Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Baransky, P I

https://www.mathnet.ru/eng/person161231
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2017
1. G. P. Gaidar, P. I. Baransky, “Tensoresistance of $n$-Ge with different crystallographic orientations in the presence of a classically high magnetic field and without it”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:7 (2017),  975–980  mathnet  elib; Semiconductors, 51:7 (2017), 936–941
2016
2. G. P. Gaidar, P. I. Baransky, “Specific features of the electrophysical parameters of NTD Si treated under different conditions of heat treatment”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:6 (2016),  751–756  mathnet  elib; Semiconductors, 50:6 (2016), 735–740 1
2013
3. P. I. Baransky, G. P. Gaidar, “Method for determination of the degree of compensation for electrically active impurities in multivalley semiconductors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:6 (2013),  737–739  mathnet  elib; Semiconductors, 47:6 (2013), 745–748
1991
4. P. I. Baransky, A. E. Belyayev, I. N. Gorbatyuk, S. M. Komirenko, I. M. Rarenko, N. V. Shevchenko, “Рекомбинация в Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te ($x\cong 0.28{-}0.35$, $y\cong 0.01{-}0.02$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:7 (1991),  1183–1187  mathnet
1990
5. P. I. Baransky, A. E. Belyaev, S. M. Komirenko, N. V. Shevchenko, “Mechanism of carrier mobility variation under ultrasonic treatment of semiconducting solid solutions”, Fizika Tverdogo Tela, 32:7 (1990),  2159–2161  mathnet
6. P. I. Baransky, A. E. Belyayev, O. A. Bodnaruk, I. N. Gorbatyuk, S. M. Komirenko, I. M. Rarenko, N. V. Shevchenko, “Явления переноса и рекомбинация в твердых растворах Mn$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x\sim 0.1$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990),  1490–1493  mathnet
7. P. I. Baransky, A. E. Belyayev, O. P. Gorodnichii, S. M. Komirenko, “Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990),  121–125  mathnet
1989
8. P. I. Baransky, K. A. Myslivets, Ya. M. Olikh, “Role of small small-angle boundaries in the ultrasound-induced variation of the electrophysical parameters of $\mathrm{Cd}_{x}\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ crystals”, Fizika Tverdogo Tela, 31:9 (1989),  278–281  mathnet
1988
9. P. I. Baransky, V. I. Torishnii, G. V. Chipenko, “О прыжковой проводимости в полупроводниковом алмазе”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988),  2214–2217  mathnet
10. P. I. Baransky, D. V. Sokolyuk, V. I. Torishnii, G. V. Chipenko, “Особенности рассеяния дырок в синтетических алмазах в греющих электрических полях”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988),  2069–2071  mathnet
11. I. S. Buda, P. I. Baransky, “Тензор Нернста–Эттингсгаузена в одноосно деформированных полупроводниках в условиях электрон-фононного увлечения”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  355–356  mathnet
12. P. I. Baransky, A. E. Belyayev, O. P. Gorodnichii, V. G. Makarenko, “Влияние иттербия на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев $n$-GaP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  158–161  mathnet
1987
13. P. I. Baransky, V. V. Kolomoets, V. N. Ermakov, P. F. Nazarchuk, “Effect of Strong Uniaxial Elastic Deformations on the Impurity-Band Conduction in $n$-Туре Ge$\langle$Sb$\rangle$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987),  1477–1479  mathnet
14. O. G. Balev, P. I. Baransky, G. V. Beketov, R. M. Vinetskii, O. P. Gorodnichii, “Influence of Surface Conduction on Galvanomagnetic Effects in $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987),  1021–1025  mathnet
15. I. S. Buda, P. I. Baransky, “Symmetry of Piezothermo E. M. F. Tensor for $n$-Type Germanium and Silicon Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987),  718–723  mathnet
16. I. S. Buda, P. I. Baransky, “Commutation Effect in Deformation Cubic Semiconductors (Even Part)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987),  335–337  mathnet
17. P. I. Baransky, V. G. Malogolovets, V. I. Torishnii, G. V. Chipenko, “Temperature Dependence оf Hole Mobility in a Semiconductor Synthetic Diamond”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  75–79  mathnet
1986
18. P. I. Baransky, V. Ya. Duchal, V. V. Kolomoets, V. V. Chernyš, “Mobility Anisotropy and Deformation Potentials of Germanium Valence Band under Strong Uniaxial Deformation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986),  2112–2115  mathnet
19. P. I. Baransky, R. M. Vinetskiy, O. P. Gorodnichiy, I. N. Gorbatyuk, Ya. M. Olikh, I. M. Rarenko, “Influence of Ultrasound on Galvanomagnetic Effects in $n$-Type (Cd, Hg)Te”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986),  1104–1106  mathnet
20. P. I. Baransky, V. V. Kolomoets, Yu. A. Okhrimenko, “Piezoresistance Related with Bending of Conduction-Band Bottom Energy Relief of $n$-Type Si Crystals Elastically Deformed in the $\langle111\rangle$ Direction”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  770–773  mathnet
21. P. I. Baransky, V. V. Savyak, Yu. V. Simonenko, “Thermoelectric Characteristics of Elastically Deformed $n$-Туре Germanium in the Range of Electron-Phonon Drag”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  356–357  mathnet
22. I. S. Buda, P. I. Baransky, V. S. Borenko, “Commutation Effect in Uniaxially Deformed $n$-Type Silicon and $n$-Type Germanium. III”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  221–226  mathnet
1985
23. P. I. Baransky, V. V. Kolomoets, Yu. A. Okhrimenko, “Mechanisms of Piezoresistance in $n$-Type Ge Heavy Doped Crystals at 4.2 К”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1898–1899  mathnet
24. I. S. Buda, P. I. Baransky, V. S. Borenko, “Nernst–Ettingshausen Tensor in Uniaxially Deformed $n$-Silicon and $n$-Germanium. II”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1774–1779  mathnet
25. P. I. Baransky, V. V. Kolomoets, Yu. A. Okhrimenko, “Piezoresistance and Hall Effect of Heavily Doped $n$-Type Si Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1768–1770  mathnet
26. P. I. Baransky, V. V. Savyak, Yu. V. Simonenko, “Effect of Thermal-Treatment Conditions on Drag Plezothermoelectromotive Force in Transmutationally Doped and Ordinary Silicon Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1712–1715  mathnet
27. P. I. Baransky, V. V. Kolomoets, Yu. A. Okhrimenko, S. N. Tyshko, “Piezoresistance of $n$-Type Si Degenerate Crystals along and across the Axis of Deformation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1411–1413  mathnet
28. P. I. Baransky, V. V. Savyak, Yu. V. Simonenko, “Negative Piezoresistance in Transmutationally Doped $n$-Type Si Crystals under Uniaxial Elastic Deformation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  947–949  mathnet
29. I. S. Buda, P. I. Baransky, “Nernst–Ettingshausen Tensor in Uniaxially Deformed Semiconductors of Cubic System. I”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985),  497–501  mathnet
1984
30. P. I. Baransky, E. N. Vidalko, V. V. Savyak, “« Внутризонная» анизотропия рассеяния носителей тока в пластически деформированном $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:12 (1984),  2224–2227  mathnet
31. P. I. Baransky, S. L. Korolyuk, P. G. Ostafiichuk, “Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс в $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  2053–2056  mathnet
32. P. I. Baransky, I. S. Buda, V. S. Borenko, V. B. Kovalchuk, “Тензор Холла в одноосно деформированных полупроводниках кубической симметрии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1841–1845  mathnet
33. P. I. Baransky, V. V. Savyak, Yu. V. Simonenko, “Temperature Dependence of Anisotropy in Drag Thermoelectromotive Force in Uniaxially Deformed $n$-Туре Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:6 (1984),  1059–1063  mathnet
34. P. I. Baransky, E. N. Vidalko, V. V. Savyak, “Determination of the Parameter of Drag Thermoelectromotive Force Anisotropy under Deformation of $n$-Type Si in the [110] Direction”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984),  538–540  mathnet
1983
35. P. I. Baransky, V. M. Babich, V. V. Savyak, Yu. V. Simonenko, “Сравнение экспериментальных и теоретических данных по анизотропии рассеяния носителей тока в монокристаллах $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1118–1120  mathnet
36. P. I. Baransky, V. M. Babich, V. L. Borblik, Yu. P. Dotsenko, V. B. Kovalchuk, “Механизмы рассеяния носителей тока, ответственные за формирование магнитопьезосопротивления $n$-Si в области сильных упругих деформаций”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1064–1067  mathnet
1966
37. P. I. Baransky, Yu. P. Iemets, “The electric field in a circular semiconductor plate placed in a magnetic field”, Prikl. Mekh. Tekh. Fiz., 7:5 (1966),  64–72  mathnet; J. Appl. Mech. Tech. Phys., 7:5 (1966), 40–47

Organisations