|
Равновесные свойства твердых растворов Cd$_{1-x}$Mg$_{x}$Te
П. П. Бейсюк, А. В. Савицкий, М. И. Илащук, Н. И. Руснак, В. И. Власюк, О. А. Парфенюк
|
961–964 |
|
|
Влияние фазовых превращений на оптические и электрические свойства
эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP
Е. В. Соловьева, М. Г. Мильвидский, А. И. Белогорохов, Г. И. Виноградова, Д. Т. Гогаладзе, Л. М. Долгинов, Н. В. Малькова, В. М. Новикова, А. Н. Осипова
|
965–969 |
|
|
Обобщенная микроскопическая модель аномального мюония
и его водородного аналога в кремнии
Г. С. Мякенькая, Г. Л. Гуцев, В. М. Самойлов
|
970–975 |
|
|
К вопросу о величине напряжения пробоя $p{-}n$-переходов в кремнии
Н. М. Масленников
|
976–978 |
|
|
Особенности явлений переноса в PbTe, легированном одновременно Tl и Si
С. А. Немов, М. К. Житинская, В. И. Прошин
|
979–982 |
|
|
Экситонные состояния в легированных монокристаллах InSe и GaSe
С. З. Джафарова, Н. А. Рагимова, Г. И. Абуталыбов, А. М. Гусейнов, А. Ш. Абдинов
|
983–989 |
|
|
Анализ диффузионных профилей водорода, образующихся
при гидрогенизации полупроводниковых образцов
Н. С. Рытова
|
990–996 |
|
|
Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия
с собственными дефектами в кремнии
В. В. Емцев, П. М. Клингер, В. И. Фистуль, Ю. В. Шмарцев
|
997–1003 |
|
|
О влиянии центров захвата на акустоэлектронное взаимодействие
в фотопроводящем сульфиде кадмия
В. И. Миргородский, С. В. Пешин
|
1004–1006 |
|
|
Об определении концетрации легирующей примеси в активном слое ДГС
лазеров из емкостных измерений
И. Б. Пузин
|
1007–1013 |
|
|
Электрические свойства эпитаксиальных слоев марганец$-$ртуть$-$теллур
$n$-типа
М. М. Трифонова, Н. С. Барышев, М. П. Мезенцева
|
1014–1017 |
|
|
О возможном механизме появления отрицательного сопротивления
$p{-}n$-гетеропереходов с глубокими уровнями
А. А. Птащенко, Н. В. Мороз, В. И. Будулак
|
1018–1021 |
|
|
Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs,
выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС
гидридном процессе
Д. А. Винокуров, В. М. Лантратов, М. А. Синицын, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, О. М. Федорова, Я. Л. Шайович, Б. С. Явич
|
1022–1029 |
|
|
Размерно-квантованные поверхностные экситоны на границе раздела
CdTe${-}$электролит
Ж. Р. Паносян, З. А. Касаманян, Г. Ш. Шмавонян
|
1030–1033 |
|
|
Фотопроводимость в пленках PbS при возбуждении пикосекундными
импульсами света
Р. Томашюнас, М. Пятраускас, Ю. Вайткус, Я. Синюс, Р. Гашка, А. Власкин
|
1034–1039 |
|
|
Исследование под давлением края полосы поглощения полупроводников
в камере с алмазными наковальнями
Р. Г. Куряева, В. А. Киркинский, Б. А. Фурсенко
|
1040–1046 |
|
|
Исследование квантовых ям $C{-}V$-методом
В. Я. Алешкин, Е. В. Демидов, Б. Н. Звонков, А. В. Мурель, Ю. А. Романов
|
1047–1052 |
|
|
Температурная зависимость интенсивности примесной люминесценции
в полупроводниках с амфотерными центрами рекомбинации
О. В. Вакуленко, В. Н. Супруненко, В. Д. Рыжиков
|
1053–1057 |
|
|
Люминесценция имплантированных слоев Cd$_{0.38}$Hg$_{0.62}$Te
и диодных структур на их основе
С. В. Белотелов, В. И. Иванов-Омский, А. И. Ижнин, В. А. Смирнов
|
1058–1064 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Вольт-амперная характеристика отдельной заряженной дислокации
в полупроводниках
В. Шикин, Ю. Шикина
|
1065–1067 |
|
|
Колебательные ИК спектры SiAs
Н. Н. Сырбу, С. Б. Хачатурова, Н. М. Олиференко, А. Бурка, А. Н. Лукин
|
1067–1069 |
|
|
Фотопроводимость сильновозбужденных поликристаллических пленок CdTe
Р. Томашюнас, Р. Мастейка, М. Пятраускас, А. Жиндулис, Й. Кутра
|
1070–1072 |
|
|
Особенности изменения электронной структуры теллурида висмута
при самоинтеркаляции медью
Е. В. Олешко, Э. И. Велиюлин, Э. И. Козыренко, С. Ш. Кахраманов
|
1073–1075 |
|
|
Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном
легировании кремния
К. П. Абдурахманов, Г. С. Куликов, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, Ш. А. Юсупова
|
1075–1078 |
|
|
Образование молекул водорода в арсениде галлия $n$-типа
при его гидрогенизации
Н. С. Рытова
|
1078–1080 |
|
|
Влияние рентгеновского излучения на реальную структуру
кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
Э. М. Пашаев, В. М. Каневский, А. А. Пурцхванидзе, В. Н. Перегудов
|
1080–1082 |
|
|
Суперсверхтонкая структура в спектрах ЭПР ионов Eu$^{2+}$ в тонких
пленках PbTe
Ю. С. Громовой, С. В. Пляцко, Г. Е. Костюнин
|
1083–1085 |
|
|
Исследование эпитаксиальных твердых
растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$ методом комбинационного рассеяния
света
А. В. Андрианов
|
1086–1088 |
|
|
Тепловые и электрические свойства пленок CuInSe$_{2}$, полученных
методом испарения из одного или двух источников
М. Р. А. Магомедов, М. А. Абдуллаев, Дж. Х. Амирханова
|
1088–1090 |
|
|
О концентрации и подвижности электронов в узкозонных
полупроводниковых соединениях A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$ $p$-типа
В. Г. Ремесник, Н. Х. Талипов
|
1091–1094 |
|
|
Охлаждение двумерного электронного газа затвором МДП структуры
И. И. Бойко, А. Я. Шик
|
1094–1097 |
|
|
Поле неидеального $\delta$-легированного слоя в условиях пробоя
экранирования
Э. М. Эпштейн, Г. М. Шмелев, А. Т. Железняк
|
1098–1099 |
|
|
Расчетные аспекты оптимизации варизонных слоев по выходу
люминесценции
С. Л. Шмаков
|
1099–1103 |
|
|
Квантовый выход фотолюминесценции в твердых
растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($0.4<x<0.74$)
Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, А. И. Ижнин, В. А. Смирнов
|
1103–1106 |
|
|
Аннотации депонированных статей
|
|
|
Изменение свойств контакта в процессе протекания тока
в системе In$-$CdS$-$In
Б. Л. Тиман, А. П. Карпова, С. М. Селин
|
1107 |
|
|
Критика и библиография
|
|
|
Новые книги по полупроводникам
В. И. Козуб
|
1108–1113 |
Обратная связь: