|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1990 |
| 1. |
A. V. Markov, È. M. Omel'yanovskii, V. B. Osvenskii, A. Ya. Polyakov, M. V. Tishkin, “Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом
Чохральского с добавлением кислорода”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990), 507–511  |
|
1989 |
| 2. |
L. A. Balagurov, I. M. Zaritskii, N. Yu. Karpova, A. F. Orlov, È. M. Omel'yanovskii, D. P. Utkin-Edin, “Optical and vibrational properties of $a$-$\mathrm{SiN}_{x}:\mathrm{H}$”, Fizika Tverdogo Tela, 31:10 (1989), 237–241 |
| 3. |
L. A. Balagurov, Yu. A. Drozdov, N. Yu. Karpova, O. E. Korobov, A. N. Lupacheva, È. M. Omel'yanovskii, A. F. Orlov, T. A. Ukhorskaya, “Optical properties of and chemical bonding in $a$-$\mathrm{Si}_{1-x}\mathrm{C}_{x}:\mathrm{H}$”, Fizika Tverdogo Tela, 31:10 (1989), 231–236 |
| 4. |
È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, G. V. Shepekina, “Пассивация доноров и акцепторов в тройных и четверных растворах
системы InGaAsP с помощью атомарного водорода”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989), 1711–1713 |
| 5. |
È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, G. V. Shepekina, “Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989), 1267–1269 |
| 6. |
È. M. Omel'yanovskii, A. Ya. Polyakov, M. V. Tishkin, “Сравнение параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках
при измерении методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
в вариантах температурного и частотного сканирования”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 725–727 |
| 7. |
L. A. Balagurov, N. Yu. Karpova, È. M. Omel'yanovskii, V. E. Sizov, “Исследование спектров примесного поглощения
$a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H методом фотоакустической спектроскопии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 673–676 |
| 8. |
È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, O. M. Borodina, “О диффузии водорода в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 178–180 |
|
1988 |
| 9. |
È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, O. M. Borodina, I. I. Nalivaiko, “К вопросу о механизме пассивации мелких доноров в арсениде галлия
атомарным водородом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988), 2217–2218 |
| 10. |
L. A. Balagurov, È. M. Omel'yanovskii, K. K. Primbetov, M. N. Starikov, “Энергетический спектр локализованных $D$-состояний в легированных
образцах $a$-Si : Н”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988), 1967–1971 |
| 11. |
È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, “Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988), 1892–1894 |
| 12. |
È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, A. V. Govorkov, O. M. Borodina, A. S. Bruk, “Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении
атомарного водорода в GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:7 (1988), 1203–1207 |
| 13. |
L. A. Balagurov, È. M. Omel'yanovskii, S. A. Ostashko, M. N. Starikov, L. E. Stys, “Особенности стационарной фотопроводимости аморфного
гидрогенизированного кремния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988), 168–171 |
| 14. |
L. A. Balagurov, È. M. Omel'yanovskii, T. N. Pinsker, K. K. Primbetov, D. P. Utkin-Edin, “Исследование спектра локальных состояний $a$-Si : H методом
фотоэлектрической релаксационной спектроскопии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988), 155–157 |
| 15. |
A. V. Markov, È. M. Omel'yanovskii, V. B. Osvenskii, A. Ya. Polyakov, I. A. Kovalchuk, V. I. Raihshtein, M. V. Tishkin, “Влияние дислокаций на распределение глубоких центров
в полуизолирующем GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988), 44–48 |
|
1987 |
| 16. |
A. A. Balmashnov, K. S. Golovanivskii, È. K. Kamps, È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, “Passivation of electrically active centers in gallium arsenide magnetized microwave
hydrogen plasma”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 297:3 (1987), 580–584 |
| 17. |
A. I. Belogorokhov, È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, “On the nature of the fine-structure in gallium arsenide lattice reflection spectra”, Fizika Tverdogo Tela, 29:10 (1987), 2886–2889 |
| 18. |
Yu. N. Bolsheva, Yu. A. Grigor'ev, È. M. Omel'yanovskii, V. B. Osvenskii, A. Ya. Polyakov, M. V. Tishkin, “On the Behaviour of Vanadium in Gallium Arsenide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987), 2024–2027 |
| 19. |
È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, L. V. Kulikova, “Passivation of Impurity Centers in Gallium Arsenide by Atomic Hydrogen”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987), 1762–1764 |
| 20. |
L. A. Balagurov, È. M. Omel'yanovskii, A. G. Petukhov, M. N. Starikov, M. G. Foigel, “Optical Transitions in Amorphous Semiconductors with Participation of $D$ Centers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987), 1631–1636 |
| 21. |
È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, “Effect of Atomic Hydrogen on the Properties of Gallium Arsenide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987), 842–847 |
| 22. |
A. V. Govorkov, È. M. Omel'yanovskii, A. Ya. Polyakov, V. I. Raihshtein, V. A. Fridman, “New method for investigation of microheterogeneity of local centers in high-ohmic semiconductor-materials using the REM”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:7 (1987), 385–388 |
|
1986 |
| 23. |
È. M. Omel'yanovskii, A. Ya. Polyakov, N. S. Rytova, V. I. Raihshtein, “On the Determination of Deep-Center Parameters in High-Resistance Semiconductors by Photoelectric Relaxation Spectroscopy of
Deep Levels”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986), 1428–1432 |
| 24. |
L. A. Balagurov, N. Yu. Karpova, È. M. Omel'yanovskii, T. N. Pinsker, M. N. Starikov, “Energy Spectrum of Deep States in Mobility Gap of
$a$-Si : H”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 720–723 |
| 25. |
L. A. Balagurov, N. Yu. Karpova, È. M. Omel'yanovskii, T. N. Pinsker, M. N. Starikov, “Energy Spectrum of $D^0$ Deep Localized States in $a$-Si:H”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986), 550–552 |
| 26. |
L. A. Balagurov, L. S. Ivanov, N. Yu. Karpova, È. M. Omel'yanovskii, M. N. Starikov, N. K. Ustinova, D. P. Utkin-Edin, “IR Absorption Spectra of Amorphous Hydrogenated Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986), 457–461 |
| 27. |
A. A. Balmashnov, K. S. Golovanivskii, È. K. Kamps, È. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, A. Ya. Polyakov, “Passivation of electric active-centers in gallium-arsenide by hydrogen plasma-flow”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:24 (1986), 1486–1489 |
|
1985 |
| 28. |
A. M. Loshinskii, È. M. Omel'yanovskii, A. Ya. Polyakov, “On the Nature
of Photoluminescence 1.14 eV
Band in InP Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985), 1986–1990 |
| 29. |
V. A. Kurbatov, È. M. Omel'yanovskii, A. Ya. Polyakov, V. I. Raihshtein, V. V. Karataev, A. Ya. Nashel'skii, S. V. Yakobson, “Absorption of Energy Quanta Less than Optical
Energy of Impurity Ionization in
Manganese-Doped Indium Phoshidae”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985), 1763–1767 |
| 30. |
L. A. Balagurov, Ya. Ya. Kyutte, È. M. Omel'yanovskii, S. A. Ostashko, L. E. Stys, M. G. Foigel, “Special Features of Recombination
in Amorphous Hydrogenized Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985), 1046–1051 |
| 31. |
V. P. Kuznetsov, È. M. Omel'yanovskii, A. Ya. Polyakov, V. A. Fridman, G. V. Shepekina, “Study of the Spectrum of Deep Centers in Epitaxial Structures by Relaxation Spectroscopy of Photoinduced Currents”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985), 735–737 |
| 32. |
L. A. Balagurov, È. M. Omel'yanovskii, T. N. Pinsker, M. N. Starikov, “Optical-Absorption Study of the
Density of Localized States in $a$-Si : Н”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985), 48–52 |
| 33. |
I. A. Kurova, N. N. Ormont, È. M. Omel'yanovskii, S. A. Fuksina, “IR Photoconduction of
$a$-Si : Н in
Conditions of Eigen Lighting”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985), 44–47 |
|
1984 |
| 34. |
R. I. Gloriozova, S. P. Grishina, L. I. Kolesnik, È. M. Omel'yanovskii, A. Ya. Polyakov, “К вопросу о природе некоторых электронных ловушек в арсениде галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984), 1450–1454 |
| 35. |
V. V. Voronkov, G. I. Voronkova, V. P. Kalinushkin, D. I. Murin, È. M. Omel'yanovskii, L. Ya. Pervova, A. M. Prokhorov, V. I. Raihshtein, “Новый тип примесных дефектов в полуизолирующем арсениде галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984), 1363–1366 |
| 36. |
V. P. Kuznetsov, M. A. Messerer, È. M. Omel'yanovskii, “Hopping Conduction via Deep Impurity States in InP$\langle\text{Mn}\rangle$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984), 446–450 |
|
1963 |
| 37. |
V. I. Fistul, M. G. Mil'vidskii, È. M. Omel'yanovskii, S. P. Grishina, “Impurities as they occur in strongly alloyed single $n$-type crystals of germanium and silicon”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 149:5 (1963), 1119–1122 |
|
