Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Zanaveskin, Maksim Leonidovich
Statistics
Total publications: 19
Scientific articles: 19
Candidate of physico-mathematical sciences (2008)
Speciality: 01.04.07 (Physics of condensed states)

https://www.mathnet.ru/eng/person61633
List of publications on Google Scholar
ISTINA https://istina.msu.ru/workers/34363072

Publications in Math-Net.Ru Citations
2025
1. N. K. Chumakov, A. A. Andreev, I. V. Belov, B. V. Goncharov, Yu. V. Grishchenko, I. S. Ezubchenko, A. B. Davydov, M. L. Zanaveskin, E. M. Kolobkova, L. A. Morgun, S. N. Nikolaev, K. E. Prikhod'ko, I. A. Chernykh, S. Yu. Shabanov, V. G. Valeev, “Magnetic field characterization of physical properties of two-dimensional electron gas of nitride high electron mobility transistor heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 59:2 (2025),  91–96  mathnet
2022
2. I. S. Ezubchenko, M. Ya. Chernykh, I. A. Chernykh, A. A. Andreev, I. O. Mayboroda, E. M. Kolobkova, J. V. Khrapovitskaya, Yu. V. Grishchenko, P. A. Perminov, M. L. Zanaveskin, “Heat sink efficiency investigation of silicon-on-diamond composite substrates for gallium nitride-based devices”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 48:7 (2022),  20–22  mathnet  elib
2021
3. I. S. Ezubchenko, M. Y. Chernykh, P. A. Perminov, Yu. V. Grishchenko, I. N. Trunkin, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, “Gan-on-silicon growth features: controlled plastic deformation”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:14 (2021),  26–29  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 705–708 1
4. I. O. Mayboroda, I. A. Chernykh, V. S. Sedov, A. Altakhov, A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, E. M. Kolobkova, A. K. Martyanov, V. I. Konov, M. L. Zanaveskin, “Substrates with diamond heat sink for epitaxial GaN growth”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:7 (2021),  13–16  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 353–356
2020
5. D. A. Chernodubov, I. O. Mayboroda, M. L. Zanaveskin, A. V. Inyushkin, “Specifics of heat transfer in Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N/GaN heterostructures on sapphire”, Fizika Tverdogo Tela, 62:4 (2020),  635–639  mathnet  elib; Phys. Solid State, 62:4 (2020), 722–726 1
6. N. K. Chumakov, I. A. Chernykh, A. B. Davydov, I. S. Ezubchenko, Yu. V. Grishchenko, L. L. Lev, I. O. Mayboroda, L. A. Morgun, V. N. Strokov, V. G. Valeev, M. L. Zanaveskin, “Quantum coherence and the Kondo effect in the 2D electron gas of magnetically undoped AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  962–967  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1150–1154
7. I. A. Chernykh, S. M. Romanovskiy, A. A. Andreev, I. S. Ezubchenko, M. Y. Chernykh, Yu. V. Grishchenko, I. O. Mayboroda, S. V. Korneev, M. M. Krymko, M. L. Zanaveskin, V. Ph. Sinkevich, “Power characteristics of GaN microwave transistors on silicon substrates”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:5 (2020),  11–14  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 211–214 1
2019
8. A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, È. F. Lobanovich, “Ohmic contacts to europium oxide for spintronic devices”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:7 (2019),  38–40  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 345–347
9. I. V. Kulikov, M. Y. Chernykh, T. S. Krylova, A. V. Ovcharov, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, “A superconducting joint for 2G HTS tapes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:7 (2019),  18–20  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 324–326 8
10. A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, I. S. Ezubchenko, M. Y. Chernykh, E. M. Kolobkova, I. O. Mayboroda, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, “Studying the characteristics of transistors based on gallium nitride heterostructures grown by ammonia molecular beam epitaxy on sapphire and silicon substrates”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:4 (2019),  52–54  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 173–175 3
2018
11. I. O. Mayboroda, Yu. V. Grishchenko, I. S. Ezubchenko, I. S. Sokolov, I. A. Chernykh, A. A. Andreev, M. L. Zanaveskin, “Tunneling current in oppositely connected Schottky diodes formed by contacts between degenerate $n$-GaN and a metal”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:6 (2018),  630–636  mathnet  elib; Semiconductors, 52:6 (2018), 776–782
2017
12. A. A. Andreev, E. A. Vavilova, I. S. Ezubchenko, M. L. Zanaveskin, I. O. Mayboroda, “Influence of a low-temperature GaN cap layer on the electron concentration in AlGaN/GaN heterostructure”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 87:8 (2017),  1275–1278  mathnet  elib; Tech. Phys., 62:8 (2017), 1288–1291
2014
13. M. Ya. Chernykh, I. A. Chernykh, T. S. Krylova, R. I. Shaynurov, E. P. Krasnoperov, M. L. Zanaveskin, “Developing an approach based on the formation of YBa$_2$Cu$_3$O$_x$–interlayer–YBa$_2$Cu$_3$O$_x$ epitaxial structures with high current-carrying ability”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 40:20 (2014),  47–53  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 40:10 (2014), 905–908 8
14. I. O. Mayboroda, A. A. Andreev, P. A. Perminov, Yu. V. Fedorov, M. L. Zanaveskin, “Selective MBE growth of nonalloyed ohmic contacts to 2D electron gas in high-electron-mobility transistors based on GaN/AlGaN heterojunctions”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 40:11 (2014),  80–86  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 40:6 (2014), 488–490 7
15. J. V. Khrapovitskaya, N. E. Maslova, Yu. V. Grishchenko, V. A. Demin, M. L. Zanaveskin, “The effect of the memristor electrode material on its resistance to degradation under conditions of cyclic switching”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 40:7 (2014),  87–94  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 40:4 (2014), 317–319 8
16. I. A. Chernykh, A. M. Stroev, M. Ya. Garaeva, T. S. Krylova, V. V. Gur'ev, S. V. Shavkin, M. L. Zanaveskin, A. K. Shikov, “A study of the effect of the oxygen index of the target on the critical characteristics of YBa$_2$Cu$_3$O$_x$ epitaxial layers formed by pulsed laser deposition”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 40:1 (2014),  58–63  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 40:1 (2014), 29–31 2
2012
17. I. A. Chernykh, A. M. Stroev, L. V. Klevalina, M. Yu. Presniakov, E. A. Golovkova, S. A. Tikhomirov, M. L. Zanaveskin, A. N. Marchenkov, A. K. Shikov, “Seed layers on RABiTS tapes for Second-Generation HTS wires”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 38:18 (2012),  53–59  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 38:9 (2012), 849–852 2
18. Yu. V. Grishchenko, M. L. Zanaveskin, A. N. Marchenkov, “Calculating correlation factor for substrate and film coating profiles according to data of atomic force microscopy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 38:17 (2012),  1–6  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 38:9 (2012), 777–779
2010
19. A. V. Andreev, Yu. V. Grishchenko, M. I. Dobynde, T. V. Dolgova, M. L. Zanaveskin, A. A. Konovko, D. A. Mamichev, A. N. Marchenkov, E. G. Novoselova, “Оптические свойства одномерных субволновых плазмонных наноструктур”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 92:11 (2010),  823–826  mathnet  elib; JETP Letters, 92:11 (2010), 742–745  isi  elib  scopus 3

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2026