|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
2013 |
| 1. |
O. S. Komkov, D. D. Firsov, A. N. Semenov, B. Ya. Mel'tser, S. I. Troshkov, A. N. Pikhtin, S. V. Ivanov, “Determination of the thickness and spectral dependence of the refractive index of Al$_x$In$_{1-x}$Sb epitaxial layers from reflectance spectra”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:2 (2013), 258–263   ; Semiconductors, 47:2 (2013), 292–297 |
9
|
|
1992 |
| 2. |
G. F. Glinskii, M. V. Lupal, I. I. Parfenova, A. N. Pikhtin, “Fine structure of a line for bound exciton in GaAs$_{x}$P$_{1-x}:{}$N alloy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:4 (1992), 644–652 |
|
1990 |
| 3. |
M. V. Lupal, K. L. Lyutovich, M. F. Panov, A. N. Pikhtin, V. A. Popov, “Параметры зонной структуры твердых растворов Si$_{x}$Ge$_{1-x}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990), 1604–1607 |
| 4. |
S. A. Olesk, A. N. Pikhtin, A. I. Yunovich, “Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи
комнатной температуры”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:5 (1990), 795–799 |
|
1989 |
| 5. |
A. N. Pikhtin, V.-M. Airaksinen, X. Lipsanen, T. Tuomi, “Наблюдение примесных состояний в высокоомном арсениде галлия методом
фотоотражения”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989), 1280–1282 |
| 6. |
Sh. A. Nurmagomedov, A. N. Pikhtin, V. N. Razbegaev, G. K. Safaraliev, Yu. M. Tairov, V. F. Cvetkov, “Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов
(SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 162–164 |
| 7. |
V. I. Zubkov, A. N. Pikhtin, A. V. Solomonov, “Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых
растворах: донорный уровень в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 64–67 |
|
1988 |
| 8. |
A. N. Pikhtin, V. A. Popov, M. Yunis, “Фотоэффект, индуцированный эффектом Штарка на связанном экситоне
в GaP : N”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 1107–1108 |
| 9. |
A. N. Pikhtin, A. D. Yaskov, “Рефракция света в полупроводниках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988), 969–991 |
|
1987 |
| 10. |
V. I. Zubkov, A. N. Pikhtin, A. V. Solomonov, “Deep donor level in the $Ga\,As_{1-x}\,P_{x}$ solid-solution”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:14 (1987), 847–848 |
|
1986 |
| 11. |
G. F. Glinskii, T. N. Loginova, M. V. Lupal, A. N. Pikhtin, “Effect of Variations in Band-Structure Parameters on Energy Spectrum and Optical-Absorption Cross-Section
of Coupled Excitons: Nitrogen in GaAs$_{1-x}$P$_x$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 672–676 |
| 12. |
Sh. A. Nurmagomedov, A. N. Pikhtin, V. N. Razbegaev, G. K. Safaraliev, Yu. M. Tairov, V. F. Cvetkov, “Production and investigation of epitaxial layers of wide-range solid $(Si\,C)_{1-x}(Al\,N)_{x}$ solutions”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:17 (1986), 1043–1045 |
|
1985 |
| 13. |
N. P. Belov, A. N. Pikhtin, A. D. Yaskov, “Magnetooptical Faraday Effect
in A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ Semiconductors and
in Solid Solutions on Their Base”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985), 1612–1616 |
|
1984 |
| 14. |
G. A. Korkotashvili, A. N. Pikhtin, I. G. Pichugin, A. M. Tsaregorodtsev, “Край собственного поглощения и катодолюминесценция нелегированных
эпитаксиальных слоев
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984), 1462–1466 |
|
