|
|
2015, том 41, выпуск 3
|
 |
|
 |
|
Переходное излучение многозарядных ионов на границе раздела двух сред
В. С. Малышевский, И. А. Иванова
|
1–7 |
|
|
Измерение толщины полупроводниковых подложек в условиях нестационарной температуры с использованием низкокогерентного тандемного интерферометра
П. В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, А. Д. Тертышник
|
8–16 |
|
|
Исследование влияния спектральной чувствительности фотоэлектрических модулей на основе $c$-Si, $\alpha$-Si/$\mu c$-Si и условий эксплуатации на эффективность их работы
Д. А. Богданов, А. В. Бобыль, Е. И. Теруков, В. Н. Вербицкий
|
17–25 |
|
|
Скорость трещин при сверхбыстром нагружении
В. А. Морозов, Г. Г. Савенков, Б. К. Барахтин, А. А. Лукин, Ю. Ф. Гунько, К. А. Рудомёткин
|
26–32 |
|
|
Оптическое ограничение в растворах нитевидных нанокристаллов InP и GaAs и гибридных систем на их основе
В. В. Данилов, А. И. Хребтов, А. С. Панфутова, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, V. Dhaka, H. Lipsanen
|
33–41 |
|
|
Изменение структуры и стехиометрии керамики оксида цинка в процессе спекания в открытой атмосфере
А. Х. Абдуев, А. Ш. Асваров, А. К. Ахмедов, М. Е. Зобов, С. П. Крамынин
|
42–49 |
|
|
Экспериментальное определение времен, амплитуд и протяженности “циклов деформации” капель воды в воздухе
Р. С. Волков, О. В. Высокоморная, Г. В. Кузнецов, П. А. Стрижак
|
50–58 |
|
|
Травление углеродных наностенок в процессе синтеза в плазме разряда постоянного тока
К. В. Миронович, Ю. А. Манкелевич, В. А. Кривченко
|
59–66 |
|
|
К расчету эффективных коэффициентов переноса в монодисперсных суспензиях сферических частиц
Б. В. Бошенятов
|
67–73 |
|
|
Регистрация тока, сопутствующего ионному пучку в ускорителе-тандеме с вакуумной изоляцией
Д. А. Касатов, А. Н. Макаров, С. Ю. Таскаев, И. М. Щудло
|
74–80 |
|
|
Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, В. Г. Лапин, С. В. Щербаков, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, А. А. Капралова
|
81–87 |
|
|
Анализ концентрации дрейфующих электронов в ионном диоде с магнитной самоизоляцией
А. И. Пушкарев, В. Г. Пак
|
88–95 |
|
|
Об инверсии контраста при визуализации гидрофильных поверхностей методом силовой микроскопии с использованием зондов на основе Pt/C-вискеров
М. В. Жуков, И. С. Мухин, В. В. Левичев, А. О. Голубок
|
96–102 |
|
|
Динамика формирования инверсного базового слоя в туннельных МДП-транзисторах в сильных электрических полях
С. В. Белов, Е. В. Остроумова, Е. А. Рогачева
|
103–110 |
|
|
Обратная связь: