|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Ю. М. Мацевитый, Р. Ж. Ержанов, В. М. Тимченко, В. П. Шерышев, “Оптимизация параметров активационного отжига полупроводниковых пластин”, ТВТ, 30:6 (1992), 1181–1188  ; Yu. M. Matsevityi, R. Zh. Erzhanov, V. M. Timchenko, V. p. Sheryshev, “Optimizing semiconductor-wafer activation-annealing parameters”, High Temperature, 30:6 (1992), 980–985  |
| 2. |
Ю. М. Мацевитый, Н. В. Балашова, А. В. Мултановский, П. В. Панасенко, В. М. Тимченко, В. П. Шерышев, “Моделирование тепломассопереноса при активационном отжиге арсенидталлие- вых полупроводниковых пластин”, ТВТ, 30:3 (1992), 601–608 ; Yu. M. Matsevityi, N. V. Balashova, A. V. Multanovskii, P. V. Panasenko, V. M. Timchenko, V. p. Sheryshev, “Modeling heat and mass transfer during activation annealing of gallium arsenide semiconductor pPlates”, High Temperature, 30:3 (1992), 488–494 |
|
