|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Г. Г. Зегря, В. П. Улин, А. Г. Зегря, В. М. Фрейман, Н. В. Улин, Д. В. Фадеев, Г. Г. Савенков, “Предельная толщина стенок пор, формирующихся в процессах анодного травления сильнолегированных полупроводников”, ЖТФ, 93:2 (2023), 281–285   |
|
2021 |
| 2. |
G. G. Zegrya, V. P. Ulin, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. M. Fraiman, Yu. M. Mikhailov, “Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions”, Tech. Phys., 66:2 (2021), 367  |
|
2019 |
| 3. |
Г. Г. Зегря, В. П. Улин, А. Г. Зегря, Н. В. Улин, В. М. Фрейман, Ю. М. Михайлов, “Влияние типа проводимости и уровня легирования кристаллов кремния на размеры каналов пор, формирующихся в них при анодном травлении в растворах плавиковой кислоты”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1575–1584 ; G. G. Zegrya, V. P. Ulin, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. M. Freiman, Yu. M. Mikhailov, “Effect of conductivity type and doping level of silicon crystals on the size of formed pore channels during anodic etching in hydrofluoric acid solutions”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1492–1500 |
6
|
| 4. |
М. В. Байдакова, Н. А. Германов, С. Н. Голяндин, М. Е. Компан, С. В. Мочалов, А. В. Нащекин, В. Н. Неведомский, С. А. Пульнев, М. К. Рабчинский, В. П. Улин, Н. В. Улин, “Слабоупорядоченный наноструктурированный бисиликат серебра и его коллоидные растворы: получение и свойства”, ЖТФ, 89:6 (2019), 938–947 ; M. V. Baidakova, N. A. Germanov, S. N. Golyandin, M. E. Kompan, S. V. Mochalov, A. V. Nashchekin, V. N. Nevedomskiy, S. A. Pul'nev, M. K. Rabchinskii, V. P. Ulin, N. V. Ulin, “Weakly ordered nanostructured silver disilicate and its colloidal solutions: preparation and properties”, Tech. Phys., 64:6 (2019), 884–892 |
2
|
|
2017 |
| 5. |
Г. Г. Зегря, Г. Г. Савенков, В. А. Морозов, А. Г. Зегря, Н. В. Улин, В. П. Улин, А. А. Лукин, В. А. Брагин, И. А. Оськин, Ю. М. Михайлов, “Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 501–506 ; G. G. Zegrya, G. G. Savenkov, V. A. Morozov, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. P. Ulin, A. A. Lukin, V. A. Bragin, I. A. Oskin, Yu. M. Mikhailov, “Sensitivity of energy-packed compounds based on superfine and nanoporous silicon to pulsed electrical treatments”, Semiconductors, 51:4 (2017), 477–482 |
6
|
| 6. |
В. П. Улин, Н. В. Улин, Ф. Ю. Солдатенков, “Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 481–496 ; V. P. Ulin, N. V. Ulin, F. Yu. Soldatenkov, “Anodic processes in the chemical and electrochemical etching of Si crystals in acid-fluoride solutions: Pore formation mechanism”, Semiconductors, 51:4 (2017), 458–472 |
21
|
|
2014 |
| 7. |
О. И. Ксенофонтова, А. В. Васин, В. В. Егоров, А. В. Бобыль, Ф. Ю. Солдатенков, Е. И. Теруков, В. П. Улин, Н. В. Улин, О. И. Киселев, “Пористый кремний и его применение в биологии и медицине”, ЖТФ, 84:1 (2014), 67–78 ; O. I. Ksenofontova, A. V. Vasin, V. V. Egorov, A. V. Bobyl', F. Yu. Soldatenkov, E. I. Terukov, V. P. Ulin, N. V. Ulin, O. I. Kiselev, “Porous silicon and its applications in biology and medicine”, Tech. Phys., 59:1 (2014), 66–77 |
51
|
| 8. |
В. П. Улин, Н. В. Улин, Ф. Ю. Солдатенков, А. В. Семенов, А. В. Бобыль, “Поверхность пористого кремния в процессах гидрофилизации и гидролитической деградации”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1243–1248 ; V. P. Ulin, N. V. Ulin, F. Yu. Soldatenkov, A. V. Semenov, A. V. Bobyl', “Surface of porous silicon under hydrophilization and hydrolytic degradation”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1211–1216 |
14
|
|
Обратная связь: