|
|
2021, том 55, выпуск 10
|
 |
|
 |
|
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.
|
|
Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия
А. И. Охапкин, С. А. Краев, Е. А. Архипова, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов
|
837–840 |
|
|
Поперечный эффект Нернста–Эттинсгаузена в двумерном электронном газе двоякопериодической полупроводниковой сверхрешетки
А. А. Перов, П. В. Пикунов
|
841–845 |
|
|
Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов
Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, Е. С. Семёновых, С. В. Хазанова, С. В. Оболенский
|
846–849 |
|
|
Особенности затухания и усиления терагерцовых плазмонных мод в графене с учетом пространственной дисперсии
О. В. Полищук, Д. В. Фатеев, В. В. Попов
|
850–854 |
|
|
Расчет эффективности удвоения частоты излучения субтерагерцового гиротрона за счет решеточной нелинейности в монокристаллической пластине InP
В. В. Румянцев, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, С. С. Морозов, А. А. Богдашов, В. В. Паршин, М. Ю. Глявин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов
|
855–860 |
|
|
Расчет температурной зависимости энергии состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe
М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, С. В. Морозов
|
861–868 |
|
|
Модель терагерцового квантово-каскадного лазера на основе двумерного плазмона
А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин
|
869–871 |
|
|
Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs
Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, О. Л. Голиков, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков
|
872–876 |
|
|
Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка
Д. В. Дмитриев, Д. А. Колосовский, Е. В. Федосенко, А. И. Торопов, К. С. Журавлев
|
877–881 |
|
|
Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге
М. В. Байдакова, Н. А. Берт, В. Ю. Давыдов, А. В. Ершов, А. А. Левин, А. Н. Смирнов, Л. А. Cокура, О. М. Сресели, И. Н. Яссиевич
|
882–889 |
|
|
Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP
В. А. Беляков, И. В. Макарцев, А. Г. Фефелов, С. В. Оболенский, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Н. А. Малеев
|
890–894 |
|
|
Модификация электронных свойств поверхности $n$-InP(100) сульфидными растворами
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов
|
895–900 |
|
|
Долинно-орбитальное взаимодействие в германии, легированном донорами V группы: количественный анализ
А. А. Ревин, А. М. Михайлова, А. А. Конаков, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин
|
901–907 |
|
|
Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин
|
908–911 |
|
|
Фотонные кристаллы BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$, сформированные золь-гель методом
Н. В. Гапоненко, П. А. Холов, Ю. Д. Корнилова, Е. И. Лашковская, В. А. Лабунов, И. Л. Мартынов, Е. В. Осипов, А. А. Чистяков, Н. И. Каргин, Т. Ф. Райченок, С. А. Тихомиров
|
912–915 |
|
|
Кремниевый металл-оксид-полупроводник транзистор с зависимым контактом к карману и двухслойным поликремниевым затвором
Т. А. Шоболова, А. С. Мокеев, С. Д. Рудаков, С. В. Оболенский, Е. Л. Шоболов
|
916–921 |
|
|
Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe
В. В. Уточкин, А. А. Дубинов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов
|
922–926 |
|
|
Электронные свойства полупроводников
|
|
|
Impact of (Pr, Dy) co-doping at Bi site on optical and multiferroic properties of BiFeO$_3$ ceramics prepared by sonochemical method
A. Bismibanu, Pradeep Reddy Vanga, M. Alagar, Thangaraj Selvalakshmi, I. B. Shameem Banu, M. Ashok
|
927 |
|
|
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
|
|
|
Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, Е. И. Шек
|
928–931 |
|
|
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
|
|
|
Легированный кремнием GaSb, выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III
Р. В. Левин, А. С. Власов, Б. В. Пушный
|
932–936 |
|
|
Структурные и электрофизические свойства пленок PbS, легированных Cr$^{3+}$ в процессе химического осаждения
Л. Н. Маскаева, Е. В. Мостовщикова, В. И. Воронин, А. В. Поздин, И. О. Селянин, И. А. Анохина, В. Ф. Марков
|
937–946 |
|
|
Arsine flow rate effect on the low growth rate epitaxial InGaAs layers
I. Demir, I. Altuntas, S. Elagoz
|
947 |
|
|
Waveguiding regime control by varying the refractive index for MgZnO sprayed thin films
Y. Bouachiba, A. Taabouche, A. Bouabellou, A. M. Zemieche, N. Ghellil, H. Serrar, R. Aouati, H. Djaaboube, F. Hanini, C. Boukentoucha
|
948 |
|
|
Enhanced of blue and green emission by Ce–ZnO thin films prepared by sol-gel technique
F. Boufelgha, N. Brihi, F. Labreche, H. Guendouz, A. Barbadj
|
949 |
|
|
Dependence of ZnCl$_2$ precursor concentrations on structural, optical, and cathodoluminescence properties of spin-coated ZnO thin films
E. Elmahboub, A. El Hamidi, A. El Hichou, M. Mansori
|
950 |
|
|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
|
|
|
Проявления процессов резонансного туннелирования и случайных флуктуаций потенциала с участием уровней квантовых точек в релаксации фототока $p$–$i$–$n$ GaAs/AlAs-гетероструктур
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин
|
951–955 |
|
|
Физика полупроводниковых приборов
|
|
|
Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, М. В. Нахимович, М. З. Шварц
|
956–959 |
|
|
Enhancement of breakdown characteristics of AlGaN|GaN HEMT with back barrier plus high-$k$ passivation layer
S. X. Sun, Y. H. Zhong, Y. F. Hu, R. X. Yao
|
960 |
|
|
Обратная связь: