|
|
1991, Volume 25, Issue 9
|
 |
|
 |
|
Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации
и рекомбинационно-стимулированные явления в полупроводниках (обзор)
V. N. Abakumov, A. A. Pokhomov, I. N. Yassievich
|
1489–1516 |
|
|
Легирование и псевдолегирование аморфного гидрированного кремния (обзор)
O. A. Golikova
|
1517–1535 |
|
|
Конденсация SiH$_{n}$-комплексов и псевдолегирование
в $\alpha$-Si : H
V. A. Ligachev, V. N. Gordeev, V. A. Filikov, Kh. Suleman
|
1536–1541 |
|
|
ИК колебательные спектры GeP
N. N. Syrbu, A. N. Lukin, I. B. Zadnipru
|
1542–1546 |
|
|
Проводимость сверхрешеток с узкими минизонами в квантующих магнитных
полях
O. E. Raichev
|
1547–1552 |
|
|
Низкотемпературный примесный пробой в одноосно деформированных
сплавах германий$-$кремний
Yu. A. Semenyuk, S. I. Shakhovtsova, I. N. Belokurova
|
1553–1559 |
|
|
Экспериментальное наблюдение магнитоэлектрического эффекта
в сурьмянистом индии, помещенном в продольное магнитное поле
G. D. Lobov, E. I. Gratsianskaya
|
1560–1565 |
|
|
Зависимость времени жизни носителей тока в кремнии, легированном
золотом, от степени компенсации
R. S. Kasymova, Kh. R. Abdukarimova
|
1566–1568 |
|
|
Влияние легирующей примеси исходного кристалла на люминесцентные
свойства модифицированного GaAs
N. G. Dzhumamukhambetov, A. G. Dmitriev
|
1569–1573 |
|
|
Диагностика эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на кремниевых
подложках, методами фотолюминесценции и емкостной спектроскопии
T. I. Kol'chenko, V. M. Lomako, S. E. Moroz, O. A. Ponomareva, V. V. Sergeeva, I. N. Tsyplenkov
|
1574–1578 |
|
|
Теория фотоэлектрических и пороговых характеристик фотоприемников
на основе многослойных структур GaAs$-$AlGaAs с квантовыми ямами
F. L. Serzhenko, V. D. Shadrin
|
1579–1588 |
|
|
О влиянии магнитных примесей на гальваномагнитные явления антимонида
галлия $p$-типа проводимости
E. I. Georgitse, V. I. Ivanov-Omskii, V. F. Masterov, F. M. Muntyanu
|
1589–1592 |
|
|
Воздействие излучения 10.6 мкм на краевую люминесценцию
эпитаксиального $n$-GaAs
A. V. Akimov, V. G. Shofman
|
1593–1600 |
|
|
Особенности спектральных характеристик тонкопленочных
фотопреобразователей на основе $a$-Si : H с зеркально отражающим
тыльным контактом
S. M. Manakov, B. S. Suleimenov, T. I. Taurbaev, V. G. Dryukov
|
1601–1606 |
|
|
Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности
дырочной плазмы
V. A. Fedirko, A. A. Zakharova
|
1607–1612 |
|
|
Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре
N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, V. L. Sukhanov
|
1613–1617 |
|
|
Динамические характеристики туннелирования электронов через
двухбарьерную квазипараболическую квантовую яму
E. A. Volkova, A. M. Popov, O. B. Popovicheva
|
1618–1623 |
|
|
Термический отжиг кристаллов GaAs, модифицированных лазерным
излучением
V. D. Andreeva, N. G. Dzhumamukhambetov, A. G. Dmitriev
|
1624–1628 |
|
|
Образование структуры, ответственной за аномальную температурную
зависимость проводимости грани (0001) кристаллов CdS
I. A. Drozdova, N. E. Korsunskaya, I. V. Markevich, E. P. Shulga, M. K. Sheĭnkman
|
1629–1633 |
|
|
Особенности компенсации легирующего действия донорных примесей
вакансиями в Pb$_{0.093}$Sn$_{0.07}$Se
S. A. Nemov, M. K. Zhitinskaya, V. I. Proshin
|
1634–1638 |
|
|
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
T. I. Voronina, T. S. Lagunova, K. D. Moiseev, N. A. Prokofeva, T. B. Popova, M. A. Sipovskaya, V. V. Sherstnev
|
1639–1645 |
|
|
Short Notes
|
|
|
Особенности динамики неравновесных носителей заряда в кристаллах GaAs
при сильном оптическом возбуждении
V. Nyatikshis, D. Noreika, M. Pyatrauskas, S. Iodkazis, M. Lentsner
|
1646–1649 |
|
|
Электронное время жизни в кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с разной
плотностью малоугловых границ
N. N. Grigorev, V. K. Ergakov, L. A. Karachevtseva, K. R. Kurbanov, A. V. Lyubchenko, E. A. Malovichko
|
1649–1652 |
|
|
Диффузия эрбия и тулия в кремнии
D. E. Nazyrov, G. S. Kulikov, R. S. Markovich
|
1653–1654 |
|
|
Определение оптических констант тонких пленок GeS, полученных
импульсным лазерным испарением
V. V. Kindyak, V. V. Moiseenko, A. S. Kindyak, V. F. Gremenok, N. N. Koren, K. P. Grigorev
|
1655–1656 |
|
|
Оптические свойства пленок
(Zn$_{0.265}$Cd$_{0.735}$)$_{3}$(P$_{0.1}$As$_{0.9}$)$_{2}$, полученных
импульсным лазерным испарением
E. E. Matyas, V. F. Gremenok, V. M. Trukhan
|
1656–1658 |
|
|
Электронные ловушки, наведенные в $n$-GaP ионным легированием
фосфором
A. I. Ivashchenko, F. Ya. Kopanskaya, A. I. Solomonov, V. P. Tarchenko
|
1658–1661 |
|
|
Деформационная зависимость коэффициента поглощения света
в ферромагнитных полупроводниках CdCr$_{2}$Se$_{4}$ и HgCr$_{2}$Se$_{4}$
вблизи края фундаментальной полосы
N. G. Bebenin
|
1661–1663 |
|
|
Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов диарсенида
цинка
V. A. Morozova, D. I. Pishchikov, S. M. Loseva, O. G. Koshelev, S. F. Marenkin
|
1664–1666 |
|
|
Температурная зависимость эффекта управления транзистором через
полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия
V. A. Gergel, A. I. Lukyanchenko, A. N. Solyakov, E. A. Il'ichev, É. A. Poltoratskiĭ
|
1667–1670 |
|
|
Влияние магнитного поля на межуровневую релаксацию двумерных
электронов
Yu. L. Ivanov, A. Ya. Shik
|
1670–1673 |
|
|
Исправления к статье «Некоторые особенности
динамики ННЗ в кристаллах кремния
при сильном оптическом возбуждении»
(ФТП. 1991. Т. 25. В. 2. С. 344$-$347)
M. Pyatrauskas, D. Noreika, V. Nyatikshis, A. Banaitis
|
1673 |
|
|
Contact us: