|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
А. Н. Ионов, М. Н. Матвеев, И. С. Шлимак, Ф. М. Воробкало, Л. И. Зарубин, И. Ю. Немиш, “Электрофизические свойства нейтронно легированного германия
с измененным изотопным составом”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 413–416  |
|
1990 |
| 2. |
А. Н. Алешин, Е. Г. Гук, В. М. Кобрянский, И. С. Шлимак, “Низкотемпературная проводимость легированного иодом полиацетилена вблизи перехода диэлектрик$-$металл”, Физика твердого тела, 32:10 (1990), 3066–3070  |
|
1989 |
| 3. |
B. М. Архангородский, Е. Г. Гук, А. М. Ельяшевич, А. Н. Ионов, В. М. Тучкевич, И. С. Шлимак, “Высокопроводящее состояние в пленках окисленного полипропилена”, Докл. АН СССР, 309:3 (1989), 603–606 |
2
|
| 4. |
А. Н. Алешин, А. В. Грибанов, А. В. Добродумов, А. В. Суворов, И. С. Шлимак, “Электрофизические свойства пленок полиимида ПМ, подвергнутых ионной бомбардировке”, Физика твердого тела, 31:1 (1989), 12–18 |
|
1988 |
| 5. |
А. Н. Алешин, А. Н. Ионов, Р. В. Парфеньев, И. С. Шлимак, А. Хайнрих, И. Шуманн, Д. Элефант, “Особенности низкотемпературной проводимости и магнитосопротивления аморфных пленок системы германий–хром”, Физика твердого тела, 30:3 (1988), 696–699 |
|
1987 |
| 6. |
А. Н. Алешин, И. С. Шлимак, “Прыжковая проводимость аморфных пленок Ge$_{1-x}$Cu$_{x}$
в промежуточных и сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 466–471 |
|
1986 |
| 7. |
А. А. Андреев, А. В. Жерздев, А. И. Косарев, И. С. Шлимак, “Температурное тушение фотолюминесценции в аморфном гидрированном
кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1292–1297 |
| 8. |
А. Н. Ионов, М. Н. Матвеев, И. С. Шлимак, “Температурные поправки к эффекту Холла и проводимости в сильно
легированном германии $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1083–1088 |
| 9. |
А. Н. Алешин, З. А. Гуц, А. Н. Ионов, И. С. Шлимак, “Низкотемпературная проводимость и магнитосопротивление пленок системы
германий–медь в области составов, соответствующих переходу
металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 490–494 |
|
1985 |
| 10. |
А. Н. Алешин, А. В. Двуреченский, А. Н. Ионов, И. А. Рязанцев, И. С. Шлимак, “Низкотемпературная проводимость сильно легированного аморфного
кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1240–1244 |
| 11. |
А. Н. Ионов, И. С. Шлимак, “Влияние электрон-электронного взаимодействия
на низкотемпературную
проводимость и постоянную Холла сильно легированного германия $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1226–1229 |
| 12. |
М. Л. Кожух, Н. С. Липкина, И. С. Шлимак, “Переход металл–диэлектрик в структурно разупорядоченном германии”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 331–333 |
| 13. |
М. Л. Кожух, И. С. Шлимак, В. В. Федоров, Е. С. Юрова, “О возможности создания методом нейтронного легирования низкоомных образцовых сопротивлений”, Письма в ЖТФ, 11:3 (1985), 129–131 |
|
1984 |
| 14. |
А. А. Андреев, А. И. Косарев, К. В. Коугия, И. С. Шлимак, “Туннельная рекомбинация в $a$-Si$\langle$H$\rangle$
в области « высоких» температур $300{-}500$ K”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1647–1650 |
| 15. |
И. Н. Воронов, П. М. Гринштейн, Р. И. Гучетль, А. В. Литовченко, М. А. Мороховец, В. М. Тучкевич, И. С. Шлимак, “Статистический анализ опытно-промышленного производства
нейтронно-легированного кремния
на реакторах типа РБМК-1000”, Письма в ЖТФ, 10:24 (1984), 1477–1482 |
|
1983 |
| 16. |
И. С. Шлимак, М. Л. Кожух, Р. Ренч, К. Фридланд, “Оптическое поглощение в германии, разупорядоченном с помощью сильной
пластической деформации”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 955–958 |
| 17. |
И. С. Шлимак, А. Н. Ионов, Б. И. Шкловский, “Магнитосопротивление германия в области прыжковой проводимости
с переменной длиной прыжка”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 503–506 |
| 18. |
И. С. Шлимак, Л. И. Зарубин, А. Н. Ионов, Ф. М. Воробкало, А. Г. Забродский, И. Ю. Немиш, “Низкотемпературная проводимость нейтронно легированного ${}^{74}$Ge”, Письма в ЖТФ, 9:14 (1983), 877–881 |
|
Обратная связь: