Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Nikolaev, Dmitry Nikolaevich
Candidate of physico-mathematical sciences (2008)
Speciality: 01.04.17 (Chemical physics, physics of burning and blowing, physics of extreme states of matter)
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person100868
List of publications on Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=25404

Publications in Math-Net.Ru Citations
2024
1. A. A. Podoskin, I. V. Shushkanov, A. E. Rizaev, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “A pulsed photoactivatable switch based on a semiconductor laser and an AlGaAs/GaAs high-voltage photodiode”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:12 (2024),  703–708  mathnet  elib
2. G. V. Voznyuk, I. N. Grigorenko, A. S. Lila, M. I. Mitrofanov, A. V. Babichev, A. N. Smirnov, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, V. Yu. Davydov, A. F. Tsatsul'nikov, V. P. Evtikhiev, “Micro-Raman spectroscopy study of radiation defects formed by Ga$^+$ focused ion beam in GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:10 (2024),  552–555  mathnet  elib
2023
3. S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, M. Kandratov, I. Gordeev, A. E. Grishin, A. E. Kazakova, P. S. Gavrina, K. Bakhvalov, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “High-power multimode semiconductor lasers (976 nm) based on asymmetric heterostructures with a broadened waveguide and reduced vertical divergence”, Kvantovaya Elektronika, 53:5 (2023),  374–378  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 9 (2023), S976–S983]
4. D. N. Nikolaev, I. V. Lomonosov, “Equation of state of iron oxide at a pressure $\le1$ TPa”, TVT, 61:2 (2023),  318–320  mathnet; High Temperature, 61:2 (2023), 291–293 5
2022
5. G. V. Voznyuk, I. N. Grigorenko, A. S. Lila, M. I. Mitrofanov, D. N. Nikolaev, V. P. Evtikhiev, “On the effect of etching with a focused Ga$^+$ ion beam in the energy range 12–30 keV on the luminescent properties Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As/GaAs/Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As heterostructure”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:12 (2022),  1120–1124  mathnet  elib
2021
6. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, H. Leiste, “Structural and spectroscopic studies of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructure layer and protoporous silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:1 (2021),  86–95  mathnet  elib; Semiconductors, 55:1 (2021), 122–131 2
7. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, “Spectroscopic studies of integrated GaAs/Si heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:1 (2021),  34–40  mathnet  elib; Semiconductors, 55:1 (2021), 44–50 3
8. M. I. Kulish, V. B. Mintsev, S. V. Dudin, D. N. Nikolaev, I. V. Lomonosov, V. E. Fortov, “Measurements of the transmission of silicon under the effect of the radiation of intense shock waves in xenon”, TVT, 59:6 (2021),  956–959  mathnet  elib; High Temperature, 60:1, Suppl. 3 (2022), S437–S439
9. M. I. Kulish, V. B. Mintsev, S. V. Dudin, D. N. Nikolaev, I. V. Lomonosov, V. E. Fortov, “Silicon radiation at a shock compression pressure of $68$ GPa and during unloading into a vacuum”, TVT, 59:6 (2021),  865–868  mathnet  elib; High Temperature, 60:1, Suppl. 3 (2022), S352–S355 2
10. D. N. Nikolaev, M. I. Kulish, S. V. Dudin, V. B. Mintsev, I. V. Lomonosov, V. E. Fortov, “Shock compressibility of single-crystal silicon in the pressure range $280$–$510$ GPa”, TVT, 59:6 (2021),  860–864  mathnet  elib; High Temperature, 60:1, Suppl. 3 (2022), S347–S351 9
2020
11. I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, D. A. Veselov, N. A. Rudova, K. V. Bakhvalov, V. V. Zolotarev, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Single-mode lasers (1050 nm) of mesa-stripe design based on an AlGaAs/GaAs heterostructure with an ultra-narrow waveguide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:4 (2020),  414–419  mathnet  elib; Semiconductors, 54:4 (2020), 489–494 5
12. I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, N. A. Rudova, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Kapitonov, V. V. Zolotarev, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Light characteristics of narrow-stripe high-power semiconductor lasers (1060 nm) based on asymmetric AlGaAs/GaAs heterostructures with a broad waveguide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:4 (2020),  408–413  mathnet 1
2019
13. Ya. V. Levitskii, M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, D. N. Nikolaev, M. N. Mizerov, V. P. Evtikhiev, “Changes in the photoluminescence properties of semiconductor heterostructures after ion-beam etching”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:11 (2019),  1579–1583  mathnet  elib; Semiconductors, 53:11 (2019), 1545–1549 2
14. V. V. Shamakhov, D. N. Nikolaev, V. S. Golovin, D. A. Veselov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Study of multimode semiconductor lasers with buried mesas”, Kvantovaya Elektronika, 49:12 (2019),  1172–1174  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:12 (2019), 1172–1174  isi  scopus] 1
2018
15. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, “Effect of misorientation and preliminary etching of the substrate on the structural and optical properties of integrated GaAs/Si(100) heterostructures produced by vapor phase epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:8 (2018),  881–890  mathnet  elib; Semiconductors, 52:8 (2018), 1012–1021 3
16. P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of substrate misorientation on the composition and the structural and photoluminescence properties of epitaxial layers grown on GaAs(100)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:1 (2018),  118–124  mathnet  elib; Semiconductors, 52:1 (2018), 112–117 5
2017
17. P. V. Seredin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, D. N. Nikolaev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P alloys on their structural and morphological properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:8 (2017),  1131–1137  mathnet  elib; Semiconductors, 51:8 (2017), 1087–1092 2
18. P. V. Seredin, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Epitaxial Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg alloys with different conductivity types”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:1 (2017),  124–132  mathnet  elib; Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130
2015
19. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, V. E. Ternovaya, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, A. V. Popov, “Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) hetermostructures with anomalously high carrier mobility”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:8 (2015),  1043–1049  mathnet  elib; Semiconductors, 49:8 (2015), 1019–1024 1
20. D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, N. V. Voronkova, I. S. Tarasov, “Study of the absorption coefficient in layers of a semiconductor laser heterostructure”, Kvantovaya Elektronika, 45:7 (2015),  604–606  mathnet  elib [Quantum Electron., 45:7 (2015), 604–606  isi  scopus] 15
21. D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, V. A. Kapitonov, I. S. Tarasov, “Effect of laser cavity parameters on saturation of light – current characteristics of high-power pulsed lasers”, Kvantovaya Elektronika, 45:7 (2015),  597–600  mathnet  elib [Quantum Electron., 45:7 (2015), 597–600  isi  scopus] 20
2014
22. N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, A. D. Bondarev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, “On the temperature delocalization of carriers in GaAs/AlGaAs/InGaAs quantum-well heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:10 (2014),  1377–1382  mathnet  elib; Semiconductors, 48:10 (2014), 1342–1347 8
23. D. A. Veselov, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, I. S. Tarasov, “Saturation of light – current characteristics of high-power lasers (λ = 1.0 – 1.1 mm) in pulsed regime”, Kvantovaya Elektronika, 44:11 (2014),  993–996  mathnet  elib [Quantum Electron., 44:11 (2014), 993–996  isi  scopus] 40
2013
24. D. A. Vinokurov, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, K. V. Bakhvalov, V. V. Vasil'eva, L. S. Vavilova, M. G. Rastegaeva, I. S. Tarasov, “850-nm diode lasers with different ways of compensating for internal mechanical stresses in an AlGaAs:P/GaAs heterostructure”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:8 (2013),  1078–1081  mathnet  elib; Semiconductors, 47:8 (2013), 1075–1078 7
25. V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, A. A. Podoskin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, K. V. Bakhvalov, I. S. Tarasov, “Semiconductor lasers with internal wavelength selection”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:1 (2013),  124–128  mathnet  elib; Semiconductors, 47:1 (2013), 122–126 8
2012
26. D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, “850-nm diode lasers based on AlGaAsP/GaAs heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:10 (2012),  1344–1348  mathnet  elib; Semiconductors, 46:10 (2012), 1321–1325 12
27. I. S. Shashkin, D. A. Vinokurov, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, M. G. Rastegaeva, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, D. A. Veselov, K. V. Bakhvalov, I. S. Tarasov, “Temperature dependence of the threshold current density in semiconductor lasers ($\lambda$ = 1050–1070 nm)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:9 (2012),  1234–1238  mathnet  elib; Semiconductors, 46:9 (2012), 1211–1215 11
28. I. S. Shashkin, D. A. Vinokurov, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, M. G. Rastegaeva, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, D. A. Veselov, A. D. Bondarev, I. S. Tarasov, “Thermal delocalization of carriers in semiconductor lasers ($\lambda$ = 1010–1070 nm)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:9 (2012),  1230–1233  mathnet  elib; Semiconductors, 46:9 (2012), 1207–1210 11
1998
29. A. A. Pyalling, V. K. Gryaznov, S. V. Kvitov, D. N. Nikolaev, V. Ya. Ternovoi, A. S. Filimonov, V. E. Fortov, M. Dornik, D. H. H. Hoffmann, K. Stokl, “Spectral singularities of optical radiation of near-critical states of lead”, TVT, 36:1 (1998),  33–38  mathnet; High Temperature, 36:1 (1998), 29–34  isi 1
1995
30. M. I. Kulish, V. K. Gryaznov, S. V. Kvitov, V. B. Mintsev, D. N. Nikolaev, V. Ya. Ternovoi, A. S. Filimonov, V. E. Fortov, A. A. Golubev, B. Yu. Sharkov, D. Hoffmann, K. Stokl, Kh. Wetzler, “Absorption coefficients of dense argon and xenon plasma”, TVT, 33:6 (1995),  967–971  mathnet; High Temperature, 33:6 (1995), 966–969  isi 2

Organisations