|
|
2018, том 52, выпуск 12
|
 |
|
 |
|
К столетию со дня рождения профессора С. М. Рывкина (1918–1981)
|
1399–1400 |
|
|
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
|
|
|
Эффект поля в пленках PbSnTe : In с низкой проводимостью в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, В. С. Эпов
|
1401–1406 |
|
|
Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, C. А. Тийс, Е. В. Федосенко, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, Ildikó Cora, Béla Pécz
|
1407–1413 |
|
|
Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного $\gamma$- и $\gamma$-нейтронного облучения
М. М. Венедиктов, Е. А. Тарасова, А. Д. Боженькина, С. В. Оболенский, В. В. Елесин, Г. В. Чуков, И. О. Метелкин, М. А. Кревский, Д. И. Дюков, А. Г. Фефелов
|
1414–1420 |
|
|
Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Л. А. Истомин, С. Б. Левичев
|
1421–1424 |
|
|
Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, И. В. Штром, А. Д. Буравлев
|
1425–1429 |
|
|
Электрическая перестройка усиления терагерцового излучения в периодической плазмонной графеновой структуре с инжекцией носителей заряда
О. В. Полищук, Д. В. Фатеев, В. В. Попов
|
1430–1435 |
|
|
Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. И. Морозов, P. Karakolis, P. Dimitrakis
|
1436–1442 |
|
|
Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов
|
1443–1446 |
|
|
Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs
С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, Е. В. Ильченко, В. Н. Неверов, А. П. Савельев, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко
|
1447–1454 |
|
|
Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, Ю. М. Кузнецов, А. А. Попов, Е. А. Ланцев, А. В. Боряков, В. Е. Котомина
|
1455–1459 |
|
|
Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs
И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, И. Ю. Пашенькин, Н. В. Дикарева, А. Б. Чигинева
|
1460–1463 |
|
|
Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин
|
1464–1468 |
|
|
Внутрицентровая релаксация мелких доноров мышьяка в деформированном германии. Инверсия населенностей при оптическом возбуждении
В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин
|
1469–1476 |
|
|
Сингулярность плотности состояний и анизотропия транспорта в двумерном электронном газе со спин-орбитальным взаимодействием в параллельном магнитном поле
В. А. Сабликов, Ю. Я. Ткач
|
1477–1481 |
|
|
Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами
К. Е. Спирин, Д. М. Гапонова, К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий
|
1482–1485 |
|
|
Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников
К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко
|
1486–1490 |
|
|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
|
|
|
Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом
И. С. Шашкин, О. С. Соболева, П. С. Гаврина, В. В. Золотарев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин
|
1491–1498 |
|
|
Полосковая структура для изорешеточных квантовых каскадных лазеров
В. В. Мамутин, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, А. В. Лютецкий
|
1499–1502 |
|
|
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники
|
|
|
Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин
|
1503–1506 |
|
|
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
|
|
|
Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. О. Михайлов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, И. В. Илькив, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин
|
1507–1511 |
|
|
Углеродные системы
|
|
|
Переход между электронной локализацией и антилокализацией, а также проявление фазы Берри в графене на поверхности SiC
Н. В. Агринская, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, М. А. Шахов, E. Lahderanta
|
1512–1517 |
|
|
Физика полупроводниковых приборов
|
|
|
Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями
Л. В. Асрян, Ф. И. Зубов, Ю. С. Балезина (Полубавкина), Э. И. Моисеев, М. Е. Муретова, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков
|
1518–1526 |
|
|
Устойчивость высоковольтных (1430 В) 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов к лавинному пробою
П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, А. С. Потапов
|
1527–1531 |
|
|
Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами
В. В. Козловский, А. А. Лебедев, К. С. Давыдовская, Ю. В. Любимова
|
1532–1534 |
|
|
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
|
|
|
Электрические свойства тонких пленок оксида индия, полученных методом плазменно-термического испарения
А. С. Ильин, А. Н. Мацукатова, П. А. Форш, Yu. Vygranenko
|
1535–1538 |
|
|
Обратная связь: