Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии наук формировался в 1982 — 1983 г.г. в составе Института физики твердого тела АН СССР и получил самостоятельность 1 января 1984 года.

Перед институтом ставилась задача проведения фундаментальных исследований в области физических основ микроэлектроники и свойств микро- и нанообъектов, создание методов контроля и диагностики микроструктур, разработка новых технологических процессов микроструктурирования, поиск и получение новых материалов для микроэлектроники. Предусматривалась и организация производства опытных партий особо-чистых материалов и технологического оборудования.

Структура ИПТМ РАН:

1. Отдел Рентгеновской оптики
2. Лаборатория спектроскопии магнитных материалов
3. Лаборатория физики полупроводниковых микроструктур
4. Лаборатория локальной диагностики полупроводниковых материалов
5. Лаборатория квантовой электронной кинетики металлических наноструктур
6. Лаборатория вычислительной диагностики

• Институт проблем технологии и микроэлектроники АН СССР
• Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР