|
Письма в редакцию
|
|
Фокусировка и кумуляция светотермозвуковых ударных импульсов от вогнутой поверхности, нагреваемой вспышкой света лазера
Г. А. Аскарьян, Л. Д. Клебанов
|
2167–2168 |
|
|
Столкновительный лазер на 2+-системе азота
Б. М. Беркелиев, В. А. Долгих, И. Г. Рудой, А. Ю. Самарин, А. М. Сорока
|
2169–2170 |
|
|
Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов
|
2171–2172 |
|
|
Повышение выхода ИК лазерной диссоциации молекул вблизи поверхности с периодическим рельефом
В. Н. Баграташвили, В. Н. Буримов, А. Н. Жерихин, Л. К. Кузнецова, В. М. Мачанков, В. Н. Окорков, В. Я. Панченко, В. Н. Семиногов, В. И. Соколов, С. И. Цыпина, В. П. Якунин
|
2173–2174 |
|
|
Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87
|
|
|
Краткий обзор материалов конференции
П. Г. Елисеев
|
2175–2177 |
|
|
Влияние спонтанных флуктуаций на спектр излучения инжекционного полупроводникового лазера
Ю. В. Гуляев, Р. А. Сурис, А. А. Тагер, Б. Б. Эленкриг
|
2178–2182 |
|
|
Коэффициент преломления сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений AIIIBV и соответствующих твердых растворов и полупроводниковые волноводные лазерные структуры
К. Унгер
|
2183–2187 |
|
|
Метод расчета электрических и оптических свойств лазерных активных сред
Д. Г. Александров, Ф. И. Филипов
|
2188–2191 |
|
|
Численная модель лазеров с оптическим квазиволноводом
Х. Венцель, Г. Ю. Вюнше
|
2192–2195 |
|
|
Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)
В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, В. П. Дураев, В. И. Кучинский, К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий
|
2196–2198 |
|
|
Простые полупроводниковые импульсные лазеры
Э. Гулициус, А. Абрахам, Т. Шимечек
|
2199–2203 |
|
|
Низкопороговый лазер на 1,3 мкм с гребенчатым волноводом
И. Кортан, Д. Ногавица, Дж. Сарма
|
2204–2207 |
|
|
Инжекционные лазеры на основе системы AlGaAsSb для длины волны 1,6 мкм
А. Л. Вирро, П. Г. Елисеев, П. А. Лыук, Я. К. Фридентал, Ю. Э. Халлер
|
2208–2209 |
|
|
Связь положения p-n-перехода с пороговым током полосковых лазеров, работающих в области 1,3 мкм
И. Валахова, И. Зелинка
|
2210–2213 |
|
|
Дальнее поле излучения поперечных мод в лазерных структурах с раздельным ограничением
И. Б. Петреску-Прахова, С. Лазану, М. Лепша, П. Михайловици
|
2214–2217 |
|
|
Определение квантового выхода в двойных герероструктурах InGaAsP/InP из измерений спонтанного излучения
Б. Рейнландер, А. Антон, Р. Хейлман, Г. Оелгарт, Ф. Готтшалх
|
2218–2222 |
|
|
Ширина линии отдельной продольной моды AlGaAs-гетеролазера
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, Г. Т. Пак, Т. В. Петракова
|
2223–2226 |
|
|
Электрический отклик в InGaAsP/InP-гетеролазерах
By Ван Лык, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, М. В. Цоцория
|
2227–2230 |
|
|
О пульсациях света в лазерных диодах
П. Эндерс
|
2231–2233 |
|
|
Поведение лазеров с волноводом, индуцированным усилением, при высокой мощности излучения в режиме наносекундных импульсов
Г. Эрберт
|
2234–2238 |
|
|
Высокочастотный импеданс и спонтанное время жизни носителей в полосковых полупроводниковых лазерах с узкой активной областью
В. Хоернлайн
|
2239–2244 |
|
|
Лазерные диодные модули
Ю. Фрам, П. Г. Елисеев
|
2245–2246 |
|
|
Простая формула для теплопроводности четверных твердых растворов
В. Накваски
|
2247–2248 |
|
|
Расчет распределения температуры в лазерных диодах с гребенчатым волноводом
И. Пипрек, Р. Нюрнберг
|
2249–2252 |
|
|
Нестационарная теплопроводность лазерных диодов
П. Эндерс, И. Галлей
|
2253–2256 |
|
|
Металлоорганическая газофазная эпитаксия (GaAl)As для лазерных диодов на 0,85 мкм
К. Якобс, Ф. Бугге, Л. Бутцке, Л. Леманн, Р. Шимко
|
2257–2261 |
|
|
Высокоэффективные InGaAsP/lnP-гетероструктуры диапазона 1,3 мкм, полученные «двухфазным» жидкофазным методом
И. Новотный, О. Прохазкова, Ф. Шробар, И. Зелинка
|
2262–2265 |
|
|
Жидкофазное эпитаксиальное выращивание лазерных структур GalnAsP/lnP
Д. Ногавица, И. Теминова, Д. Беркова, М. Заградкова, И. Кортан, И. Зелинка, И. Валахова, В. Малина
|
2266–2269 |
|
|
Двухэтапная жидкофазная эпитаксия для изготовления зарощенных гетероструктур InGaAsP/InP
О. Прохазкова, И. Новотный, Ф. Шробар
|
2270–2272 |
|
|
Расчет выхода лазерных диодов по характеристикам материала подложки (100) InP, используемого для эпитаксиального выращивания ДГС
А. Бервольф, П. Эндерс, А. Кнауэр, Д. Линке, У. Цаймер
|
2273–2275 |
|
|
Зависимость интенсивности фотолюминесценции от качества подготовки поверхности и свойств InP n-типа
А. Кнауэр, 3. Грамлих, Р. Штаске
|
2276–2279 |
|
|
Многослойные омические контакты CrPtCr/NiAu с GaAs p-типа в лазерных гетероструктурах
И. Войчик, Г. Стареев, А. Барц, М. Доманский
|
2280–2283 |
|
|
Омическое сопротивление металлических контактов с двойными гетероструктурами GalnAsP/lnP как функция состава приконтактного слоя
К. Фогель, Д. Малы, Р. Пухерт, У. Шаде
|
2284–2287 |
|
|
Изучение термической стабильности контактов Cr–Au с GaAs p-типа
У. Шаде, Д. Малы, К. Фогель, В. Френтруп, П. Тиле
|
2288–2290 |
|
|
Термоиндуцированные напряжения в полосковых лазерных GaAs/GaAlAs-диодах
Р. Римплер, В. Бот
|
2291–2294 |
|
|
Деградационные явления в лазерных диодах
Г. Байстер, П. Криспин, Й. Маеге, Г. Рихтер, Г. Вебер, И. Рехенберг
|
2295–2297 |
|
|
Поверхностные явления в лазерных диодах
Г. Байстер, Й. Маеге, Г. Рихтер
|
2298–2300 |
|
|
Неоднородности легирования и поведение компенсации легирования в GaAs и InP n-типа
Д. Врук, А. Кнауэр
|
2301–2303 |
|
|
Рекомбинационно-стимулированное движение дислокаций в соединениях AIIIBV
Й. Шрайбер, Г. С. Лейпнер
|
2304–2308 |
|
|
Лазеры и физические процессы в них
|
|
|
Зависимость параметров плазмы и энергии генерации эксимерных лазеров от содержания Хе в смеси He–Xe–HCl
В. М. Багинский, П. М. Головинский, А. М. Ражев, А. И. Щедрин
|
2309–2317 |
|
|
Зависимость токового коэффициента частотной модуляции одномодовых полупроводниковых лазеров от постоянного тока инжекции и частоты модулирующего сигнала
С. А. Жерновой, А. Г. Плявенек, И. А. Рачков, Л. А. Ривлин, С. Д. Якубович
|
2318–2322 |
|
|
Автокомпенсация термооптических неоднородностей в импульсно-периодических твердотельных лазерах на основе оптически плотных активных сред
А. А. Данилов, Е. В. Жариков, Ю. Д. Заварцев, М. Ю. Никольский, Ю. С. Привис, A. М. Прохоров, П. А. Студеникин, И. А. Щербаков
|
2323–2328 |
|
|
Воздушный УФ лазер, возбуждаемый мощным СВЧ импульсом
В. А. Ваулин, В. Н. Слинко, С. С. Сулакшин
|
2329–2330 |
|
|
KrF-лазер, возбуждаемый мощным наносекундным СВЧ импульсом
В. А. Ваулин, В. Н. Слинко, С. С. Сулакшин
|
2331–2333 |
|
|
Ламповое возбуждение NaF:F2+ с использованием флуоресцентного преобразования излучения накачки
А. Н. Колеров, Ш. О. Арзуманян, С. С. Коляго, К. П. Чиркина, И. И. Грицай
|
2334–2335 |
|
|
Частотная синхронизация двух TEA CO2-лазеров на основе четырехволнового взаимодействия в SF6
В. Ю. Баранов, А. П. Дядькин, В. В. Лиханский, А. П. Напартович, А. Г. Сухарев, О. В. Шпилюн
|
2335–2337 |
|
|
Квазинепрерывная генерация IF(B–X)-лазера с уровней, заселяемых в процессе VT-релаксации
В. А. Золотарев, П. Г. Крюков, Ю. П. Подмарьков, М. П. Фролов, В. А. Щеглов
|
2337–2340 |
|
|
Нелинейно-оптические явления
|
|
|
Дисперсия и пространственная корреляция интенсивности лазерного пучка в турбулентной атмосфере при тепловом самовоздействии
В. А. Банах, И. Н. Смалихо
|
2341–2351 |
|
|
Эффективное неколлинеарное четырехволновое параметрическое взаимодействие в парах атомов бария в поле пикосекундных импульсов накачки
Р. Р. Бадалян, Б. В. Крыжановский, Д. Г. Саркисян
|
2352–2355 |
|
|
Динамика вынужденного параметрического рассеяния излучения CO2-лазера в SF6
В. Ю. Баранов, А. П. Дядькин, О. В. Шпилюн
|
2355–2357 |
|
|
Эффективный преобразователь частоты УКИ света в ИК область спектра
Д. Г. Саркисян
|
2358–2360 |
|
|
Элементы лазерных установок, применение лазеров
|
|
|
Поляризационный флуориметр с пикосекундным временным разрешением
П. В. Гусев, Г. М. Есаян, Л. Б. Рубин
|
2361–2367 |
|
|
Отражение излучения от движущейся области поляризации в резонансных брэгговских структурах
В. В. Лиханский, А. Г. Сухарев
|
2368–2374 |
|
|
Динамика образования плазменного зеркала неодимового лазера на вторичном оптическом пробое воздуха
A. М. Прохоров, В. Б. Федоров, И. В. Фоменков
|
2375–2378 |
|
|
Адаптивная фокусировка светового пучка системой с запаздыванием в канале управления
В. А. Трофимов
|
2379–2381 |
|
|
Конкурентные релаксационные колебания интенсивности генерации лазеров с сосредоточенно-распределенной обратной связью
П. П. Пашинин, С. Ф. Растопов, А. Т. Суходольский
|
2382–2385 |
|
|
О возможности повышения контраста УКИ света в двунаправленном твердотельном кольцевом лазере
О. Е. Наний, А. Б. Селунский
|
2385–2388 |
|
|
Изотопически-селективная диссоциация молекул COCl2 под действием излучения NH3-лазера
А. П. Дядькин, С. В. Изюмов, С. А. Казаков, В. А. Кузьменко, А. И. Стародубцев
|
2388–2390 |
|
|
Хроника
|
|
|
Комбинационное рассеяние света сегодня (Международная конференция по современной рамановской спектроскопии, 7–11 декабря 1987 г., г. Канпур, Индия)
В. С. Горелик, А. З. Грасюк
|
2391–2399 |
Обратная связь: