|
|
2012, том 46, выпуск 11
|
 |
|
 |
|
XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.
|
|
Проблема лазерной генерации в ловушках для бозе-конденсации диполярных экситонов
П. А. Калинин, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский
|
1377–1383 |
|
|
Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и 2D-слоев
А. В. Мурель, А. В. Новиков, В. И. Шашкин, Д. В. Юрасов
|
1384–1387 |
|
|
Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te
С. В. Морозов, М. С. Жолудев, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm
|
1388–1392 |
|
|
Сопоставление различных концепций выращивания квантовых точек InAs на GaAs для лазеров диапазона 1.3 мкм
Ю. Г. Садофьев
|
1393–1397 |
|
|
Определение сечения возбуждения фотолюминесценции иона Er в кремнии в случае однородного и неоднородного оптического возбуждения
Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, В. П. Кузнецов, А. Н. Яблонский
|
1398–1401 |
|
|
Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы
С. В. Морозов, Д. И. Крыжков, В. И. Гавриленко, А. Н. Яблонский, Д. И. Курицын, Д. М. Гапонова, Ю. Г. Садофьев, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова
|
1402–1407 |
|
|
Прототипы фотовольтаических ячеек на основе субфталоцианина с нижним буферным слоем
Г. Л. Пахомов, В. В. Травкин, А. Н. Тропанова, Е. А. Гудков, Ю. Н. Дроздов
|
1408–1413 |
|
|
Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором
В. В. Румянцев, С. В. Морозов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов
|
1414–1418 |
|
|
Анализ состава твердых растворов (Al, Ga)As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии
Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин
|
1419–1423 |
|
|
Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером
К. Е. Спирин, К. П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев
|
1424–1429 |
|
|
Исследование способов уменьшения частоты генерации терагерцового квантово-каскадного лазера с каскадом, состоящим из двух квантовых ям
Д. В. Ушаков, Ю. Г. Садофьев, N. Samal
|
1430–1434 |
|
|
Механизм подзонного возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в кремнии в условиях интенсивной оптической накачки
А. Н. Яблонский, Б. А. Андреев, Д. И. Крыжков, В. П. Кузнецов, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник
|
1435–1439 |
|
|
Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне
Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, Д. М. Гапонова, С. М. Сергеев, Д. И. Курицын, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев
|
1440–1443 |
|
|
Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзонной подсветкой
А. В. Антонов, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Л. Д. Молдавская, В. И. Шашкин
|
1444–1447 |
|
|
Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, К. Е. Кудрявцев, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, Н. Д. Захаров, P. Werner
|
1448–1452 |
|
|
Электрооптическая ловушка для дипольных экситонов
А. В. Горбунов, В. Б. Тимофеев
|
1453–1459 |
|
|
Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии
А. Н. Алексеев, Д. М. Красовицкий, С. И. Петров, В. П. Чалый
|
1460–1462 |
|
|
Электронная оже-спектроскопия и спектроскопия анизотропного отражения монослойных нитридных пленок на поверхностях (001) кристаллов GaAs и GaSb
В. Л. Берковиц, А. Б. Гордеева, Т. В. Львова, В. П. Улин
|
1463–1467 |
|
|
Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом $^{28}$Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла
А. А. Ежевский, С. А. Попков, А. В. Сухоруков, Д. В. Гусейнов, N. V. Abrosimov, H. Riemann
|
1468–1474 |
|
|
Туннелирование и токовые характеристики в двуминизонных сверхрешетках
Ю. Ю. Романова, М. Л. Орлов, Ю. А. Романов
|
1475–1482 |
|
|
Параметрическая генерация высокочастотных гармоник в полупроводниковых сверхрешетках
Ю. Ю. Романова
|
1483–1491 |
|
|
Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия
В. Г. Талалаев, А. А. Тонких, Н. Д. Захаров, А. В. Сеничев, J. W. Tomm, P. Werner, Б. В. Новиков, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин
|
1492–1503 |
|
|
Обратная связь: