|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
А. Н. Афанасьев, А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, “Конкуренция между изотропным и сильно анизотропным вкладами в темп ударной ионизации в прямозонных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024), 620–628   |
|
2021 |
| 2. |
А. Н. Афанасьев, П. С. Алексеев, А. А. Грешнов, М.А. Семина, “Баллистическое течение двумерных электронов в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 566–577 ; A. N. Afanasiev, P. S. Alekseev, A. A. Greshnov, M.A. Semina, “On the ballistic flow of two-dimensional electrons in a magnetic field”, Semiconductors, 55:6 (2021), 562–573 |
7
|
|
2019 |
| 3. |
Г. Ю. Васильева, Д. Смирнов, Ю. Б. Васильев, А. А. Грешнов, R. J. Haug, “Краевое легирование в графеновых приборах на подложках SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1681–1685 ; G. Yu. Vasil'eva, D. Smirnov, Yu. B. Vasil'ev, A. A. Greshnov, R. J. Haug, “Edge doping in graphene devices on SiO$_{2}$ substrates”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1672–1676 |
1
|
| 4. |
Г. Ю. Васильева, А. А. Грешнов, Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, А. А. Усикова, R. J. Haug, “Магнетотранспортная спектроскопия интерфейсных, квантово-ямных и гибридных состояний в структурах с многочисленными слоями HgTe толщиной 16 нм”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 947–952 ; G. Yu. Vasil'eva, A. A. Greshnov, Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, A. A. Usikova, R. J. Haug, “Magnetotransport spectroscopy of the interface, quantum well, and hybrid states in structures with 16-nm-thick multiple HgTe layers”, Semiconductors, 53:7 (2019), 930–935 |
|
2017 |
| 5. |
А. Н. Афанасьев, А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, “О скорости ударной ионизации в прямозонных полупроводниках”, Письма в ЖЭТФ, 105:9 (2017), 554–558 ; A. N. Afanasiev, A. A. Greshnov, G. G. Zegrya, “Impact ionization rate in direct gap semiconductors”, JETP Letters, 105:9 (2017), 586–590   |
| 6. |
А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Грешнов, “Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах”, ЖТФ, 87:3 (2017), 419–426 ; A. V. Shilyaev, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Greshnov, “Effect of composition fluctuations on radiative recombination in narrow-gap semiconductor solid solutions”, Tech. Phys., 62:3 (2017), 441–448 |
3
|
|
2015 |
| 7. |
Я. М. Бельтюков, А. А. Грешнов, “Квантовый эффект Холла в полупроводниковых системах с квантовыми точками и антиточками”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 494–502 ; Ya. M. Bel'tyukov, A. A. Greshnov, “Quantum Hall effect in semiconductor systems with quantum dots and antidots”, Semiconductors, 49:4 (2015), 483–491 |
2
|
|
2014 |
| 8. |
А. А. Грешнов, “О роли двумерных фононов в возможности наблюдения квантового
эффекта Холла в графене при комнатной температуре”, Письма в ЖЭТФ, 100:8 (2014), 577–582 ; A. A. Greshnov, “On the role of two-dimensional phonons in the possibility of the observation of the quantum hall effect in graphene at room temperature”, JETP Letters, 100:8 (2014), 518–522 |
2
|
| 9. |
А. А. Грешнов, Я. М. Бельтюков, “О влиянии электрон-фононного взаимодействия на температурные зависимости магнетотранспорта в квантово-холловских системах”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 242–248 ; A. A. Greshnov, Ya. M. Bel'tyukov, “On the effect of electron-phonon interaction on the temperature dependences of magnetotransport in quantum hall systems”, Semiconductors, 48:2 (2014), 228–234 |
4
|
|
2013 |
| 10. |
А. А. Грешнов, Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Васильева, Д. Смирнов, “Проявление полуметаллического состояния в циклотронном
резонансе низкосимметричных квантовых ям на основе HgTe”, Письма в ЖЭТФ, 97:2 (2013), 108–113 ; A. A. Greshnov, Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, G. Yu. Vasil'eva, D. Smirnov, “Manifestation of a semimetallic state in cyclotron resonance in low-symmetry HgTe-based quantum wells”, JETP Letters, 97:2 (2013), 102–106 |
6
|
|
2012 |
| 11. |
А. А. Грешнов, В. В. Лебедев, А. В. Шамрай, “Высокочастотная модуляция света при дифракции на брэгговской решетке с бегущей волной показателя преломления”, ЖТФ, 82:9 (2012), 39–43 ; A. A. Greshnov, V. V. Lebedev, A. V. Shamray, “High-frequency modulation of light in diffraction by the Bragg grating with a refractive index traveling wave”, Tech. Phys., 57:9 (2012), 1219–1224 |
2
|
| 12. |
А. А. Грешнов, “Квантовые поправки к проводимости в условиях целочисленного квантового эффекта Холла”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 779–787 ; A. A. Greshnov, “Quantum corrections to conductivity under conditions of the integer quantum Hall effect”, Semiconductors, 46:6 (2012), 759–768 |
1
|
|
2011 |
| 13. |
Б. Я. Бер, Е. В. Богданова, А. А. Грешнов, А. Л. Закгейм, Д. Ю. Казанцев, А. П. Карташова, А. С. Павлюченко, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, Е. Б. Якимов, “Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011), 425–431 ; B. Ya. Ber, E. V. Bogdanova, A. A. Greshnov, A. L. Zakhgeim, D. Yu. Kazantsev, A. P. Kartashova, A. S. Pavluchenko, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, E. B. Yakimov, “Effect of the silicon doping level and features of nanostructural arrangement on decrease in external quantum efficiency in InGaN/GaN light-emitting diodes with increasing current”, Semiconductors, 45:3 (2011), 415–421 |
5
|
|
2010 |
| 14. |
О. И. Утесов, Г. Г. Зегря, А. А. Грешнов, “Генерация чисто спиновых токов при фотоионизации квантовых ям”, Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010), 40–42 ; O. I. Utesov, G. G. Zegrya, A. A. Greshnov, “Pure spin currents generation under quantum wells photoionization”, JETP Letters, 92:1 (2010), 33–35 |
2
|
|
2008 |
| 15. |
А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, “Эффекты самосогласованного электростатического потенциала в квантовых ямах с несколькими уровнями размерного квантования в сильных магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 42:8 (2008), 994–997 ; A. A. Greshnov, G. G. Zegrya, “Effects of self-consistent electrostatic potential in quantum wells with several quantum confinement levels in high magnetic fields”, Semiconductors, 42:8 (2008), 980–983 |
|
2007 |
| 16. |
А. А. Грешнов, М. А. Калитеевский, R. A. Abram, S. Brand, Г. Г. Зегря, “Плотность состояний одномерного разупорядоченного фотонного кристалла”, Физика твердого тела, 49:10 (2007), 1904–1908 ; A. A. Greshnov, M. A. Kaliteevskii, R. A. Abram, S. Brand, G. G. Zegrya, “Density of states of a one-dimensional disordered photonic crystal”, Phys. Solid State, 49:10 (2007), 1999–2003 |
2
|
|
2002 |
| 17. |
А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002), 258–262 ; A. A. Greshnov, G. G. Zegrya, Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Cyclotron resonance in the InAs/GaSb heterostructure in an inclined magnetic field”, JETP Letters, 76:4 (2002), 222–226 |
2
|
|
Обратная связь: