|
|
2013, том 47, выпуск 4
|
 |
|
 |
|
Электронные свойства полупроводников
|
|
Экспериментальное наблюдение гигантского зеемановского расщепления уровня легкой дырки в квантовой яме GaAs/AlGaAs
П. В. Петров, Ю. Л. Иванов
|
433–434 |
|
|
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
|
|
|
Влияние $\gamma$-облучения на фотолюминесценцию кристаллов Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te, предварительно обработанных интенсивным излучением неодимового лазера
К. Д. Глинчук, А. П. Медвидь, А. М. Мычко, Ю. Н. Насека, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук
|
435–441 |
|
|
Исследование фотомодулированного отражения монокристаллов 6H-SiC
А. Н. Грузинцев
|
442–446 |
|
|
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
|
|
|
Релаксационная самоорганизация поверхности кристаллов кремния под воздействием СВЧ плазменной микрообработки
В. Я. Шаныгин, Р. К. Яфаров
|
447–459 |
|
|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
|
|
|
Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO$_2$
А. В. Ершов, И. А. Чугров, Д. И. Тетельбаум, А. И. Машин, Д. А. Павлов, А. В. Нежданов, А. И. Бобров, Д. А. Грачев
|
460–465 |
|
|
Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах AlGaAs/$n$-GaAs/AlGaAs
В. Я. Алешкин, Д. И. Бурдейный
|
466–472 |
|
|
Электрические свойства полупроводниковых квантовых точек
В. Ф. Харламов, Д. А. Коростелёв, И. Г. Богораз, О. А. Миловидова, В. О. Сергеев
|
473–479 |
|
|
Метастабильные состояния в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Sm, Eu, Eu + Sm
М. М. Мездрогина, Ю. В. Кожанова
|
480–489 |
|
|
Особенности полевой генерации неосновных носителей заряда в структурах Si–SiO$_2$
А. П. Барабан, П. П. Коноров, В. А. Дмитриев, В. А. Прокофьев
|
490–492 |
|
|
Теория баллистических токов, ограниченных объемным зарядом, в наноструктурах разной размерности
М. В. Безногов, Р. А. Сурис
|
493–502 |
|
|
Электрическое детектирование циклотронного резонанса дырок в кремниевых наноструктурах
Н. Т. Баграев, Д. С. Гец, Э. Ю. Даниловский, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко
|
503–509 |
|
|
Исследование влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение МНЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs
Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, И. С. Васильевский, О. М. Жигалина, Е. А. Климов, В. Г. Жигалина, Р. М. Имамов
|
510–515 |
|
|
Физика полупроводниковых приборов
|
|
|
Полевой транзистор на основе наностержней ZnO с изменяемым пороговым напряжением отсечки
А. Н. Грузинцев, А. Н. Редькин, C. Opoku, М. Н. Шкунов
|
516–520 |
|
|
Зависимость дифференциальной емкости $p^+$–$n$-перехода от напряжения
Н. А. Шеховцов
|
521–531 |
|
|
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
|
|
|
Изучение морфологии и оптических свойств анодных оксидных слоев на InAs(111)A
Н. А. Валишева, В. Н. Кручинин, О. Е. Терещенко, А. С. Кожухов, Т. А. Левцова, С. В. Рыхлицкий, Д. В. Щеглов
|
532–537 |
|
|
Поведение Bi в решетке CdTe и эффект компенсации в CdTe : Bi
С. А. Колосов, В. С. Кривобок, Ю. В. Клевков, А. Ф. Адиятуллин
|
538–545 |
|
|
Структурные и оптические свойства тонких пленок In$_2$O$_3$, полученных автоволновым окислением
И. А. Тамбасов, В. Г. Мягков, А. А. Иваненко, И. В. Немцев, Л. Е. Быкова, Г. Н. Бондаренко, Ю. Л. Михлин, И. А. Максимов, В. В. Иванов, С. В. Балашов, Д. С. Карпенко
|
546–550 |
|
|
Исследование характеристик фоторезисторов на основе гидрохимически осажденных пленок твердого раствора Pb$_{0.902}$Sn$_{0.098}$Se
Х. Н. Мухамедзянов, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева
|
551–556 |
|
|
Использование поперечного акустоэлектрического эффекта для исследования заряжения поверхности кремния при адсорбции воды
В. Л. Громашевский, Н. П. Татьяненко, Б. А. Снопок
|
557–563 |
|
|
Синтез и характеризация наноструктурированных слоев оксида цинка для сенсорики
Л. К. Крастева, Д. Ц. Димитров, К. И. Папазова, Н. К. Николаев, Т. В. Пешкова, В. А. Мошников, И. Е. Грачева, С. С. Карпова, Н. В. Канева
|
564–569 |
|
|
Персоналии
|
|
|
Юрий Васильевич Копаев (21.10.1937–24.12.2012)
|
570–571 |
|
|
К 100-летию со дня рождения члена-корреспондента АН СССР (РАН), профессора, доктора физико-математических наук Курбатова Леонида Николаевича
|
572–573 |
|
|
Обратная связь: