1379–1383 |
|
|
Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами
М. М. Аникин, Н. И. Кузнецов, А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин
|
1384–1390 |
|
|
Особенности энергетического спектра
Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$Tl, Na$\rangle$
С. А. Немов, Н. Г. Богатыренко, В. И. Прошин
|
1391–1396 |
|
|
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых
растворов GaSb$-$InAs
М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, А. П. Дмитриев, М. П. Михайлова, Ю. П. Сморчкова, И. Н. Тимченко, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, И. Н. Яссиевич
|
1397–1406 |
|
|
Фотопроводимость и генерация фотоэдс в полупроводниковом бикристалле
К. М. Дощанов, В. Д. Соколов
|
1407–1412 |
|
|
Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe
в диапазоне температур $4.2{-}30$ K
М. Ю. Гусев, А. И. Дмитриев, А. Н. Зюганов, З. Д. Ковалюк, В. И. Лазоренко, Г. В. Лашкарев, П. С. Смертенко
|
1413–1416 |
|
|
Двукратное резонансное рассеяние света с участием акустических
фононов в CdS
М. М. Собиров, К. Ж. Примбердиев
|
1417–1420 |
|
|
Деформация лазерного импульса, распространяющегося в $n$-Ge
при гелиевых температурах
С. К. Аветисян, С. С. Данагулян, Г. Р. Минасян
|
1421–1423 |
|
|
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной
эксклюзии
А. А. Акопян, С. А. Витусевич, В. К. Малютенко
|
1424–1426 |
|
|
Структура пиков $E4$ и $E5$ в $n$-GaAs
В. А. Иванюкович, В. И. Карась, В. М. Ломако
|
1427–1430 |
|
|
Фотоионизация квантовых ям в сильном электрическом поле
А. Г. Петров, А. Я. Шик
|
1431–1436 |
|
|
Квантово-размерный и деформационный эффекты в структурах на основе
PbSe/Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Se, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
М. В. Валейко, И. И. Засавицкий, Б. Н. Мацонашвили, З. А. Рухадзе, А. В. Ширков
|
1437–1443 |
|
|
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
П. И. Бабий, В. В. Слынько, Ю. П. Гнатенко, П. Н. Букивский, М. И. Илащук, О. А. Парфенюк
|
1444–1448 |
|
|
Отрицательная фотопроводимость на пороге возбуждения винтовой
неустойчивости в плазме полупроводников
В. В. Владимиров, Б. И. Каплан, А. Г. Коллюх, В. К. Малютенко
|
1449–1454 |
|
|
Теория локальной туннельной генерации носителей в $p{-}n$-переходах
на основе узкозонных полупроводников
Б. С. Кернер, А. Ю. Селяков, А. Н. Суханов
|
1455–1461 |
|
|
Эффект Стеблера$-$Вронского в аморфном гидрированном кремнии,
легированном фосфором
А. Г. Казанский
|
1462–1466 |
|
|
Люминесценция $i$-Ge в условиях одноосного сжатия
В. К. Малютенко, К. Ю. Гуга, А. М. Рыбак
|
1467–1471 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Влияние электронного облучения на электрические свойства кремния,
диффузионно-легированного марганцем
Ф. М. Талипов
|
1472–1473 |
|
|
Накопление дивакансий в кремнии при длительном облучении нейтронами
П. В. Жуковский, С. Б. Канторов, В. Ф. Стельмах, Н. Н. Тадеуш, Г. Шилагарди
|
1473–1475 |
|
|
Аморфизация кремния при имплантации ионов Ar$^{+}$ в интервале
температур 150$-$400 K
П. В. Жуковский, С. В. Канторов, К. Кищак, Д. Мончка, В. Ф. Стельмах
|
1475–1477 |
|
|
Усредненное описание нелинейных волн плотности неравновесных
носителей в полупроводниках
Ю. Н. Зайко
|
1478–1480 |
|
|
О связи шумовых характеристик с эффективностью термоэлектрического
преобразования
А. Ю. Антохин, В. А. Козлов
|
1480–1482 |
|
|
Исследование состава, структуры и магнитных свойств фосфида индия,
легированного европием
К. Ф. Штельмах, Л. Ф. Захаренков, В. В. Романов, И. А. Терлецкий, С. В. Штельмах
|
1482–1485 |
|
|
Влияние глубоких уровней на время жизни неосновных носителей заряда
В. С. Гарнык, З. В. Башалеишвили
|
1485–1487 |
|
|
О температурной зависимости эффективности образования радиационных
дефектов в кремнии и германии
А. Н. Крайчинский, Н. И. Осташко, И. С. Рогуцкий
|
1487–1490 |
|
|
Явления переноса и рекомбинация в твердых
растворах Mn$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x\sim 0.1$)
П. И. Баранский, А. Е. Беляев, О. А. Боднарук, И. Н. Горбатюк, С. М. Комиренко, И. М. Раренко, Н. В. Шевченко
|
1490–1493 |
|
|
Температурные зависимости параметров переключения варизонных
$S$-диодов
Г. П. Пека, В. К. Россохатый, А. Н. Смоляр
|
1494–1496 |
|
|
Исправления к статье «Спектральная память фотопроводимости
высокоомного ZnSe» (ФТП. 1989. Т. 23. В 11. С. 2090–2093)
О. С. Горя, Л. Е. Ковалев, В. А. Коротков, Л. В. Маликова, А. В. Симашкевич
|
1496 |
|
|
Аннотации депонированных статей
|
|
|
Аннотации депонированных статей
|
1497–1498 |
|
|
Критика и библиография
|
|
|
Критика и библиография
В. И. Козуб
|
1499–1502 |
Обратная связь: