|
1990, том 16, выпуск 19
|
|
|
|
|
Гистерезис на вольт-амперных характеристиках цепочек торцевых
переходов Джозефсона под действием СВЧ-излучения А. Л. Гудков, И. Я. Краснополин, В. Н. Лаптев, В. И. Махов
|
1–6 |
|
Теплопроводность суспензии ВТСП-керамики в жидком азоте Д. Б. Бимбад, Э. Т. Брук-Левинсон, С. А. Танаева, В. Е. Фертман
|
6–7 |
|
К теории автомодуляционной неустойчивости колебаний в связанных
карсинотронах В. А. Балакирев, А. О. Островский, Ю. В. Ткач
|
8–12 |
|
Светоиндуцированная гиротропия (фотогиротропия) центров окраски
активированных стекол В. И. Тарасашвили, Ш. Д. Какичашвили
|
12–16 |
|
Условия спонтанного образования автосолитонов в слабонеоднородных
неравновесных системах Б. С. Кернер, С. Л. Кленов
|
16–21 |
|
Об аномальной устойчивости криогенного $Z$-пинча И. Т. Якубов
|
21–24 |
|
Эрозионная повреждаемость поверхности твердого тела под действием
потока частиц С. Н. Буравова
|
24–28 |
|
Индуцированная циркулярно поляризованным светом гиротропия
(фотогиротропия) в протравных азокрасителях Ш. Д. Какичашвили
|
28–32 |
|
AlGaAs одночастотные квантоворазмерные лазерные диоды с пороговым
током генерации 1мА, полученные ЖФЭ В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, А. А. Бородкин, А. Б. Казанцев, А. З. Мереуцэ, В. Н. Пенкин, А. В. Смирнов, А. В. Сырбу, В. П. Яковлев
|
32–35 |
|
О возможности регистрации треков элементарных частиц по принципу
голографического вычитания изображений С. Н. Малов, И. Р. Михайлова
|
35–39 |
|
Консервация энергии РЭП в азоте С. Н. Кабанов, А. А. Королев, Т. И. Тархова
|
39–42 |
|
О вероятности реализации холодного ядерного синтеза В. А. Филимонов
|
42–46 |
|
Светосильный метод измерения энергетических спектров электронов С. Д. Евтушенко, С. И. Мошкунов, И. Н. Сисакян, В. Ю. Xомич
|
47–51 |
|
Наблюдение выхода нейтронов
при электролизе тяжелой воды Ю. А. Башкиров, Р. Х. Баранова, Б. Г. Базанин, В. М. Казакова
|
51–55 |
|
Фотопреобразователи на основе AlGaAs$-$GaAs гетероструктур для
сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений В. М. Андреев, B. C. Калиновский, В. Р. Ларионов, М. М. Миланова, К. Я. Расулов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков
|
56–59 |
|
К вопросу о составе и стехиометрии поверхности GaAs, получаемом
в процессе жидкофазной эпитаксии
при изовалентном легировании А. А. Аристархова, Ю. Ф. Бирюлин, С. С. Волков, С. В. Новиков, М. Ю. Тимашев
|
59–61 |
|
Роль отрицательных ионов в процессе взрывной эмиссии Ю. В. Красняк, О. А. Синкевич
|
62–65 |
|
Стабильность свойств (состав, структура) пассивированной водородом
Si (001) поверхности в процессе предэпитаксиальной термообработки В. Г. Антипов, Р. В. Каллион, С. А. Никишин, Д. В. Синявский
|
66–69 |
|
Электроабсорбционная бистабильность волноводной
$P{-}i{-}N$ ДГС с туннельно-резонансным механизмом выноса фотогенерируемых
носителей И. Н. Долманов, В. И. Толстихин
|
69–75 |
|
Углеродные пленки, полученные импульсной конденсацией в вакууме А. В. Станишевский, Э. И. Точицкий
|
76–78 |
|
Сжигание твердого топлива лазерным импульсом А. Я. Воробьев, М. Н. Либенсон
|
79–83 |
|
Электрогидродинамическая эмиссия положительных и отрицательных
ионов Н. В. Алякринская, В. В. Кавицкий, В. Б. Казначеев, А. Б. Мокров
|
83–86 |
|
Диссициативная ионизация молекул CdJ$_{2}$ электронным ударом А. Н. Коноплев, В. Н. Славик, B. C. Шевера
|
86–89 |
|
Наблюдение нейтронов при кавитационном воздействии
на дейтерийсодержащие среды А. Г. Липсон, В. А. Клюев, Б. В. Дерягин, Ю. П. Топоров, М. Г. Сиротюк, О. Б. Хаврошкин, Д. М. Саков
|
89–93 |
|
|