|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
| 1. |
G. G. Babichev, V. N. Guz', I. P. Zhad'ko, S. I. Kozlovsky, V. A. Romanov, “Redistribution of injected charge-carrier concentration in artically anisotropic semiconductor plate with ring electrodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:10 (1992), 1723–1727  |
| 2. |
G. G. Babichev, V. N. Guz', I. P. Zhad'ko, S. I. Kozlovsky, V. A. Romanov, “Study of a bipolar two-collector tensotransistor with an accelerating electric field in the base”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:7 (1992), 1244–1250 |
|
1990 |
| 3. |
I. N. Dubrov, S. I. Kozlovsky, Yu. M. Korostyshevskii, M. D. Moin, “Фотомагнитный эффект в кристаллах изолирующего арсенида галлия
при лазерном возбуждении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990), 763–766 |
| 4. |
V. N. Guz, I. P. Zhad'ko, S. I. Kozlovsky, V. A. Romanov, “Перераспределение электрического потенциала в искусственно
анизотропной (по электропроводности) полупроводниковой пластине с кольцевыми
электродами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990), 409–412 |
|
1987 |
| 5. |
S. I. Kozlovsky, “Intervalley Relaxation Parameters in Germanium at 300 К”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987), 1322–1324 |
|
1986 |
| 6. |
S. I. Kozlovsky, M. D. Moin, “Transverse Photovoltaic Effect in Silicon due to Intervalley Diffusion Repopulation of Electrons under Laser Excitation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986), 806–810 |
| 7. |
I. P. Zhad'ko, S. I. Kozlovsky, V. A. Romanov, “Transverse Dember Effect in Semiconductors with Inhomogeneous Anisotropy of Electric Conductivity”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986), 40–43 |
|
1985 |
| 8. |
S. I. Kozlovsky, M. D. Moin, “Transverse Photoelectromotive Force Arising in Germanium under Laser
Excitation of Extreme Intensity”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985), 864–868 |
|
1984 |
| 9. |
S. I. Kozlovsky, M. D. Moin, “Поперечный фотовольтаический эффект, возникающий
при лазерном
возбуждении германия вследствие термического изменения ширины запрещенной
зоны полупроводника”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984), 1772–1777 |
|
| Organisations |
|
|
