|
|
1983, том 9, выпуск 20
|
 |
|
 |
|
Инжекционно-лавинный механизм запуска реверсивно-включаемых
динисторов в субмикросекундном диапазоне
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Л. С. Костина, А. В. Наливкин
|
1217–1221 |
|
|
Анизотропный захват двух собственных глубоких центров при жидкофазной
эпитаксии арсенида галлия
С. И. Чикичев, В. А. Калухов
|
1221–1224 |
|
|
Повышение энергетических характеристик и ресурса работы непрерывных
технологических CO$_{2}$-ЭИЛ за счет использования пятикомпонентных
лазерных смесей
А. П. Аверин, Н. Г. Басов, Е. П. Глотов, В. А. Данилычев, О. М. Керимов, М. М. Малыш, A. M. Сорока, В. Е. Цепелев, Н. В. Чебуркин
|
1224–1228 |
|
|
Колебания в плазменной линзе и их влияние на фокусируемый ионный
пучок
И. С. Гасанов, И. М. Проценко
|
1228–1232 |
|
|
Структура Оже-спектров при ионной бомбардировке монокристаллов
В. Ю. Китов, Э. С. Парилис
|
1232–1237 |
|
|
Электростатические линзы с переменной апертурой
Л. П. Овсянникова, Е. В. Шпак, С. Я. Явор
|
1237–1239 |
|
|
Комбинационное преобразование частоты встречных магнитостатических
волн с возбуждением сверхсветовых волн намагничивания
Г. Т. Казаков, Е. С. Пылаев
|
1240–1243 |
|
|
Резонансное и краевое усиление электрического поля в слое плазменного
резонанса и ускорение частиц
на плазменных неоднородностях
Г. А. Аскарьян, С. В. Буланов
|
1243–1247 |
|
|
МДП-диоды на основе InSb и InAs с $N$-образной ВАХ в области
инверсионных напряжений
С. Г. Сазонов, О. В. Романов
|
1247–1250 |
|
|
Высокоэффективные $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs
солнечные фотоэлементы с КПД
19% (AM 0)
и 24% (AM 1.5)
В. М. Андреев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, О. М. Федорова, Ш. Ш. Шамухамедов
|
1251–1254 |
|
|
Волновое поле, рассеянное трехмерной фазовой голограммой,
в пространственно-частотном представлении
Ю. Л. Корзинин, В. И. Суханов
|
1254–1258 |
|
|
Влияние периодической структуры монокристалла на излучение
каналированных частиц
О. В. Ануфриев, Л. И. Николайчук, Н. А. Xижняк
|
1259–1262 |
|
|
Использование фазовых переходов смектик A $-$ нематик для
терморегистрации
Л. М. Клюкин, А. Н. Несруллаев, А. С. Сонин
|
1263–1267 |
|
|
Дисперсия ПЭВ на полупроводниках с периодическим рельефом,
образующимся в процессе воздействия интенсивного излучения
В. В. Баженов, A. M. Бонч-Бруевич, М. Н. Либенсон, B. C. Макин, С. Д. Пудков, В. В. Трубаев
|
1268–1271 |
|
|
Транзисторный эффект в двухполюсной $n^{+}pNn^{+}$-структуре при ее
импульсном инжекционном возбуждении
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, А. В. Наливкин
|
1271–1275 |
|
|
Рекомбинация через глубокие центры
при электронно-дырочном рассеянии
в полупроводниках
И. В. Грехов, А. Е. Отблеск
|
1275–1278 |
|
|
Обратная связь: