|
|
2018, том 52, выпуск 11
|
 |
|
 |
|
К столетию Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе
|
1255–1256 |
|
|
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
|
|
|
Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, H.-W. Hübers, В. И. Гавриленко
|
1257–1262 |
|
|
Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
В. В. Румянцев, Н. С. Куликов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. В. Иконников, А. С. Казаков, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко
|
1263–1267 |
|
|
Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, Д. С. Пономарев, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, И. С. Васильевский, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, О. Ю. Волков, В. В. Павловский, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко
|
1268–1273 |
|
|
Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл
Л. С. Бовкун, К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, К. Е. Спирин, В. Я. Алешкин, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко
|
1274–1279 |
|
|
Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах
Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев
|
1280–1285 |
|
|
Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, И. Н. Антонов
|
1286–1290 |
|
|
Модель “петли экстремумов” для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе
С. В. Гудина, А. С. Боголюбский, В. Н. Неверов, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин
|
1291–1294 |
|
|
Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео–Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений
А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов
|
1295–1299 |
|
|
Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на $a$-срезе сапфира (11$\bar2$0)
П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, В. А. Григорьев
|
1300–1303 |
|
|
Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, Д. А. Кириленко, Н. В. Крыжановская
|
1304–1307 |
|
|
Экспериментальное исследование усиления спонтанной эмиссии в микрорезонаторах на основе таммовских плазмонов с органической активной областью
К. М. Морозов, К. А. Иванов, N. Selenin, S. Mikhrin, D. De Sa Pereira, C. Menelaou, A. P. Monkman, М. А. Калитеевский
|
1308–1312 |
|
|
Модификация ферромагнитных свойств тонких пленок Si$_{1-x}$Mn$_{x}$, синтезируемых методом импульсного лазерного осаждения при изменении давления буферного газа
О. А. Новодворский, В. А. Михалевский, Д. С. Гусев, А. А. Лотин, Л. С. Паршина, О. Д. Храмова, Е. А. Черебыло, А. Б. Дровосеков, В. В. Рыльков, С. Н. Николаев, К. Ю. Черноглазов, К. И. Маслаков
|
1313–1316 |
|
|
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Д. А. Кириленко, П. А. Алексеев, Г. Э. Цырлин
|
1317–1320 |
|
|
Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек
П. А. Юнин, П. В. Волков, Ю. Н. Дроздов, А. В. Колядин, С. А. Королев, Д. Б. Радищев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин
|
1321–1325 |
|
|
Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. Von Helversen, C. De la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein
|
1326–1330 |
|
|
Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Е. В. Скороходов, В. А. Вербус, А. Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, Н. С. Гусев, К. Е. Кудрявцев, А. В. Нежданов, А. И. Машин
|
1331–1336 |
|
|
Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток
Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Е. С. Оболенская
|
1337–1345 |
|
|
Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
С. А. Рудин, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, П. Л. Новиков, А. В. Ненашев, Е. Е. Родякина, А. В. Двуреченский
|
1346–1350 |
|
|
Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
А. Е. Жуков, Н. Ю. Гордеев, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. А. Серин, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов
|
1351–1356 |
|
|
Подвижность и квантовое время бесщелевых дираковских электронов в квантовых ямах HgTe
А. А. Добрецова, З. Д. Квон, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин, Н. Н. Михайлов
|
1357–1361 |
|
|
Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl
А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. В. Скороходов, В. И. Шашкин
|
1362–1365 |
|
|
Разработка физико-топологической модели реакции мощного вертикального ДМОП транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения
А. В. Хананова, С. В. Оболенский
|
1366–1372 |
|
|
Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Т. С. Шамирзаев
|
1373–1379 |
|
|
Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на $a$-срезе сапфира
Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин
|
1380–1383 |
|
|
Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках
К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, Д. В. Юрасов, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Новиков, З. Ф. Красильник
|
1384–1389 |
|
|
Многофононная внутрицентровая релаксация состояний акцепторов бора в алмазе
Н. А. Бекин
|
1390–1394 |
|
|
Обратная связь: