|
|
2022, том 56, выпуск 6
|
 |
|
 |
|
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
|
|
The effect of liquid Silicon on the AlN crystal growth
A. N. Anisimov, I. D. Breev, K. V. Likhachev, O. P. Kazarova, S. S. Nagalyuk, P. G. Baranov, R. Hübner, G. V. Astakhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, M. P. Scheglov, E. N. Mokhov
|
527 |
|
|
Электронные свойства полупроводников
|
|
|
Особенности электрофизических параметров кремния, легированного последовательно примесными атомами фосфора и бора
Х. Ф. Зикриллаев, К. С. Аюпов, Г. Х. Мавлонов, А. А. Усмонов, М. М. Шоабдурахимова
|
528–532 |
|
|
Low frequency Compressional modes in degenerate semiconductor plasmas
Ch. Rozina, N. Maryam
|
533 |
|
|
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
|
|
|
Фазовые превращения в композитных пленках системы Se-Cu, полученных взрывной кристаллизацией и термическим отжигом
В. Я. Когай, Т. Н. Могилева, А. Е. Фатеев, Г. М. Михеев
|
534–540 |
|
|
Synchrotron radiation photoemission study of the electronic structure of the ultrathin K/AlN interface
G. V. Benemanskaya, S. N. Timoshnev, G. N. Iluridze, T. A. Minashvili
|
541 |
|
|
Эффективность возбуждения центров дислокационной люминесценции в кремнии с кислородными преципитатами
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, Е. И. Шек, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков
|
542–545 |
|
|
Irradiation of Cu(In, Ga)Se$_2$ Thin Films by 10 MeV Electrons at 77 K: Effect on Photoluminescence Spectra
M. A. Sulimov, M. N. Sarychev, I. A. Mogilnikov, V. Yu. Ivanov, V. A. Volkov, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, M. V. Yakushev
|
546 |
|
|
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
|
|
|
Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния
П. В. Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Н. С. Буйлов, К. А. Барков, Д. Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Ш. Шарофидинов, Л. С. Вавилова, С. А. Кукушкин, И. А. Касаткин
|
547–552 |
|
|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
|
|
|
Размерное моделирование синтеза и проводимости коллоидных квантовых точек
Н. Д. Жуков, М. В. Гавриков, С. Н. Штыков
|
553–558 |
|
|
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники
|
|
|
Поляризационные процессы в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.0}$Fe$_{1.0}$S$_{56.5}$
Р. А. Кастро Арата, Г. И. Грабко, А. А. Кононов, Н. И. Анисимова, М. Крбал, А. В. Колобов
|
559–565 |
|
|
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
|
|
|
Влияние освещенности и температуры на тензосвойства кремния с нанокластерами атомов марганца
С. А. Турсынбаев
|
566–569 |
|
|
Фотолюминесценция сульфида цинка, легированного ионами Mn$^{2+}$ и Eu$^{3+}$ в среде додекана
Л. В. Затонская, В. П. Смагин, Е. П. Харнутова, Е. В. Игнатов
|
570–575 |
|
|
Многослойная сенсорная структура на основе пористого кремния
В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, К. Е. Ивлев
|
576–579 |
|
|
Влияние морфологии на фононную теплопроводность нанопроволок Si, Ge и Si/Ge типа ядро/оболочка
И. И. Холяво, А. Л. Хомец, И. В. Сафронов, А. Б. Филонов, Д. Б. Мигас
|
580–586 |
|
|
Исследование кристаллической структуры, оптических и электрофизических свойств нового полупроводникового материала Cu$_2$CrSnS$_4$ для тонкопленочных солнечных элементов
М. В. Гапанович, И. Н. Один, И. М. Левин, В. В. Ракитин, Д. М. Седловец, Г. В. Шилов, Д. В. Корчагин
|
587–590 |
|
|
Физика полупроводниковых приборов
|
|
|
Размерный эффект в МОП-структурах при ионизирующем облучении
О. В. Александров
|
591–595 |
|
|
Влияние низкой температуры на электрофизические и шумовые характеристики ультрафиолетовых светодиодов на основе структур с квантовыми ямами InGaN/GaN
А. М. Иванов, А. В. Клочков
|
596–600 |
|
|
Исследование пространственных характеристик излучения поверхностно-излучающих квантово-каскадных лазеров с кольцевым резонатором
А. В. Бабичев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, Д. В. Денисов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. В. Дюделев, В. П. Евтихиев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский
|
601–606 |
|
|
О формировании низкоомных контактов для биполярных приборов на основе 4H-SiC
А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, А. В. Серков, Д. А. Чигирев
|
607–610 |
|
|
Обратная связь: