|
|
1991, том 25, выпуск 9
|
 |
|
 |
|
Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации
и рекомбинационно-стимулированные явления в полупроводниках (обзор)
В. Н. Абакумов, А. А. Пахомов, И. Н. Яссиевич
|
1489–1516 |
|
|
Легирование и псевдолегирование аморфного гидрированного кремния (обзор)
О. А. Голикова
|
1517–1535 |
|
|
Конденсация SiH$_{n}$-комплексов и псевдолегирование
в $\alpha$-Si : H
В. А. Лигачев, В. Н. Гордеев, В. А. Филиков, Х. Сулеман
|
1536–1541 |
|
|
ИК колебательные спектры GeP
Н. Н. Сырбу, А. Н. Лукин, И. Б. Заднипру
|
1542–1546 |
|
|
Проводимость сверхрешеток с узкими минизонами в квантующих магнитных
полях
О. Э. Райчев
|
1547–1552 |
|
|
Низкотемпературный примесный пробой в одноосно деформированных
сплавах германий$-$кремний
Ю. А. Семенюк, С. И. Шаховцова, И. Н. Белокурова
|
1553–1559 |
|
|
Экспериментальное наблюдение магнитоэлектрического эффекта
в сурьмянистом индии, помещенном в продольное магнитное поле
Г. Д. Лобов, Е. И. Грацианская
|
1560–1565 |
|
|
Зависимость времени жизни носителей тока в кремнии, легированном
золотом, от степени компенсации
Р. С. Касымова, Х. Р. Абдукаримова
|
1566–1568 |
|
|
Влияние легирующей примеси исходного кристалла на люминесцентные
свойства модифицированного GaAs
Н. Г. Джумамухамбетов, А. Г. Дмитриев
|
1569–1573 |
|
|
Диагностика эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на кремниевых
подложках, методами фотолюминесценции и емкостной спектроскопии
Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз, О. А. Пономарева, В. В. Сергеева, И. Н. Цыпленков
|
1574–1578 |
|
|
Теория фотоэлектрических и пороговых характеристик фотоприемников
на основе многослойных структур GaAs$-$AlGaAs с квантовыми ямами
Ф. Л. Серженко, В. Д. Шадрин
|
1579–1588 |
|
|
О влиянии магнитных примесей на гальваномагнитные явления антимонида
галлия $p$-типа проводимости
Е. И. Георгицэ, В. И. Иванов-Омский, В. Ф. Мастеров, Ф. М. Мунтяну
|
1589–1592 |
|
|
Воздействие излучения 10.6 мкм на краевую люминесценцию
эпитаксиального $n$-GaAs
А. В. Акимов, В. Г. Шофман
|
1593–1600 |
|
|
Особенности спектральных характеристик тонкопленочных
фотопреобразователей на основе $a$-Si : H с зеркально отражающим
тыльным контактом
С. М. Манаков, Б. С. Сулейменов, Т. И. Таурбаев, В. Г. Дрюков
|
1601–1606 |
|
|
Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности
дырочной плазмы
В. А. Федирко, А. А. Захарова
|
1607–1612 |
|
|
Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов
|
1613–1617 |
|
|
Динамические характеристики туннелирования электронов через
двухбарьерную квазипараболическую квантовую яму
Е. А. Волкова, А. М. Попов, О. Б. Поповичева
|
1618–1623 |
|
|
Термический отжиг кристаллов GaAs, модифицированных лазерным
излучением
В. Д. Андреева, Н. Г. Джумамухамбетов, А. Г. Дмитриев
|
1624–1628 |
|
|
Образование структуры, ответственной за аномальную температурную
зависимость проводимости грани (0001) кристаллов CdS
И. А. Дроздова, Н. Е. Корсунская, И. В. Маркевич, Е. П. Шульга, М. К. Шейнкман
|
1629–1633 |
|
|
Особенности компенсации легирующего действия донорных примесей
вакансиями в Pb$_{0.093}$Sn$_{0.07}$Se
С. А. Немов, М. К. Житинская, В. И. Прошин
|
1634–1638 |
|
|
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, К. Д. Моисеев, Н. А. Прокофьева, Т. Б. Попова, М. А. Сиповская, В. В. Шерстнев
|
1639–1645 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Особенности динамики неравновесных носителей заряда в кристаллах GaAs
при сильном оптическом возбуждении
В. Нятикшис, Д. Норейка, М. Пятраускас, С. Йодказис, М. Ленцнер
|
1646–1649 |
|
|
Электронное время жизни в кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с разной
плотностью малоугловых границ
Н. Н. Григорьев, В. К. Ергаков, Л. А. Карачевцева, К. Р. Курбанов, А. В. Любченко, Э. А. Маловичко
|
1649–1652 |
|
|
Диффузия эрбия и тулия в кремнии
Д. Э. Назыров, Г. С. Куликов, Р. Ш. Малкович
|
1653–1654 |
|
|
Определение оптических констант тонких пленок GeS, полученных
импульсным лазерным испарением
В. В. Киндяк, В. В. Моисеенко, А. С. Киндяк, В. Ф. Гременок, Н. Н. Корень, К. П. Григорьев
|
1655–1656 |
|
|
Оптические свойства пленок
(Zn$_{0.265}$Cd$_{0.735}$)$_{3}$(P$_{0.1}$As$_{0.9}$)$_{2}$, полученных
импульсным лазерным испарением
Э. Е. Матяс, В. Ф. Гременок, В. М. Трухан
|
1656–1658 |
|
|
Электронные ловушки, наведенные в $n$-GaP ионным легированием
фосфором
А. И. Иващенко, Ф. Я. Копанская, А. И. Соломонов, В. П. Тарченко
|
1658–1661 |
|
|
Деформационная зависимость коэффициента поглощения света
в ферромагнитных полупроводниках CdCr$_{2}$Se$_{4}$ и HgCr$_{2}$Se$_{4}$
вблизи края фундаментальной полосы
Н. Г. Бебенин
|
1661–1663 |
|
|
Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов диарсенида
цинка
В. А. Морозова, Д. И. Пищиков, С. М. Лосева, О. Г. Кошелев, С. Ф. Маренкин
|
1664–1666 |
|
|
Температурная зависимость эффекта управления транзистором через
полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия
В. А. Гергель, А. И. Лукьянченко, А. Н. Соляков, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий
|
1667–1670 |
|
|
Влияние магнитного поля на межуровневую релаксацию двумерных
электронов
Ю. Л. Иванов, А. Я. Шик
|
1670–1673 |
|
|
Исправления к статье «Некоторые особенности
динамики ННЗ в кристаллах кремния
при сильном оптическом возбуждении»
(ФТП. 1991. Т. 25. В. 2. С. 344$-$347)
М. Пятраускас, Д. Норейка, В. Нятикшис, А. Банайтис
|
1673 |
|
|
Обратная связь: