Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


2020, том 46, выпуск 2  


Эффективные массы и характерные скорости носителей в низкоразмерных структурах A$_{N}$B$_{8-N}$
С. Ю. Давыдов
3–7
Особенности исследования состояния текущей среды методом ядерного магнитного резонанса
В. В. Давыдов, Н. С. Мязин, В. И. Дудкин, Р. В. Давыдов
8–11
Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(10$\bar{1}$2) на наноструктурированной подложке Si(100)
В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев
12–14
Структура и сегнетоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных тонких пленок NaNbO$_{3}$, полученных методом RF-катодного распыления
А. В. Павленко, Д. В. Стрюков, Н. В. Тер-Оганесян
15–18
Параметры высоковольтных разрядов на лопастях винтов вертолета и создаваемых ими электромагнитных помех
М. Е. Гущин, И. Ю. Зудин, С. В. Коробков, А. В. Костров, П. А. Микрюков, С. Э. Привер, А. В. Стриковский, В. С. Сысоев
19–21
Роль пьезоэффекта в аномальной зависимости проводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом от расстояния между контактами
В. Е. Сизов, М. В. Степушкин
22–24
Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра
А. Н. Мацукатова, А. В. Емельянов, А. А. Миннеханов, Д. А. Сахарутов, А. Ю. Вдовиченко, Р. А. Камышинский, В. А. Демин, В. В. Рыльков, П. А. Форш, С. Н. Чвалун, П. К. Кашкаров
25–28
Новый проводящий полимер для литий-ионных аккумуляторов
А. О. Басистая, М. П. Карушев, И. А. Чепурная, В. А. Быков, А. М. Тимонов
29–32
Моделирование заряд-разрядных характеристик суперконденсаторов на основе эквивалентной схемы с фиксированными параметрами
Д. С. Ильющенков, А. А. Томасов, С. А. Гуревич
33–35
Влияние химического состава и локальной атомной упаковки твердосмазочных нанопокрытий MoS$_{x}$ и MoSe$_{x}$ на их трибологические свойства в осложненных условиях
В. Ю. Фоминский, В. Н. Неволин, Д. В. Фоминский, Р. И. Романов, М. Д. Грицкевич
36–39
Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$
М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Е. И. Малышева, А. В. Кудрин, М. В. Ведь, А. В. Здоровейщев
40–43
Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, Д. О. Филатов, Д. А. Серов
44–46
Метод конкурирующих реакций в исследовании процессов удаления паров ненасыщенных органических соединений в воздухе под действием плазмы импульсного разряда
И. Е. Филатов, В. В. Уварин, Д. Л. Кузнецов
47–50
Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей
Л. С. Лунин, О. В. Девицкий, А. А. Кравцов, А. С. Пащенко
51–54
Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024