|
|
2013, том 47, выпуск 11
|
 |
|
 |
|
Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.
|
|
Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
А. В. Андрианов, П. С. Алексеев, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. Л. Щеглов, М. А. Седова, А. О. Захарьин
|
1441–1445 |
|
|
Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
В. В. Румянцев, А. В. Иконников, А. В. Антонов, С. В. Морозов, М. С. Жолудев, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов
|
1446–1450 |
|
|
Моделирование генерации импульсов ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения в результате кооперативной рекомбинации экситонов в нанокристаллах алмаза, внедренных в полимерную пленку
В. А. Кукушкин
|
1451–1456 |
|
|
Эффекты туннелирования в наклонных магнитных полях в структурах $n$-InGaAs/GaAs c двойными сильно-связанными квантовыми ямами
Ю. Г. Арапов, С. В. Гудина, А. С. Клепикова, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, М. В. Якунин, Б. Н. Звонков
|
1457–1461 |
|
|
Псевдоморфные гетероструктуры GeSn/Ge(001)
А. А. Тонких, В. Г. Талалаев, P. Werner
|
1462–1466 |
|
|
Спин-поляризованные токи в туннельном контакте нормального проводника и двумерного топологического изолятора
А. А. Суханов, В. А. Сабликов
|
1467–1471 |
|
|
Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях
С. В. Морозов, В. В. Румянцев, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов
|
1472–1475 |
|
|
Метастабильные состояния – возможный механизм аномалий кондактанса мезоскопических структур
В. А. Сабликов
|
1476–1480 |
|
|
Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с приповерхностным $\delta$-легированием
А. В. Мурель, В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин
|
1481–1485 |
|
|
Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs
В. Я. Алешкин, А. А. Афоненко, Н. В. Дикарёва, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. В. Морозов, С. М. Некоркин
|
1486–1488 |
|
|
Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb
М. С. Каган, И. В. Алтухов, А. Н. Баранов, Н. Д. Ильинская, С. К. Папроцкий, Р. Тесье, А. А. Усикова
|
1489–1492 |
|
|
Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов
|
1493–1496 |
|
|
Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом
К. П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, А. А. Бирюков, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков
|
1497–1503 |
|
|
Конденсация экситонов в микрорезонаторах в условиях трехмерного квантования
В. П. Кочерешко, А. В. Платонов, П. Саввидис, А. В. Кавокин, Ж. Блез, А. Мариетт
|
1504–1508 |
|
|
Кинетика фотолюминесценции самоформирующихся Ge(Si) островков в многослойных структурах SiGe/Si и SiGe/SOI
А. Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов
|
1509–1512 |
|
|
Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si : Er/Si
А. В. Антонов, К. Е. Кудрявцев, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник
|
1513–1516 |
|
|
Cпектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0–1.2 мкм
С. В. Морозов, Д. И. Крыжков, В. Я. Алешкин, Б. Н. Звонков, О. И. Вихрова
|
1517–1520 |
|
|
Влияние спин-орбитального взаимодействия на структуру основного состояния электронов в кремниевых нанокристаллах
А. А. Конаков, Н. В. Курова, В. А. Бурдов
|
1521–1525 |
|
|
Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами
М. Я. Винниченко, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, М. О. Машко, Р. М. Балагула, G. L. Belenky, L. Shterengas, G. Kipshidze
|
1526–1529 |
|
|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
|
|
|
Особенности формирования спектров электролюминесценции квантово-размерных кремниевых $p^+$–$n$-гетеропереходов в инфракрасном диапазоне длин волн
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, Р. В. Кузьмин, А. М. Маляренко, В. А. Машков
|
1530–1535 |
|
|
Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs
Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев
|
1536–1541 |
|
|
Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода
В. А. Щукин, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, С. А. Блохин, И. И. Новиков, Н. А. Богословский, А. В. Савельев
|
1542–1553 |
|
|
Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiH/6H-SiC
А. А. Лебедев, М. В. Заморянская, С. Ю. Давыдов, Д. А. Кириленко, С. П. Лебедев, Л. М. Сорокин, Д. Б. Шустов, М. П. Щеглов
|
1554–1558 |
|
|
Персоналии
|
|
|
Бахрам Мехралы оглы Аскеров
|
1559–1560 |
|
|
Обратная связь: