|
|
2016, том 50, выпуск 12
|
 |
|
 |
|
К юбилею главного редактора журнала академика Роберта Арнольдовича Суриса
|
1585–1586 |
|
|
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
|
|
|
Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, Д. И. Курицын, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen
|
1587–1591 |
|
|
Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах
Н. В. Сибирев, А. А. Корякин, В. Г. Дубровский
|
1592–1594 |
|
|
Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
Е. А. Суровегина, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. М. Горбачев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, А. Б. Мучников, В. В. Чернов, Д. Б. Радищев, Д. Е. Батлер
|
1595–1598 |
|
|
Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
Е. А. Тарасова, Е. С. Оболенская, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. В. Неженцев, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, Г. В. Медведев
|
1599–1604 |
|
|
Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения
Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, А. Ю. Чурин, С. В. Оболенский, В. А. Козлов
|
1605–1609 |
|
|
Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, М. Ю. Есин, В. И. Машанов, А. К. Гутаковский, Н. А. Байдакова
|
1610–1614 |
|
|
Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, О. В. Вихрова, А. И. Морозов
|
1615–1619 |
|
|
Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs
В. И. Ушанов, В. В. Чалдышев, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин
|
1620–1624 |
|
|
Асимметричные устройства на основе углеродных нанотрубок для детектирования излучения терагерцового диапазона
Г. Е. Федоров, Т. С. Степанова, А. Ш. Газалиев, И. А. Гайдученко, Н. С. Каурова, Б. М. Воронов, Г. Н. Гольцман
|
1625–1628 |
|
|
Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами
А. Н. Яблонский, Р. Х. Жукавин, Н. А. Бекин, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, М. В. Шалеев
|
1629–1633 |
|
|
Когерентность конденсата поляритонов в планарных микрорезонаторах в магнитном поле
А. В. Черненко, А. Рахими-Иман, Ю. Фишер, М. Амтор, К. Шнайдер, С. Райзенштайн, А. Форхел, С. Хёфлинг
|
1634–1638 |
|
|
Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник
М. Н. Коряжкина, С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов
|
1639–1643 |
|
|
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen
|
1644–1646 |
|
|
Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек
П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, В. В. Чернов, В. А. Исаев, С. А. Богданов, А. Б. Мучников
|
1647–1651 |
|
|
Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах
В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Д. В. Марин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, А. В. Царенко, М. В. Якушев
|
1652–1656 |
|
|
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, П. А. Юнин
|
1657–1661 |
|
|
Твердый раствор PbSnTe : In – уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность
Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, В. Н. Шумский, В. С. Эпов
|
1662–1668 |
|
|
Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs
С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, А. П. Савельев, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко
|
1669–1674 |
|
|
Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити
А. В. Платонов, В. П. Кочерешко, В. Н. Кац, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Д. В. Авдошина, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette
|
1675–1678 |
|
|
Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, А. М. Кадыков, И. В. Тузов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, F. Teppe
|
1679–1684 |
|
|
Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник
|
1685–1689 |
|
|
Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe
|
1690–1696 |
|
|
Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм
К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко
|
1697–1700 |
|
|
Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии
К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин
|
1701–1705 |
|
|
Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии
А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов
|
1706–1712 |
|
|
Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, С. В. Морозов, С. П. Супрун, В. С. Эпов, А. В. Иконников, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев
|
1713–1719 |
|
|
Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков
|
1720–1724 |
|
|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
|
|
|
Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем
К. С. Денисов, И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев, E. Lähderanta
|
1725 |
|
|
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
|
|
|
Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
М. Б. Караваев, Д. А. Кириленко, Е. В. Иванова, Т. Б. Попова, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская
|
1726 |
|
|
Обратная связь: