|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, А. Б. Былев, “Механизм релаксационных колебаний напряжения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках”, Физика твердого тела, 68:8 (2026), 1188–1192  |
| 2. |
В. А. Рыжов, Л. П. Казакова, С. Н. Гарибова, “Исследование структурных и оптических характеристик халькогенидных сплавов на основе теллура методами инфракрасной и рамановской спектроскопии”, Физика твердого тела, 68:1 (2026), 54–60  |
|
2024 |
| 3. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, А. Б. Былев, “Механизмы токопрохождения в структуре TiN/Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au”, Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024), 662–667 |
| 4. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, А. Б. Былев, Е. В. Гущина, Ж. К. Толепов, А. С. Жакыпов, О. Ю. Приходько, “Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$”, Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024), 443–447 |
|
2021 |
| 5. |
В. А. Рыжов, Б. Т. Мелех, Л. П. Казакова, “Оптические свойства фазопеременных материалов системы германий–сурьма-теллур составов Ge$_{14}$Sb$_{29}$Te$_{57}$ и Ge$_{15}$Sb$_{15}$Te$_{70}$ в дальнем инфракрасном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 542–549 ; V. A. Ryzhov, B. T. Melekh, L. P. Kazakova, “Optical properties of the Ge$_{14}$Sb$_{29}$Te$_{57}$ and Ge$_{15}$Sb$_{15}$Te$_{70}$ phase-change materials in the far-infrared range”, Semiconductors, 55:12 (2021), 968–975 |
|
2020 |
| 6. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, А. Б. Былев, А. О. Якубов, “Многоуровневая запись в тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 372–375 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, N. A. Bogoslovskii, A. B. Bylev, A. O. Yakubov, “Multilevel recording in Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ thin films”, Semiconductors, 54:4 (2020), 450–453 |
1
|
|
2018 |
| 7. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин, “Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1503–1506 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, N. A. Bogoslovskii, K. D. Tsendin, “Estimation of the temperature of the current filament that forms upon switching in GeSbTe”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1607–1610 |
3
|
|
2016 |
| 8. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Д. Арсова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, О. Ю. Приходько, “Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge–Sb–Te”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 958–962 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, D. Arsova, S. A. Kozyukhin, K. D. Tsendin, O. Yu. Prikhodko, “Voltage oscillations in the case of the switching effect in thin layers of Ge–Sb–Te chalcogenides in the current mode”, Semiconductors, 50:7 (2016), 941–946 |
1
|
|
2014 |
| 9. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, Д. Арсова, В. Памукчиева, “Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока”, ЖТФ, 84:4 (2014), 80–84 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, S. A. Kozyukhin, K. D. Tsendin, D. Arsova, V. Pamukchieva, “Current-voltage characteristics of thin Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ films taken using a measuring circuit with a current source”, Tech. Phys., 59:4 (2014), 546–550 |
9
|
|
2010 |
| 10. |
Л. П. Казакова, К. Д. Цэндин, Э. А. Лебедев, Д. Арсова, И. А. Обухова, “Перенос носителей зарядов в пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge$_{20}$As$_{20}$S$_{60}$”, Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 79–81 ; L. P. Kazakova, K. D. Tsendin, È. A. Lebedev, D. Arsova, I. A. Obukhova, “Charge carrier transport in Ge$_{20}$As$_{20}$S$_{60}$ chalcogenide semiconductor films”, Semiconductors, 44:1 (2010), 76–78 |
|
2009 |
| 11. |
Э. А. Лебедев, С. А. Козюхин, Н. Н. Константинова, Л. П. Казакова, “Проводимость слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 43:10 (2009), 1383–1386 ; È. A. Lebedev, S. A. Kozyukhin, N. N. Konstantinova, L. P. Kazakova, “Conductivity of layers of a chalcogenide glassy semiconductor Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ in high electric fields”, Semiconductors, 43:10 (2009), 1343–1346 |
9
|
|
1984 |
| 12. |
С. Д. Барановский, Г. А. Бордовский, Л. П. Казакова, Э. А. Лебедев, В. М. Любин, Н. А. Савинова, “Биполярная фотопроводимость в халькогенидных стеклообразных
полупроводниках системы Ge$-$Pb$-$S”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1016–1020 |
|
Обратная связь: