|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
| 1. |
Yu. V. Vyzhigin, N. A. Sobolev, B. N. Gresserov, E. I. Shek, “Effect of excess eigen point defects on the formation of electrically active centers in silicon $p{-}n$ structures
under thermal treatment”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992), 1938–1944  |
|
1991 |
| 2. |
Y. V. Vyzhigin, N. A. Sobolev, B. N. Gresserov, E. I. Shek, “Влияние атмосферы термообработки на образование центров с глубокими
уровнями”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991), 1324–1331 |
| 3. |
B. N. Gresserov, N. A. Sobolev, Y. V. Vyzhigin, V. V. Eliseev, V. M. Likunova, “Влияние атмосферы термообработки на диффузию алюминия в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991), 807–812 |
|
1990 |
| 4. |
B. N. Gresserov, T. T. Мnatsakanov, “Оценка роли электронно-дырочного рассеяния в переносе носителей
заряда в многослойных арсенид-галлиевых структурах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990), 1668–1670 |
|
1989 |
| 5. |
A. F. Vilyanov, Y. V. Vyzhigin, B. N. Gresserov, V. V. Eliseev, V. M. Likunova, S. A. Maksutova, N. A. Sobolev, “HIGH-VOLTAGE AVALANCHE-DIODE STRUCTURES OF LARGE AREA”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:10 (1989), 154–156 |
| 6. |
B. N. Gresserov, T. T. Мnatsakanov, “О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках
$n$- и $p$-типа”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:9 (1989), 1658–1663 |
|
1988 |
| 7. |
Y. V. Vyzhigin, B. N. Gresserov, N. A. Sobolev, “Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой
$p{-}n$-переходов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988), 536–538 |
|
1986 |
| 8. |
B. N. Gresserov, T. T. Мnatsakanov, “EFFECT OF THE COMPLETE ENTRAPPING OF NONMAJOR DISCHARGE CARRIERS BY
MAJOR CARRIERS AND ITS INFLUENCE ON PROPERTIES OF MULTILAYERED
SEMICONDUCTOR STRUCTURES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:9 (1986), 1827–1829 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: