Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Emtsev, Vadim Valentinovich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 53
Scientific articles: 52

Number of views:
This page:1036
Abstract pages:12315
Full texts:6953
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person65095
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2025
1. V. V. Emtsev, N. A. Sobolev, G. A. Oganesyan, A. E. Kalyadin, V. V. Toporov, D. S. Poloskin, A. M. Malyarenko, “Photoluminescence related to dislocations in silicon plastically deformed under bending mode of central symmetry”, Fizika Tverdogo Tela, 67:5 (2025),  810–816  mathnet  elib
2022
2. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, S. B. Lastovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, A. A. Aref'ev, “Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation”, Fizika Tverdogo Tela, 64:12 (2022),  1915  mathnet
2020
3. V. V. Emtsev, G. A. Oganesyan, “Towards the modeling of impurity-related defects in irradiated $n$-type germanium: a challenge to theory”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:11 (2020),  1188  mathnet; Semiconductors, 54:11 (2020), 1388–1394
4. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:1 (2020),  45  mathnet  elib; Semiconductors, 54:1 (2020), 46–54 1
2018
5. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1578  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1677–1685 2
6. V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:7 (2018),  804–811  mathnet  elib; Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 3
2017
7. V. V. Emtsev, V. V. Kozlovski, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, “Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1632–1646  mathnet  elib; Semiconductors, 51:12 (2017), 1571–1587 3
2016
8. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, “Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:10 (2016),  1313–1319  mathnet  elib; Semiconductors, 50:10 (2016), 1291–1298 8
9. V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:21 (2016),  39–46  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 2
10. V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, A. V. Sakharov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, “The relationship between the reliability of transistors with 2D AlGaN/GaN channel and organization type of nanomaterial”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:13 (2016),  80–86  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 701–703 6
2014
11. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, “Electrical properties of diluted $n$- and $p$-Si$_{1-x}$Ge$_x$ at small $x$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:12 (2014),  1592–1596  mathnet  elib; Semiconductors, 48:12 (2014), 1552–1556 3
12. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, “Vacancy-donor pairs and their formation in irradiated $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:11 (2014),  1473–1478  mathnet  elib; Semiconductors, 48:11 (2014), 1438–1443 12
2012
13. V. V. Emtsev, A. M. Ivanov, V. V. Kozlovski, A. A. Lebedev, G. A. Oganesyan, N. B. Strokan, G. Wagner, “Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:4 (2012),  473–481  mathnet  elib; Semiconductors, 46:4 (2012), 456–465 36
2010
14. V. V. Emtsev, A. M. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, G. A. Oganesyan, N. B. Strokan, “Comparative study of changes in electrical properties of silicon and silicon carbide upon proton irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 44:5 (2010),  706–712  mathnet  elib; Semiconductors, 44:5 (2010), 678–684 8
2008
15. V. V. Kozlovsky, V. V. Emtsev, K. V. Emtsev, N. B. Strokan, A. M. Ivanov, V. N. Lomasov, G. A. Oganesyan, A. A. Lebedev, “Effect of electron irradiation on carrier removal rate in silicon and silicon carbide with 4H modification”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 42:2 (2008),  243–248  mathnet  elib; Semiconductors, 42:2 (2008), 242–247 15
2006
16. B. H. Bairamov, I. V. Bondar', V. V. Emtsev, D. S. Poloskin, V. Yu. Rud', Yu. V. Rud', M. V. Yakushev, “Effect of $\gamma$-ray radiation on photosensitivity of ZnO/CuIn$_3$Se$_5$ heterojunctions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 40:1 (2006),  67–69  mathnet  elib; Semiconductors, 40:1 (2006), 64–66 3
1992
17. V. G. Golubev, V. V. Emtsev, P. M. Klinger, G. I. Kropotov, Yu. V. Shmartsev, “Processes of radiation-induced defect formation in Si: Ge at 4.2, 78 and 300 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992),  574–577  mathnet
18. V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, “Frenkel pairs in Germanium and Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992),  22–44  mathnet
1991
19. V. V. Emtsev, P. M. Klinger, V. I. Fistul, Yu. V. Shmartsev, “Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  997–1003  mathnet
20. V. V. Emtsev, P. M. Klinger, K. M. Mirazizyan, “Зависимость скорости образования вторичных дефектов в $p$-Si от интенсивности электронного облучения”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  561–564  mathnet
21. V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, D. S. Poloskin, “Проявление пар Френкеля в $p$-германии при низкотемпературном $\gamma$-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  191–196  mathnet
22. V. V. Emtsev, P. M. Klinger, T. V. Mashovets, “Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991),  45–49  mathnet
23. V. V. Emtsev, Y. N. Daluda, “DEVELOPMENT OF DEFECTS IN Y1BA2CU3O7-X MONOCRYSTALLINE FILMS UNDER NEAR-THRESHOLD AND ABOVE-THRESHOLD IRRADIATIONS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:20 (1991),  84–88  mathnet
1990
24. V. V. Emtsev, P. M. Klinger, T. V. Mashovets, K. M. Mirazizyan, “Влияние условий электронного облучения на скорость образования $A$-центров в $n$-кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990),  1209–1212  mathnet
25. V. V. Emtsev, Y. N. Daluda, V. I. Shakhovtsov, V. L. Shindich, V. B. Neimash, R. S. Antonenko, K. Shmalts, “Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при «горячем» $\gamma$-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990),  374–376  mathnet
1989
26. V. V. Mikhnovich, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, N. A. Vitovskiy, “Dependence of the efficiency of homogeneous Frenkel pair annihilation in crystals on irradiation intensity”, Fizika Tverdogo Tela, 31:3 (1989),  306–308  mathnet
27. A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Влияние параметров импульсного электронного облучения на эффективность образования дефектов в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2221–2223  mathnet
28. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, D. S. Poloskin, “Эффективность образования точечных дефектов в $n$- и $p$-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:3 (1989),  425–428  mathnet
29. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, V. V. Mikhnovich, “Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  184–185  mathnet
1988
30. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, D. S. Poloskin, “Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы в $n$-германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988),  1483–1486  mathnet
31. V. V. Emtsev, A. V. Dabagyan, N. A. Vitovskiy, T. V. Mashovets, “Основные характеристики пары Френкеля в германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988),  924–926  mathnet
32. A. V. Dabagyan, V. V. Emtsev, “Отжиг метастабильных пар Френкеля, образующихся в германии $n$-типа при низкотемпературном гамма-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  747–750  mathnet
33. A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Влияние интенсивности импульсного электронного облучения на образование дефектов в $p$-кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988),  502–504  mathnet
1987
34. V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, A. G. Abdusattarov, “Interaction of Eigen Point Defects with Impurity Phosphorus Atoms in $n$-Type Silicon under Electron (Pulsed) Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  2106–2109  mathnet
35. V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, A. V. Dabagyan, “Equilibrium Level of Vacancy Filling in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1888–1892  mathnet
36. N. A. Vitovskiy, A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, D. S. Poloskin, “Lifetime of Free Vacancies and Eigen Interstitial Atoms in n-Type Germanium under Electron and Gamma Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1826–1831  mathnet
37. Y. N. Daluda, V. V. Emtsev, P. D. Kervalishvili, V. I. Petrov, K. Shmalts, “Effect of Thermal Treatment on Rearrangement of Oxygen-Containing Defects in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:7 (1987),  1283–1288  mathnet
38. V. V. Emtsev, N. A. Vitovskiy, T. V. Mashovets, “Energy Spectrum and Processes of Migration of Frenkel-Pair Components in Germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  145–149  mathnet
1986
39. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Ionization-Induced Annealing of Frenkel Pairs in Germanium and Silicon under Electron and Gamma Irradiation at Helium Temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  840–843  mathnet
40. N. Yu. Arutyunov, V. V. Emtsev, V. Yu. Trashchakov, E. E. Rubinova, “Annihilation Gamma-Quanta Angular-Distribution Anisotropy due to Radiation-Induced Defects in Neutron-Irradiated Germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  552–555  mathnet
41. A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, V. N. Lomasov, T. V. Mashovets, “Rate of $A$-Center Formation in Silicon under Electron Pulsed Irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  164–167  mathnet
42. A. G. Abdusattarov, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Donor group bounding into electrically nonactive complexes during electron P-germanium with the 1-MeV energy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:23 (1986),  1461–1464  mathnet
1985
43. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, T. V. Mashovets, “Difference between the Processes of Defect Formation under $\gamma$-Irradiation in $p$-Type Silicon at 6.5 and 78 К”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  296–299  mathnet
1984
44. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, T. V. Mashovets, “Определение энергетических характеристик вакансии в кремнии как центра с отрицательной корреляционной энергией”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1516–1519  mathnet
45. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, T. V. Mashovets, “Образование точечных дефектов в чистом $p$-Si под действием гамма-лучей при 6.5 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1505–1508  mathnet
46. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, “POINT-DEFECTS, OCCURRING IN SILICON WITH BORON, GALLIUM AND INDIUM ADMIXTURES DURING LOW-TEMPERATURE GAMMA-IRRADIATION”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:17 (1984),  1063–1065  mathnet 1
1983
47. N. A. Vitovskiy, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “О распределении пар Френкеля, возникающих в германии при облучении, по расстояниям между их компонентами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983),  1985–1990  mathnet
48. E. D. Vasil'eva, V. V. Emtsev, “Рекомбинационные центры радиационного происхождения в германии $n$-типа”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  724–725  mathnet
49. V. V. Emtsev, M. A. Margaryan, T. V. Mashovets, “Об энергетическом спектре вакансии в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:2 (1983),  350–352  mathnet
50. E. D. Vasil'eva, V. V. Emtsev, “Процессы дефектообразования в Ge$\langle\text{Hg}\rangle$ при гамма-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  173–176  mathnet
51. E. D. Vasil'eva, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Влияние условий облучения на взаимодействие примеси золота с собственными дефектами в германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  52–56  mathnet
52. E. D. Vasil'eva, V. V. Emtsev, T. V. Mashovets, “Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии при гамма-облучении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  35–39  mathnet
2012
53. V. N. Brudnyi, V. T. Bublik, B. N. Goshchitskii, V. V. Emtsev, Yu. A. Kazanskii, R. F. Konopleva, Yu. V. Konobeev, N. G. Kolin, I. I. Kuz'min, V. N. Mordkovich, R. P. Ozerov, V. B. Osvenskii, A. A. Stuk, V. A. Kharchenko, “Памяти Сергея Петровича Соловьева к 80-летию со дня рождения (1932–2000)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:10 (2012),  1374–1375  mathnet  elib

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2026