|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
А. В. Бабичев, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, A. Jollivet, P. Quach, Л. Я. Карачинский, В. Н. Неведомский, И. И. Новиков, M. Tchernycheva, F. H. Julien, А. Ю. Егоров, “Гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 357–362   |
|
2019 |
| 2. |
А. В. Бабичев, Д. В. Денисов, P. Lavenus, G. Jacopin, M. Tchernycheva, F. H. Julien, H. Zhang, “Электролюминесценция одиночных InGaN/GaN микропирамид”, Оптика и спектроскопия, 126:2 (2019), 180–185 ; A. V. Babichev, D. V. Denisov, P. Lavenus, G. Jacopin, M. Tchernycheva, F. H. Julien, H. Zhang, “Electroluminescence of single InGaN/GaN micropyramids”, Optics and Spectroscopy, 126:2 (2019), 118–123 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
А. В. Бабичев, Д. В. Денисов, M. Tchernycheva, F. H. Julien, H. Zhang, “Формирование и изучение оптических свойств светодиодов на основе микропирамид GaN с полупрозрачным контактом Ni/Au/графен”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 136–145 ; A. V. Babichev, D. V. Denisov, M. Tchernycheva, F. H. Julien, H. Zhang, “Fabrication and study of optical properties of leds based on GaN micropyramids with a Ni/Au/graphene semi-transparent contact”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1111–1114 |
2
|
|
2016 |
| 4. |
А. В. Бабичев, H. Zhang, N. Guan, А. Ю. Егоров, F. H. Julien, A. Messanvi, C. Durand, J. Eymery, M. Tchernycheva, “Оптические свойства фотодетекторов на основе одиночных GaN-вискеров с графеновым прозрачным контактом”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1118–1122 ; A. V. Babichev, H. Zhang, N. Guan, A. Yu. Egorov, F. H. Julien, A. Messanvi, C. Durand, J. Eymery, M. Tchernycheva, “Optical properties of photodetectors based on single GaN nanowires with a transparent graphene contact”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1097–1101 |
2
|
|
Обратная связь: