|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2002 |
| 1. |
А. П. Мельников, Ю. А. Гурвич, С. А. Шевченко, Л. Н. Шестаков, Л. И. Меньшиков, “Новый механизм проводимости по примесям в кристаллическом слабо легированном некомпенсированном кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 75:3 (2002), 184–187  ; A. P. Mel'nikov, Yu. A. Gurvich, S. A. Shevchenko, L. N. Shestakov, L. I. Men'shikov, “New mechanism of impurity conduction in lightly doped crystalline noncompensated silicon”, JETP Letters, 75:3 (2002), 155–158  |
4
|
|
2001 |
| 2. |
А. П. Мельников, Ю. А. Гурвич, Л. Н. Шестаков, Е. М. Гершензон, “Влияние магнитного поля на неомическую проводимость по примесям некомпенсированного кристаллического кремния”, Письма в ЖЭТФ, 73:1 (2001), 50–53 ; A. P. Mel'nikov, Yu. A. Gurvich, L. N. Shestakov, E. M. Gershenzon, “Magnetic field effects on the nonohmic impurity conduction of uncompensated crystalline silicon”, JETP Letters, 73:1 (2001), 44–47 |
9
|
|
1980 |
| 3. |
Е. М. Гершензон, А. П. Мельников, Р. И. Рабинович, Н. А. Серебрякова, “Примесные H$^-$-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках”, УФН, 132:2 (1980), 353–378 ; E. M. Gershenzon, A. P. Mel'nikov, R. I. Rabinovich, N. A. Serebryakova, “H$^-$-like impurity centers and molecular complexes created by them in semiconductors”, Phys. Usp., 23:10 (1980), 684–698 |
37
|
|
