|
|
2016, том 42, выпуск 8
|
 |
|
 |
|
Влияние трехмерных капиллярно-пористых покрытий на теплообмен при кипении жидкости
А. С. Суртаев, А. Н. Павленко, В. И. Калита, Д. В. Кузнецов, Д. И. Комлев, А. А. Радюк, А. Ю. Иванников
|
1–9 |
|
|
Исследование энерговыделения в разрядной камере мультикамерной системы молниезащиты
М. Э. Пинчук, А. В. Будин, И. И. Кумкова, А. Н. Чусов
|
10–17 |
|
|
Влияние частичной деформации памяти формы на взрывообразный характер ее восстановления в кристаллах сплава Ni–Fe–Ga–Co при нагреве
В. И. Николаев, П. Н. Якушев, Г. А. Малыгин, А. И. Аверкин, С. А. Пульнев, Г. П. Зограф, С. Б. Кустов, Ю. И. Чумляков
|
18–27 |
|
|
Радиофотонный генератор хаотического и шумового сигналов
А. Б. Устинов, А. В. Кондрашов, Б. А. Калиникос
|
28–36 |
|
|
Разработка алгоритма гидродинамического анализа эволюции квантовых систем в расширяющемся пространстве
С. Ю. Овчинников, А. А. Смирновский, А. А. Шмидт
|
37–44 |
|
|
Динамика импульсной лазерной абляции золота в вакууме в режимах синтеза наноструктурных пленок
С. В. Старинский, Ю. Г. Шухов, А. В. Булгаков
|
45–52 |
|
|
Низкотемпературная диффузия натрия, имплантированного в кремний
А. В. Заставной, В. М. Король
|
53–60 |
|
|
Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов
|
61–69 |
|
|
Сегнетоэлектрические пленки титаната бария-стронция на подложке полуизолирующего карбида кремния
А. В. Тумаркин, С. В. Разумов, А. Г. Гагарин, А. А. Одинец, А. К. Михайлов, И. П. Пронин, В. М. Стожаров, С. В. Сенкевич, Н. К. Травин
|
70–77 |
|
|
Исследование молекулярного пучка Se электронной ионизацией
А. Н. Завилопуло, О. Б. Шпеник, М. И. Микита, А. М. Мылымко
|
78–85 |
|
|
Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, С. И. Трошков, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, А. Ф. Цацульников
|
86–93 |
|
|
Телеграфный шум в туннельных Si $p$–$n$-переходах с наноостровками GeSi
Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, Н. А. Алябина
|
94–101 |
|
|
Графеновые суспензии для 2D-печати
Р. А. Соотс, Е. А. Якимчук, Н. А. Небогатикова, И. А. Котин, И. В. Антонова
|
102–110 |
|
|
Обратная связь: